專利名稱：一種高效節(jié)能的多晶硅制備工藝及裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種多晶硅制備工藝，尤其涉及一種采用自蔓延燃燒原理連續(xù)生產高純多晶硅工藝，其次，本發(fā)明還涉及一種多晶硅制備裝置，尤其涉及一種利用自蔓延燃燒原理，在裝置內部發(fā)生自蔓延燃燒反應，連續(xù)生產多晶硅的裝置。
背景技術：
多晶硅是光伏產業(yè)和電子工業(yè)最重要生產原料，在應用上需要極高純度。一般來說，太陽能級多晶硅的純度需達到6個9以上(99. 9999%以上)，電子級多晶硅的純度需達到9個9以上(99. 9999999%以上)?，F(xiàn)今，主流的多晶硅制備方法主要有改良西門子法、硅烷法、冶金法、鈉還原法、鋅還原法等，其中改良西門子法生產的多晶硅占世界總產量的80%以上，其核心的反應是三氯氫硅在高溫反應器內經化學氣相沉積生成多晶硅，尾氣經·分離回收后進入系統(tǒng)重新利用，國際上采用該工藝生產的多晶硅成本已下降至20美元/公斤以下，然而，相對于民用發(fā)電來說，多晶硅生產成本仍需進一步降低。硅烷法是以四氯化硅或四氟化硅為原料，采用歧化法或四氫鋁鈉還原法制備硅烷，然后在600 800 oC下化學氣相沉積多晶硅，由于硅烷是極易燃易爆氣體，該法的生產存在一定的危險性。冶金法生產多晶硅雖然成本要比改良西門子法和硅烷法低，但由于工藝的限制，其生產的多晶硅純度很難達到7個9，因此限制了其發(fā)展。而鋅還原法仍處于研究和小試階段。鈉還原法的技術來源于斯坦福研究院，其1984年申請的專利(U. S. Patent4442082)介紹了鈉還原法的工藝流程和反應器，但該工藝和反應器沒有解決反應物的充分混合、副產物的回收利用和噴嘴的堵塞等問題，隨后的專利(U. S. Patent 4590043，4446120,4753783)雖在反應器噴嘴、構造上做了改進，但上述問題仍沒得到很好解決。2007年，山陽科技在中國申請的發(fā)明專利(專利號101285122A)公開了一種自蔓延燃燒氣旋式反應器，較好地解決了反應物的混合和噴嘴的堵塞問題，然而仍存在副產物的回收利用及產物的后續(xù)處理等問題。本發(fā)明針對以上問題進行了工藝的改進和噴嘴的優(yōu)化設計，使副產物部分或全部實現(xiàn)回收利用，噴嘴的優(yōu)化設計改善了反應物的混合程度并徹底解決噴嘴堵塞問題。。

發(fā)明內容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種有別于現(xiàn)今主流多晶硅生產工藝的制備工藝，能夠實現(xiàn)多晶硅的低成本連續(xù)化生產，同時可實現(xiàn)多晶硅的連續(xù)鑄錠。本發(fā)明的第二目的在于提供一種副產物綜合利用工藝，實現(xiàn)本發(fā)明中多晶硅制備工藝的部分(或完全)閉路循環(huán)，進一步降低生產成本。本發(fā)明的第三目的在于提供一種自蔓延燃燒反應器，利用該反應器，采用鹵化鹽為氧化劑，化學元素周期表IA、IIA族的元素或其合金為還原劑，連續(xù)式生產高純多晶硅，并可在生產過程中連續(xù)鑄造多晶硅錠。為解決上述技術問題達到所述技術效果，本發(fā)明采取的技術方案包括一種聞效節(jié)能的多晶娃制備工藝，其特征在于
(1)原料鹵化硅的制備鹵化鹽和SiO2在300 600度溫度下煅燒10-30分鐘，經自然冷卻，再與酸液混合，在100 300度、負壓條件下，于回轉反應爐中反應，生成鹵化硅；
