1.一種制造半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的方法，包括以下步驟：
在半導(dǎo)體襯底上以第一恒定間距形成包括樁的線(xiàn)圖案形的有源區(qū)；
以第二恒定間距形成多個(gè)字線(xiàn)以與所述有源區(qū)交叉；
對(duì)在所述字線(xiàn)中的每個(gè)的兩側(cè)處的所述有源區(qū)執(zhí)行雜質(zhì)的離子注入，以在與所述樁相對(duì)應(yīng)的注入的有源區(qū)中形成源極區(qū)域，并在其余的注入的有源區(qū)中形成漏極區(qū)域；
在暴露在所述字線(xiàn)之間的所述源極區(qū)域和所述漏極區(qū)域上形成下電極；
在所述字線(xiàn)的側(cè)壁和所述下電極上形成間隔件絕緣層；
刻蝕所述間隔件絕緣層，以選擇性地暴露出在所述漏極區(qū)域上的所述下電極；以及
在所述暴露出的下電極和所述間隔件絕緣層上形成儲(chǔ)存層。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述有源區(qū)的步驟包括以下步驟：
在所述半導(dǎo)體襯底上形成犧牲層；
在所述犧牲層上形成具有與所述犧牲層不同的刻蝕選擇性的第一半導(dǎo)體層；
刻蝕所述第一半導(dǎo)體層和所述犧牲層，以暴露出與所述源極區(qū)域相對(duì)應(yīng)的所述半導(dǎo)體襯底；
在所述第一半導(dǎo)體層和所述半導(dǎo)體襯底上形成具有與所述犧牲層不同的刻蝕選擇性的第二半導(dǎo)體層；以及
去除所述犧牲層。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，還包括以下步驟：
在去除了所述犧牲層的空間中填充絕緣材料。
4.一種制造半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的方法，包括以下步驟：
在半導(dǎo)體襯底上形成犧牲層和線(xiàn)圖案形的有源區(qū)；
以恒定間距形成多個(gè)字線(xiàn)以與所述有源區(qū)交叉；
選擇性地去除所述犧牲層；
在所述字線(xiàn)之間的空間中以及在去除了所述犧牲層的空間中形成絕緣層；
在所述字線(xiàn)之間的所述有源區(qū)上選擇性地刻蝕所述絕緣層，以暴露出所述有源區(qū)；
刻蝕暴露出的有源區(qū)和在所述暴露出的有源區(qū)之下的所述絕緣層，以形成暴露出所述半導(dǎo)體襯底的源接觸孔；
在所述源接觸孔中形成源極樁，以與所述有源區(qū)連接；
在所述源極樁中和所述字線(xiàn)中的每個(gè)的兩側(cè)處的有源區(qū)中離子注入雜質(zhì)，以在源極樁中形成源極區(qū)域并在有源區(qū)中形成漏極區(qū)域；
在所述源極區(qū)域和所述漏極區(qū)域上形成下電極；
在所述下電極上形成間隔件絕緣層；
刻蝕所述間隔件絕緣層以選擇性地暴露出在所述漏極區(qū)域上的所述下電極；以及
在所述間隔件絕緣層和所述暴露出的下電極上形成儲(chǔ)存層。