技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種半導體存儲器件及其制造方法，半導體存儲器件包括：半導體襯底；有源區(qū)，所述有源區(qū)包括多個單位有源區(qū)，且被設置在半導體襯底之上以及與半導體襯底間隔開；字線對，所述字線對被形成在單位有源區(qū)的頂表面和側(cè)面上；虛設字線，所述虛設字線被設置在單位有源區(qū)的接觸處，并被形成在單位有源區(qū)的頂表面和側(cè)面上；源極區(qū)域，所述源極區(qū)域被形成在字線對之間的單位有源區(qū)中，并與半導體襯底電連接；漏極區(qū)域，所述漏極區(qū)域被形成在字線對與虛設字線之間的單位有源區(qū)中；以及第一儲存層，所述第一儲存被形成在漏極區(qū)域上并與漏極區(qū)域電連接。

技術(shù)研發(fā)人員：李章旭;金圣哲;崔康植;金錫基
受保護的技術(shù)使用者：愛思開海力士有限公司
文檔號碼：201610989412
技術(shù)研發(fā)日：2012.10.17
技術(shù)公布日：2017.06.13