本申請涉及LED外延設計應用技術領域，具體地說，涉及一種匹配AZO薄膜的LED外延生長方法。

背景技術：

隨著半導體、計算機、太陽能等產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,一種新的功能材料———透明導電氧化物薄膜(transparent conduct ing oxide,簡稱TCO薄膜)隨之產(chǎn)生、發(fā)展起來。這類薄膜具有禁帶寬、可見光譜區(qū)光透射率高和電阻率低等光電特性,在半導體光電器件領域、太陽能電池、平面顯示、特殊功能窗口涂層等方面具有廣闊的應用前景。其中制備技術最成熟、應用最廣泛的當屬In₂O₃基(In₂O₃∶Sn,簡稱ITO)薄膜。但是,由于ITO薄膜中In₂O₃價格昂貴,從而導致生產(chǎn)成本很高；而且,In材料有毒,在制備和應用過程中對人體有害；另外,Sn和In的原子量較大,成膜過程中容易滲入到襯底內(nèi)部,毒化襯底材料,尤其在液晶顯示器件中污染現(xiàn)象嚴重。而ZnO∶Al(簡稱AZO)透明導電薄膜中的Zn源價格便宜、來源豐富、無毒,并且在氫等離子體中穩(wěn)定性要優(yōu)于ITO薄膜,同時具有可與ITO薄膜相比擬的光電特性。所以,AZO薄膜取代ITO薄膜在發(fā)展上具有一定的優(yōu)越性。

目前市場上應用在LED芯片上用作電流擴展層的是ITO(In₂O₃∶Sn)透明導電薄膜，所以相應的LED外延接觸層主要設計用于匹配ITO材料，一般用GaN材料。而如果在芯片上面應用AZO透明導電薄膜做擴展層，為降低接觸電阻，外延接觸層急需改變。

技術實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本申請所要解決的技術問題是提供了一種匹配AZO薄膜的LED外延生長方法，將LED外延最后的接觸層設計為In_xGa_1-xN:Zn/In_xGa_1-xN:Si結(jié)構(gòu)，有效降低了接觸電阻，從而有利于降低LED芯片的工作電壓。

為了解決上述技術問題，本申請有如下技術方案：

一種匹配AZO薄膜的LED外延生長方法，其特征在于，依次包括：處理襯底、生長低溫GaN成核層、生長高溫GaN緩沖層、生長非摻雜u-GaN層、生長摻雜濃度穩(wěn)定的n-GaN層、生長多量子阱發(fā)光層、生長p型AlGaN層、生長高溫p型GaN層、生長In_xGa_1-xN:Zn/In_xGa_1-xN:Si接觸層、降溫冷卻，其中：

所述生長In_xGa_1-xN:Zn/In_xGa_1-xN:Si接觸層，進一步為：

控制生長溫度為850℃-1050℃，生長壓力為100Torr-500Torr，通入300sccm-700sccm的TEGa、900sccm-1300sccm的TMIn、1000sccm-1500sccm DMZn及30000sccm-60000sccm的NH₃，先生長厚度為1nm-20nm的摻雜Zn的In_xGa_1-xN層，X＝0-1，其中，Zn摻雜濃度為1E17atoms/cm³-1E20atoms/cm³，In在In、Ga、N、Zn四種原子中所占的摩爾組分控制為3-30％，形成In_xGa_1-xN:Zn層；

在生長完In_xGa_1-xN:Zn層后，保持生長溫度和生長壓力不變，繼續(xù)通入300sccm-700sccm的TEGa、900sccm-1300sccm的TMIn、30000sccm-60000sccm的NH₃及800sccm-1300sccm SiH₄，接著生長厚度為1nm-10nm的摻雜Si的In_xGa_1-xN層，X＝0-1，其中，Si的摻雜濃度為1E19atoms/cm³-1E22atoms/cm³，In在In、Ga、N、Si四種原子中所占的摩爾組分控制為3-30％，形成In_xGa_1-xN:Si層。

優(yōu)選地，其中：

所述處理襯底，進一步為：在1050℃-1150℃的H₂氣氛下，將藍寶石進行退火處理并清潔襯底表面。

優(yōu)選地，其中：

所述生長低溫GaN成核層，進一步為：

降溫至500℃-620℃，通入NH₃和TMGa，保持反應腔壓力400mbar-650mbar，在藍寶石襯底上生長厚度為20nm-40nm的低溫GaN成核層。

優(yōu)選地，其中：

所述生長高溫GaN緩沖層，進一步為：

在低溫GaN成核層，停止通入TMGa，進行原位退火處理，退火溫度升高至1000℃-1100℃，退火時間為5min-10min；

退火完成之后，將溫度調(diào)節(jié)至900℃-1050℃，繼續(xù)通入TMGa，外延生長厚度為0.2μm-1μm的高溫GaN緩沖層，生長壓力為400Torr-650Torr。

