技術(shù)總結(jié)
一種嵌入式閃存的多晶硅干蝕刻工藝的選擇方法，所述方法包括以下步驟：提供所述嵌入式閃存的有源區(qū)的版圖和浮柵區(qū)的版圖；根據(jù)所述有源區(qū)的版圖和浮柵區(qū)的版圖，確定所述有源區(qū)與所述浮柵區(qū)的實際蝕刻區(qū)域的版圖密度，所述實際蝕刻區(qū)域為通過干蝕刻工藝蝕刻多晶硅的區(qū)域；根據(jù)所述實際蝕刻版區(qū)域的版圖密度和位于所述多晶硅下的氧化層在蝕刻后的預(yù)設(shè)厚度，選擇對應(yīng)的干蝕刻工藝。本發(fā)明方案可以根據(jù)多晶硅的實際蝕刻區(qū)域的版圖密度，選擇合適的多晶硅干蝕刻工藝，從而對浮柵末梢尖端進(jìn)行精確控制，以提高閃存性能。

技術(shù)研發(fā)人員：孫訪策;李志國;楊勇;黃沖;鄔鏑
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
文檔號碼：201610885898
技術(shù)研發(fā)日：2016.10.10
技術(shù)公布日：2016.12.21