(2)多晶硅的制備鹵化硅和還原劑在自蔓延燃燒反應器中反應，生成鹵化鹽液滴和硅粉，沉積在反應室底部，底部可被加熱至1200-1700度，使硅粉液化，由于鹵化鹽和硅的密度不同而出現(xiàn)分層，進而分離出鹵化鹽和硅，硅也可進一步用于鑄造多晶硅錠；
所述的步驟(I)中的反應時間優(yōu)選為20分鐘，所述的酸液為濃硫酸，所述的步驟(2)中的加熱溫度優(yōu)選為1500度。所述的氧化劑為氣態(tài)鹵化娃，所述鹵化硅為SiXn，X為F、Cl、Br、I之一，η為1、2、
3、4之一，優(yōu)選四氟化硅和四氯化硅。所述的還原劑為化學元素周期表中IA和IIA族元素及合金，優(yōu)選鈉、鎂、鋅等高活性物質。所述的產物鹵化鹽為ΥΧη，Υ為化學元素周期表中IA和IIA族元素，X為F，Cl，Br，I 之一，η 為 1，2 之一，優(yōu)選 NaF，ZnCl2。所述的產物硫酸鹽為YnSO4, Y為化學元素周期表中IA和IIA族元素，η為1，2之一，優(yōu)選 Na2SO4, ZnS04。所述的鹵化鹽用于鹵化硅的制備，硫酸鹽用于污水處理的絮凝劑，或與SiO2多孔基體復合，經過粉碎、烘干、成型和燒結工藝，用于制備具有良好儲熱性能的材料。一種高效節(jié)能的多晶硅制備裝置，包括由反應器內襯和外殼限定的中空腔體，所述內襯與包裹內襯的外殼中間填充有保溫材料，所述中空腔體的頂端設有還原劑進料管、氧化劑進料管和尾氣出口，所述中空腔體的底端設有主、副產物出口管；其中，所述還原劑進料管與至少一個伸入腔體內部的還原劑噴嘴連接，所述氧化劑進料管與至少一個深入腔體內部的氧化劑噴嘴連接；所述中空腔體底部設有輔助加熱器；其特征在于，所述氧化劑噴嘴伸入中空腔體的位置高于還原劑噴嘴，且所述還原劑噴嘴為自動旋轉噴嘴，所述氧化劑噴嘴與氣體分布盤連接，使得氧化劑經氣體分布盤均勻分布后與旋轉噴嘴噴出的還原劑霧化射流充分接觸。其中，所述的外殼為不銹鋼，所述的反應器內襯上端為圓柱形，下端為倒圓錐形，所述的反應器內襯為高溫、高純、惰性材料構成，優(yōu)選石墨、Sic, Si3N4材料。進一步地，所述的自動旋轉噴嘴主要由還原劑進料管以及套裝在進料管上的軸承和軸承蓋構成，所述的進料管的一端與噴頭體相連，噴頭體與軸承蓋固為一體結構，且噴頭體上設置有與進料管內部相通的噴料孔。優(yōu)選地，所述的噴料孔至少為2個，且噴料孔繞噴頭體的中軸線呈對稱分布。還原劑經加壓由頂部進料管進入自動旋轉噴嘴，還原劑流體射流產生的反沖力矩驅動噴嘴旋轉，并從噴嘴中呈霧錐狀噴出，旋轉剪切力使還原劑流體霧化，產生霧化射流。氧化劑進料噴嘴(氣體分布盤)置于中空腔體頂端，稍高于還原劑噴嘴，氧化劑噴嘴連接氧化劑進料管，伸出外殼，氧化劑經加壓由氧化劑進料管進入氣體分布盤，經均勻分布后進入中空腔體，與霧化的還原劑碰撞，發(fā)生自蔓延燃燒反應，生成一主產物和一副產物，由于還原爐噴嘴旋轉所產生的旋轉剪切力將帶動周圍氣體及產物旋轉，并將產物甩出反應區(qū)而沉積在中空腔體下端，該主產物和副產物經由中空腔體下端主產物輸出口和副產物輸出口輸出。反應器內襯下端和產物輸出口間設有輔助加熱器，提供所需的熱量。尾氣出口位于反應器頂端，嵌套還原劑進料管，以回收部分尾氣出口熱量。還原劑進料管，氧化劑進料管和產物出口均設有控制閥，分別調節(jié)還原劑、氧化劑進料量及產物采出量。進一步地，所述氣體分布盤至少設有8個圍繞還原劑旋轉噴嘴的噴口，優(yōu)選所述的氧化劑進料管下端分布盤的噴口繞還原劑進料管的中軸線呈對稱分布。在一個優(yōu)選的實施方案中，所述位于反應器腔體頂端的尾氣出口與還原劑進料管嵌套設置，充分利用尾氣帶出的熱量預熱還原劑進料。在一個優(yōu)選的實施方案中，所述的主產物出口管伸入中空腔體的高度稍高于反應器內襯底部，位于主產物收集區(qū)，以避免引入副產物。同時,所述的副產物出口管伸入中空腔體的高度高于主產物出口管約2-lOcm，位于副產物收集區(qū)，從而實現(xiàn)主產物與副產物的 有效分離。在前述的還原劑進料管、氧化劑進料管、尾氣出口管、主產物出口管、副產物出口管上均設有至少一個控制閥，用于調節(jié)物料流量的大小。有益效果