優(yōu)選地，其中：

所述生長非摻雜u-GaN層，進一步為：

在高溫GaN緩沖層生長結(jié)束后，通入NH₃和TMGa，升高溫度到1050℃-1200℃，保持反應腔壓力100Torr-500Torr，持續(xù)生長厚度為1μm-3μm的非摻雜u-GaN層。

優(yōu)選地，其中：

所述生長摻雜濃度穩(wěn)定的n-GaN層，進一步為：

在非摻雜u-GaN層生長結(jié)束后，通入NH₃、TMGa和SiH₄，生長一層摻雜濃度穩(wěn)定的n-GaN層，生長厚度為2μm-4μm，生長溫度為1050-1200℃，生長壓力為100-600Torr，Si摻雜濃度為8E18atoms/cm³-2E19atoms/cm³。

優(yōu)選地，其中：

所述生長多量子阱發(fā)光層，進一步為：

在摻雜濃度穩(wěn)定的n-GaN層生長結(jié)束后，降低溫度至700℃-800℃，保持反應腔壓力100mbar-500mbar，生長厚度為2nm-5nm的In_yGa_(1-y)N阱層，y＝0.1-0.3，

升高溫度達到800℃-950℃，生長壓力為100mbar-500mbar，生長厚度為8nm-15nm的GaN磊層，在GaN磊層摻雜Si，Si摻雜濃度為8E16atoms/cm³-6E17atoms/cm³；

交替生長所述In_yGa_(1-y)N阱層和所述GaN磊層，生長周期為5-15，形成In_yGa_(1-y)N/GaN發(fā)光層，

生長過程中所用的MO源為TEGa、TMIn及SiH₄。

優(yōu)選地，其中：

所述生長p型AlGaN層，進一步為：

在多量子阱發(fā)光層生長完成后，保持反應腔壓力20Torr-200Torr、升高溫度至900℃-1100℃，持續(xù)生長摻雜Al和Mg的厚度為50nm-200nm的p型AlGaN層，其中：

Al的摩爾組分為10％-30％，Mg摻雜濃度為1E18atoms/cm³-1E21atoms/cm³，

生長過程中通入的MO源為TMAl、TMGa和CP₂Mg。

優(yōu)選地，其中：

所述生長高溫p型GaN層，進一步為：

p型AlGaN層生長完成后，保持反應腔壓力100Torr-500Torr、溫度850℃-1000℃，持續(xù)生長厚度為100nm-800nm的摻Mg的高溫p型GaN層，其中：

Mg摻雜濃度為1E18atoms/cm³-1E21atoms/cm³，通入的MO源為TMGa和CP₂Mg。

優(yōu)選地，其中：

所述降溫冷卻，進一步為：將反應腔降溫至650℃-800℃，采用純氮氣氛圍進行退火處理5min-10min，然后將至室溫，結(jié)束生長。

與現(xiàn)有技術相比，本申請所述的方法，達到了如下效果：

本發(fā)明匹配AZO薄膜的LED外延生長方法中，在高溫p型GaN層生長完成之后，生長一層In_xGa_1-xN:Zn/In_xGa_1-xN:Si接觸層來取代原來的Mg:GaN接觸層，通過In_xGa_1-xN:Zn/In_xGa_1-xN:Si材料,來調(diào)整與AZO薄膜材料的勢壘高度差，同時重摻雜能讓半導體耗盡區(qū)變窄，使載流子有更多機會隧穿，以匹配ZnO∶Al(AZO)透明導電薄膜電流擴展層，來降低接觸電阻，從而降低LED芯片的工作電壓。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對本申請的進一步理解，構(gòu)成本申請的一部分，本申請的示意性實施例及其說明用于解釋本申請，并不構(gòu)成對本申請的不當限定。在附圖中：

圖1為本發(fā)明實施例1和實施例2中LED外延層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為對比實施例1中LED外延層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為采用本發(fā)明的方法和傳統(tǒng)方法制得的30mil*30mil芯片的電壓分布對比圖；

圖4為采用本發(fā)明的方法和傳統(tǒng)方法制得的30mil*30mil芯片的亮度分布對比圖；

其中，1-襯底，2-緩沖層GaN(包括低溫GaN成核層和高溫GaN緩沖層)，3-非摻雜u-GaN層，4-n-GaN層，5-多量子阱發(fā)光層，6-p型AlGaN層，7-高溫p型GaN層，8-In_xGa_1-xN:Zn/In_xGa_1-xN:Si接觸層，9-Mg:GaN接觸層。

