技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種發(fā)光二極管外延層及其制備方法，先于襯底上利用高溫條件先生長P型氮化鎵層，獲得優(yōu)良的晶體質(zhì)量，隨后生長發(fā)光層和N型氮化鎵層。其中N型氮化鎵層的生長溫度采用與發(fā)光層中的壘層溫度相同的低溫條件進(jìn)行生長，避免破壞發(fā)光層的質(zhì)量，影響發(fā)光效率。

技術(shù)研發(fā)人員：林兓兓;周瑜;張家宏
受保護(hù)的技術(shù)使用者：安徽三安光電有限公司
文檔號碼：201610865682
技術(shù)研發(fā)日：2016.09.30
技術(shù)公布日：2017.01.04