技術(shù)編號：12680730
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。高集成半導(dǎo)體存儲器件及其制造方法本專利申請是申請日為2012年10月17日、申請?zhí)枮?01210395361.1、發(fā)明名稱為“高集成半導(dǎo)體存儲器件及其制造方法”的分案申請。相關(guān)申請的交叉引用本申請要求2012年3月14日向韓國專利局提交的申請?zhí)枮?0-2012-0026091的韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用合并于此。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明的示例性實施例涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，更具體而言，涉及一種相變隨機存取存儲(PCRAM)器件及其制造方法。背景技術(shù)PCRAM器件是非易失性存儲器件中的...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。