具體實施方式

如在說明書及權(quán)利要求當中使用了某些詞匯來指稱特定組件，本領域技術人員應可理解，制造商可能會用不同名詞來稱呼同一個組件。本說明書及權(quán)利要求并不以名稱的差異來作為區(qū)分組件的方式，而是以組件在功能上的差異來作為區(qū)分的準則。如在通篇說明書及權(quán)利要求當中所提及的“包含”為一開放式用語，故應解釋成“包含但不限定于”?！按笾隆笔侵冈诳山邮盏恼`差范圍內(nèi)，本領域技術人員能夠在一定誤差范圍內(nèi)解決所述技術問題，基本達到所述技術效果。說明書后續(xù)描述為實施本申請的較佳實施方式，然所述描述乃以說明本申請的一般原則為目的，并非用以限定本申請的范圍。本申請的保護范圍當視所附權(quán)利要求所界定者為準。

實施例1

本發(fā)明運用VEECO MOCVD來生長高亮度GaN基LED外延片。采用高純H₂或高純N₂或高純H₂和高純N₂的混合氣體作為載氣，高純NH₃作為N源，金屬有機源三甲基鎵(TMGa)，金屬有機源三乙基鎵(TEGa)，三甲基銦(TMIn)作為銦源，N型摻雜劑為硅烷(SiH₄)，三甲基鋁(TMAl)作為鋁源，P型摻雜劑為二茂鎂(CP₂Mg)，襯底為(0001)面藍寶石，反應壓力在100Torr到1000Torr之間。具體生長方式如下(外延結(jié)構(gòu)請參考圖1)：

本發(fā)明提供一種匹配AZO薄膜電流擴展層的LED外延接觸層生長方法，依次包括：步驟101、處理襯底；步驟102、生長低溫GaN成核層；步驟103、生長高溫GaN緩沖層；步驟104、生長非摻雜u-GaN層；步驟105、生長摻雜濃度穩(wěn)定的n-GaN層；步驟106、生長多量子阱發(fā)光層；步驟107、生長p型AlGaN層；步驟108、生長高溫p型GaN層；步驟109、生長In_xGa_1-xN:Zn/In_xGa_1-xN:Si接觸層；步驟110、降溫冷卻，其中：

所述生長In_xGa_1-xN:Zn/In_xGa_1-xN:Si接觸層，進一步為：

控制生長溫度為850℃-1050℃，生長壓力為100Torr-500Torr，通入300sccm-700sccm的TEGa、900sccm-1300sccm的TMIn、1000sccm-1500sccm DMZn及30000sccm-60000sccm的NH₃，先生長厚度為1nm-20nm的摻雜Zn的In_xGa_1-xN層，X＝0-1，其中，Zn摻雜濃度為1E17atoms/cm³-1E20atoms/cm³，In在In、Ga、N、Zn四種原子中所占的摩爾組分控制為3-30％，形成In_xGa_1-xN:Zn層；

在生長完In_xGa_1-xN:Zn層后，保持生長溫度和生長壓力不變，繼續(xù)通入300sccm-700sccm的TEGa、900sccm-1300sccm的TMIn、30000sccm-60000sccm的NH₃及800sccm-1300sccm SiH₄，接著生長厚度為1nm-10nm的摻雜Si的In_xGa_1-xN層，X＝0-1，其中，Si的摻雜濃度為1E19atoms/cm³-1E22atoms/cm³，In在In、Ga、N、Si四種原子中所占的摩爾組分控制為3-30％，形成In_xGa_1-xN:Si層。

本發(fā)明所提供的上述匹配AZO薄膜的LED外延生長方法中，在高溫p型GaN層生長完成之后，在步驟109中生長一層In_xGa_1-xN:Zn/In_xGa_1-xN:Si接觸層來取代原來的Mg:GaN接觸層，通過In_xGa_1-xN:Zn/In_xGa_1-xN:Si材料,來調(diào)整與AZO薄膜材料的勢壘高度差，同時重摻雜能讓半導體耗盡區(qū)變窄，使載流子有更多機會隧穿，以匹配ZnO∶Al(AZO)透明導電薄膜電流擴展層，來降低接觸電阻，從而降低LED芯片的工作電壓。

