技術(shù)特征：

1.一種發(fā)光二極管外延層的制備方法，其特征在于，由如下步驟組成：

首先提供一氮化鎵襯底；

于所述襯底表面高溫、低壓及低速生長P型氮化鎵層；其生長溫度高于或等于1000℃，生長壓力小于或等于100 torr，生長速率小于或等于0.6μm/h；

于所述P型氮化鎵層表面生長應(yīng)力釋放層；

于所述應(yīng)力釋放層上生長發(fā)光層，所述發(fā)光層包括量子壘層和量子阱層，所述發(fā)光層的量子壘層生長溫度小于或等于850℃；

于所述發(fā)光層表面低溫生長N型氮化鎵層，其生長溫度與所述量子壘層的生長溫度相同，為提高低溫生長的N型氮化鎵層晶體質(zhì)量，生長用鎵源采用三乙基鎵；

所述P型氮化鎵層、應(yīng)力釋放層、發(fā)光層和N型氮化鎵層組成發(fā)光二極管外延層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管外延層的制備方法，其特征在于：于所述P型氮化鎵層和應(yīng)力釋放層之間增加高溫退火處理步驟，具體為：停止所述P型氮化鎵層的生長，將腔室溫度穩(wěn)定于950℃以上，對所述P型氮化鎵層進(jìn)行高溫退火處理，活化所述P型氮化鎵層中摻雜雜質(zhì)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管外延層的制備方法，其特征在于：所述P型氮化鎵層的生長溫度為1000～1200℃。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種發(fā)光二極管外延層的制備方法，其特征在于：所述P型氮化鎵層的退火溫度為950～1100℃，退火時間為1～5min。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管外延層的制備方法，其特征在于：所述N型氮化鎵層的生長溫度為750～850℃。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管外延層的制備方法，其特征在于：所述P型氮化鎵層的雜質(zhì)濃度范圍為5×10¹⁸cm^-3～1×10²¹cm^-3。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管外延層的制備方法，其特征在于：所述P型氮化鎵層的厚度小于或等于200埃。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管外延層的制備方法，其特征在于：所述N型氮化鎵層的厚度為0.5～1.5μm。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管外延層的制備方法，其特征在于：所述N型氮化鎵層的雜質(zhì)濃度范圍為1×10¹⁹cm^-3～5×10²⁰cm^-3。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管外延層的制備方法，其特征在于：所述N型氮化鎵層的生長壓力為100～200 torr。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管外延層的制備方法，其特征在于：所述發(fā)光二極管的外延層厚度為2.5～3μm。

12.一種發(fā)光二極管外延層，其通過權(quán)利要求1~11任何一項所述的方法制備而成，由一氮化鎵襯底及依次位于所述襯底上的P型氮化鎵層、應(yīng)力釋放層、發(fā)光層和N型氮化鎵層組成。