(I)利用廉價的鹵化鹽和SiO2，在回轉反應爐中，與濃硫酸混合，制備用于生產多晶硅的原料鹵化硅，該反應解決了多晶硅原料鹵化硅的來源問題。(2)利用自蔓延燃燒原理,將金屬齒化物與堿金屬、堿土金屬以氣態(tài)或液態(tài)方式，注入反應器中進行自蔓延燃燒反應，燃燒產生的熱能除了維持反應的連續(xù)進行外，還可以使產物處于高熱狀態(tài)，極大減少多晶硅制備期間的能量消耗。(3)所生成的副產物鹵化鹽具有極高的反應活性，可與各種過渡金屬化合物反應，因而可得到聞純多晶娃。(4)把多晶硅制備的副產物鹵化鹽回收利用，制備多晶硅生產用原料鹵化硅，實現(xiàn)多晶硅生產部分(或全部)閉路循環(huán)。(2)還原劑進料管旋轉式噴嘴設計，所述的自動旋轉噴嘴由于高速離心旋轉，能將噴嘴周邊沉積的硅甩離噴嘴，避免在噴嘴處持續(xù)沉積而堵塞噴嘴。(3)產物輸出管均伸入主產物和副產物的液態(tài)區(qū)，保證輸出的產物為純主產物或純副產物，無需再次后續(xù)處理分離。(4)在高溫環(huán)境中，主、副產物形成液態(tài)，由于主、副產物的密度不同，而自動分層，在通過主、副產物輸出口引出主、副產物，使整個多晶硅生產過程可連續(xù)進行，而不必以批次方式進行生產，提高生產效率，主產物還可用于連續(xù)鑄造多晶硅錠。(5)尾氣出口管與還原劑進料管嵌套設置，使得還原劑與尾氣換熱，充分利用尾氣夾帶的熱量，實現(xiàn)熱量的高效回收利用。


必需認識到，本

中所涉及的具體物質是為說明本發(fā)明而列舉在本發(fā)明的

中，并不是對本發(fā)明的任何限制。本發(fā)明所要求的權利，以權利要求書為準。圖I為本發(fā)明的多晶硅制備工藝的流程圖。圖2為本發(fā)明的多晶硅制備裝置的剖視圖，其中顯示了反應器腔體、還原劑進料管、還原劑噴嘴、氧化劑進料管、氧化劑噴嘴、主副產物輸出口及尾氣出口的結構。圖中主要標號說明:100反應器，101還原劑，102氧化劑，103主產物，104副產物，105尾氣，201還原劑進料管，202氧化劑分布盤，203還原劑旋轉噴嘴，204反應器外殼，205反應器保溫材料，206反應器內襯，207副產物輸出管，208主產物輸出管，209氧化劑進料管，201尾氣出口管，301主產物輸出控制閥，302副產物輸出控制閥，303還原劑進料控制閥，304氧化劑進料控制閥，305尾氣控制閥，401副產物收集區(qū)，402主產物收集區(qū)，403反應區(qū)，501產物收集區(qū)和產物輸出管加熱器，502還原劑進料管換熱器。圖3為還原劑進料管201和還原劑旋轉噴嘴203的剖視放大圖。其中201還原劑進料管，2032密封件，2033還原劑進料管接頭，2034軸承蓋，2035軸承，2036噴嘴，2037噴頭體。圖4為還原劑旋轉噴嘴203的俯視圖。
具體實施例方式 下面結合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
進行詳細說明，但是，必需指出本發(fā)明的保護范圍并不受這些具體實施方式
的限制，具體實施方式
中所涉及的具體物質是為說明本發(fā)明而列舉在本具體實施方式
中，并不是對本發(fā)明的任何限制。本發(fā)明所保護的范圍，由權利要求書確定。根據(jù)圖1，所述的多晶硅制備工藝包含2個主要工序多晶硅原料SiF4的制備、多晶硅的制備。第一工序以廉價易得的NaF和SiO2為原料，在450度溫度下煅燒20分鐘，生成兩種物質的絡合物，自然冷卻后，再與濃硫酸相混合，在200度下、微負壓條件下的回轉反應爐中反應，生成SiF4和Na2SO4副產物?；剞D反應爐可將部分產物回送入反應爐前端，跟原料一起進入反應器再次反應，可提高原料流動性和產率。該反應為吸熱反應，熱量由反應爐外加熱器提供，生成的SiF4經除塵、冷凝、干燥、壓縮，存儲于SiF4儲罐中。副產物Na2SO4是良好的絮凝劑，被廣泛應用于污水處理，也可與SiO2多孔基材混合，形成Na2S04/Si02復合材料，是良好的儲熱材料。第二工序在自蔓延燃燒式反應器中發(fā)生反應，生成Si和NaF，該反應是放熱反應，每摩爾SiF4反應熱為164千卡，在反應器內襯腔體中產生的熱量可以達到1100度以上，足以維持反應的連續(xù)進行并促使反應副產物NaF熔化。反應物收集區(qū)被加熱至1500度，使產物Si和副產物NaF均為熔融狀態(tài)，由于兩者密度差異，而使產物和副產物出現(xiàn)分層，進而從不同輸出口輸出。副產物NaF可返回第一工序作為原料使用，整個工藝可實現(xiàn)部分(或完全)閉路循環(huán)。根據(jù)圖2，所述的多晶硅制備裝置100 (反應器)包括，不銹鋼外殼204，外殼包裹的隔熱材料205，反應器內襯206，至少一個還原劑進料管201，穿過外殼伸入反應器內襯的中空腔體中，下端連接還原劑噴嘴203，氧化劑進料管209穿過外殼伸入反應器內襯的中空腔體中，下端連接氧化劑噴嘴(氣體分布盤)202，氧化劑噴嘴202稍高于還原劑噴嘴203，尾氣出口管210，嵌套還原劑進料管201，反應器內襯206底部至少設置一個主產物輸出管208和一個副產物輸出管207，主產物輸出管208稍高于反應器內襯底部，副產物輸出管207伸入反應器內襯206的中空腔體中，位于副產物收集區(qū)，反應器內襯底部和輸出管周圍設置有輔助加熱器501，可加熱產物收集區(qū)至1500度，還原劑進料管設置有輔助加熱器502，用于使還原劑液化，還原劑進料管201、氧化劑進料管209、尾氣出口管210、主產物輸出管208和副產物輸出管207分別設置有控制閥301，302，303，304，305。
根據(jù)圖3，所述的還原劑旋轉噴嘴203為自動旋轉噴嘴，包括還原劑進料管接頭2033，軸承蓋2034，軸承2035，噴嘴2036，噴頭體2037和密封件2032，還原劑進料管接頭2033與還原劑進料管201緊密結合，下端通過軸承2035與軸承蓋2034相接，噴頭體2037與軸承蓋2034通過螺紋2031連接固為一體，噴頭體2037中至少設置二個噴嘴2036，噴嘴2036與還原劑進料管201的中軸線呈對稱分布。根據(jù)圖4，所述噴嘴2036的出口通道為圓弧狀，如此流體通過噴口的沖擊力帶動噴嘴旋轉，達到自動旋轉的效果。下面以具體實施例說明本發(fā)明中多晶硅的生產過程。必需說明的是，在實施例中所列舉的具體技術方案僅是本發(fā)明的較佳實施例，并不能被視為是對本發(fā)明的任何限制，凡是依據(jù)本發(fā)明的技術實質對本實施例所做的任何簡單修改、修飾，均應被視為本發(fā)明的保護范疇。實施例I :· 將176. 4kg的NaF和63kg的SiO2混合均勻，在450 °C，微負壓下煅燒爐內充分燃燒。經過煅燒的NaF和SiO2混合物再與225kg 100%濃硫酸相混合，在200 '微負壓條件下于回轉反應爐中反應，考慮到反應過程中的5%損耗，可產生104kg的四氟化硅，經過除塵、冷卻、干燥、精制、壓縮、收集于四氟化硅儲氣罐中。所得的四氟化硅質量指標如表I所示
名稱I四氟化桂I二氧化硫I二氧化碳I氫氟酸I其他質量分數(shù) |>99· 5 |<0. 001 |<0. 05 |<0. 01 |<0. 439~氧化劑四氟化硅102經氧化劑進料管209進入氣體分布盤202，分布均勻后再從噴嘴噴出，進入反應器內襯206的中空腔體中。還原劑金屬鈉101被加熱器502加熱液化后，經還原劑進料管201進入自動旋轉噴嘴203，還原劑流體射流所產生的反沖力矩驅動噴嘴旋轉，并從噴嘴中呈霧錐狀噴出，旋轉剪切力使還原劑流體霧化，產生霧化射流，帶動從上往下噴淋的氧化劑四氟化硅102旋轉并不斷碰撞，發(fā)生自蔓延燃燒反應，產生的主產物硅103和副產物氟化鈉104在旋轉力的作用下不斷從反應區(qū)403甩出，沉入反應器內襯206底部。由于每摩爾的四氟化硅與金屬鈉的反應熱達到164千卡，所產生的熱量可以達到攝氏1000 1200 0C以上，足以使副產物氟化鈉104成為熔融狀態(tài)，而主產物硅103由于其較高的熔點而仍然為固體粉末。在旋轉的氣流中，由于主產物硅103和副產物四氟化硅104的密度不同，兩者在反應器內襯206的中空腔體中逐漸分離，又由于熔融狀態(tài)下的副產物氟化鈉104具有與過渡金屬極高的反應活性，因此，可用于提純主產物硅103?？梢酝ㄟ^輔助加熱器501加熱反應器內襯206底部至1500度，使主產物硅103成為熔融狀態(tài)，由于主產物硅103和副產物氟化鈉104的密度不同，使液體出現(xiàn)分層，并通過主副產物輸出口輸出。尾氣105主要含有未反應的四氟化硅102和可能的惰性氣體，經由反應器上端尾氣管210排出，再經由尾氣回收裝置分離、純化后回收利用。在上述反應過程中，原料進料量及產物輸出量均由控制閥301 304控制，控制閥305控制尾氣輸出時機。由于主產物輸出管208伸入主產物硅103液體內部，因此，經輸出口輸出的主產物硅103為高純，不需處理即可進行連續(xù)鑄錠。副產物氟化鈉104可回收后用于氧化劑四氟化硅102的制備，使氟元素在整個多晶硅制備工藝中實現(xiàn)閉路循環(huán)。以上雖然已結合實施例對本發(fā)明的具體實施方式
進行了詳細的說明，但是需要指出的是，本發(fā)明的保護范圍并不受這些具體實施方式
的限制，而是由附錄的權利要求書來確定。本領域技術人員可在不脫離本發(fā)明的技術思想和主旨的范圍內對這些實施方式進行適當?shù)淖兏?，而這些變更后的實施方式顯然也包括在本發(fā)明的保護范圍之內。
權利要求
1.一種多晶硅制備工藝，其特征在于，包含如下步驟 (1)原料鹵化硅的制備鹵化鹽和SiO2在300 600度溫度下煅燒10-30分鐘，經自然冷卻，再與酸液混合，在100 300度、負壓條件下，于回轉反應爐中反應，生成鹵化硅； (2)多晶硅的制備鹵化硅和還原劑在自蔓延燃燒反應器中反應，生成鹵化鹽液滴和硅粉，沉積在反應室底部，底部可被加熱至1200-1700度，使硅粉液化，進而分離出鹵化鹽和多晶娃。
2.根據(jù)權利要求I所述的多晶硅制備工藝，其特征在于，所述的鹵化硅為SiXn，X選自F，Cl，Br，I之一，η選自1，2，3，4之一；所述的還原劑為化學元素周期表中IA和IIA族元素及合金；所述的產物鹵化鹽為ΥΧη，Y為化學元素周期表中IA和IIA族元素，X為F，Cl，Br，I之一，η為1，2之一；所述的產物硫酸鹽為YnSO4, Y為化學元素周期表中IA和IIA族元素，η為1,2之一。
3.根據(jù)權利要求I所述的多晶硅制備工藝，其特征在于所述的鹵化硅優(yōu)選四氟化硅或四氯化硅，所述的還原劑優(yōu)選鈉、鎂、鋅中的一種，所述的產物鹵化鹽優(yōu)選NaF或ZnCl2，所述的產物硫酸鹽優(yōu)選Na2SO4或ZnSO4。
4.根據(jù)權利要求I所述的多晶硅制備工藝，其特征在于所述的步驟(I)中的反應時間優(yōu)選為20分鐘，所述的酸液為濃硫酸，所述的步驟(2)中的加熱溫度優(yōu)選為1500度。
5.根據(jù)權利要求I所述的多晶硅制備工藝，其特征在于所述的分離的鹵化鹽用于鹵化硅的制備，硫酸鹽用于污水處理的絮凝劑，或與SiO2多孔基體復合，經過粉碎、烘干、成型和燒結工藝，用于制備具有良好儲熱性能的材料。
6.一種高效節(jié)能的多晶硅制備裝置，包括由反應器內襯和外殼限定的中空腔體，所述內襯與包裹內襯的外殼中間填充有保溫材料，所述中空腔體的頂端設有還原劑進料管、氧化劑進料管和尾氣出口，所述中空腔體的底端設有主、副產物出口管；其中，所述還原劑進料管與至少一個伸入腔體內部的還原劑噴嘴連接，所述氧化劑進料管與至少一個深入腔體內部的氧化劑噴嘴連接；所述中空腔體底部設有輔助加熱器；其特征在于，所述氧化劑噴嘴伸入中空腔體的位置高于還原劑噴嘴，且所述還原劑噴嘴為自動旋轉噴嘴，所述氧化劑噴嘴與氣體分布盤連接，使得氧化劑經氣體分布盤均勻分布后與旋轉噴嘴噴出的還原劑霧化射流充分接觸。
7.根據(jù)權利要求6所述的多晶硅制備裝置，其特征在于所述的外殼為不銹鋼；所述的反應器內襯上端為圓柱形，下端為倒圓錐形；所述的反應器內襯為高溫、高純、惰性材料構成，優(yōu)選石墨、SiC, Si3N4材料。
8.根據(jù)權利要求6所述的多晶硅制備裝置，其特征在于所述的自動旋轉噴嘴由還原劑進料管以及套裝在進料管上的軸承和軸承蓋構成，所述的進料管的一端與噴頭體相連，噴頭體與軸承蓋固為一體結構，且噴頭體上設置有與進料管內部相通的噴料孔。
9.根據(jù)權利要求6所述的多晶硅制備裝置，其特征在于所述的噴料孔至少為2個，且噴料孔繞噴頭體的中軸線呈對稱分布；所述氣體分布盤至少設有8個圍繞還原劑旋轉噴嘴的噴口 ；所述的氧化劑進料管下端分布盤的噴口繞還原劑進料管的中軸線呈對稱分布。
10.根據(jù)權利要求6所述的多晶硅制備裝置，其特征在于所述位于反應器腔體頂端的尾氣出口與還原劑進料管嵌套設置。
11.根據(jù)權利要求6所述的多晶硅制備裝置，其特征在于所述的主產物出口管伸入中空腔體的高度稍高于反應器內襯底部，位于主產物收集區(qū)，以避免引入副產物。
12.根據(jù)權利要求6所述的多晶硅制備裝置，其特征在于所述的副產物出口管伸入中空腔體的高度高于主產物出口管約2-10cm，位于副產物收集區(qū)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種多晶硅制備工藝和用于本工藝的多晶硅制備裝置，制備工藝是在自蔓延燃燒反應器，采用鹵化鹽為氧化劑，化學元素周期表IA、IIA族元素或其合金為還原劑，連續(xù)式生產高純多晶硅，并可在生產過程中連續(xù)鑄造多晶硅錠。具有原料價廉、工藝簡單、副產物能回收利用等優(yōu)點。制備裝置包括由反應器內襯和外殼限定的中空腔體，其頂端設有還原劑進料管、氧化劑進料管和尾氣出口，其底端設有主、副產物出口管；其底部設有輔助換熱器；氧化劑噴嘴伸入中空腔體的位置高于還原劑噴嘴，且還原劑噴嘴為旋轉噴嘴，氧化劑噴嘴與氣體分布盤連接。該裝置可實現(xiàn)比傳統(tǒng)實踐更高的產量和更好的收率，且成本較低。
文檔編號C30B28/02GK102953119SQ20111023930
公開日2013年3月6日 申請日期2011年8月19日 優(yōu)先權日2011年8月19日
發(fā)明者朱共山, 江宏富 申請人:江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司