實施例2

本發(fā)明運用VEECO MOCVD來生長高亮度GaN基LED外延片。采用高純H₂或高純N₂或高純H₂和高純N₂的混合氣體作為載氣，高純NH₃作為N源，金屬有機源三甲基鎵(TMGa)，金屬有機源三乙基鎵(TEGa)，三甲基銦(TMIn)作為銦源，N型摻雜劑為硅烷(SiH₄)，三甲基鋁(TMAl)作為鋁源，P型摻雜劑為二茂鎂(CP₂Mg)，襯底為(0001)面藍寶石，反應壓力在100Torr到1000Torr之間。具體生長方式如下(外延結(jié)構(gòu)請參考圖1)：

1、處理襯底，具體為：

在1050℃-1150℃的H₂氣氛下，將藍寶石進行退火處理并清潔襯底表面。

2、生長低溫GaN成核層，具體為：

降溫至500℃-620℃，通入NH₃和TMGa，保持反應腔壓力400mbar-650mbar，在藍寶石襯底上生長厚度為20nm-40nm的低溫GaN成核層。

3、生長高溫GaN緩沖層，具體為：

在低溫GaN成核層，停止通入TMGa，進行原位退火處理，退火溫度升高至1000℃-1100℃，退火時間為5min-10min；

退火完成之后，將溫度調(diào)節(jié)至900℃-1050℃，繼續(xù)通入TMGa，外延生長厚度為0.2μm-1μm的高溫GaN緩沖層，生長壓力為400Torr-650Torr。

4、生長非摻雜u-GaN層，具體為：

在高溫GaN緩沖層生長結(jié)束后，通入NH₃和TMGa，升高溫度到1050℃-1200℃，保持反應腔壓力100Torr-500Torr，持續(xù)生長厚度為1μm-3μm的非摻雜u-GaN層。

5、生長摻雜濃度穩(wěn)定的n-GaN層，具體為：

在非摻雜u-GaN層生長結(jié)束后，通入NH₃、TMGa和SiH₄，生長一層摻雜濃度穩(wěn)定的n-GaN層，生長厚度為2μm-4μm，生長溫度為1050-1200℃，生長壓力為100-600Torr，Si摻雜濃度為8E18atoms/cm³-2E19atoms/cm³。

6、生長多量子阱發(fā)光層，具體為：

在摻雜濃度穩(wěn)定的n-GaN層生長結(jié)束后，降低溫度至700℃-800℃，保持反應腔壓力100mbar-500mbar，生長厚度為2nm-5nm的In_yGa_(1-y)N阱層，y＝0.1-0.3，

升高溫度達到800℃-950℃，生長壓力為100mbar-500mbar，生長厚度為8nm-15nm的GaN磊層，在GaN磊層摻雜Si，Si摻雜濃度為8E16atoms/cm³-6E17atoms/cm³；

交替生長所述In_yGa_(1-y)N阱層和所述GaN磊層，生長周期為5-15，形成In_yGa_(1-y)N/GaN發(fā)光層，

生長過程中所用的MO源為TEGa、TMIn及SiH₄。

7、生長p型AlGaN層，具體為：

在多量子阱發(fā)光層生長完成后，保持反應腔壓力20Torr-200Torr、升高溫度至900℃-1100℃，持續(xù)生長摻雜Al和Mg的厚度為50nm-200nm的p型AlGaN層，其中：

Al的摩爾組分為10％-30％，Mg摻雜濃度為1E18atoms/cm³-1E21atoms/cm³，

生長過程中通入的MO源為TMAl、TMGa和CP₂Mg。

8、生長高溫p型GaN層，具體為：

p型AlGaN層生長完成后，保持反應腔壓力100Torr-500Torr、溫度850℃-1000℃，持續(xù)生長厚度為100nm-800nm的摻Mg的高溫p型GaN層，其中：

Mg摻雜濃度為1E18atoms/cm³-1E21atoms/cm³，通入的MO源為TMGa和CP₂Mg。

9、生長In_xGa_1-xN:Zn/In_xGa_1-xN:Si接觸層，具體為：

控制生長溫度為850℃-1050℃，生長壓力為100Torr-500Torr，通入300sccm-700sccm的TEGa、900sccm-1300sccm的TMIn、1000sccm-1500sccm DMZn及30000sccm-60000sccm的NH₃，先生長厚度為1nm-20nm的摻雜Zn的In_xGa_1-xN層，X＝0-1，其中，Zn摻雜濃度為1E17atoms/cm³-1E20atoms/cm³，In在In、Ga、N、Zn四種原子中所占的摩爾組分控制為3-30％，形成In_xGa_1-xN:Zn層；

在生長完In_xGa_1-xN:Zn層后，保持生長溫度和生長壓力不變，繼續(xù)通入300sccm-700sccm的TEGa、900sccm-1300sccm的TMIn、30000sccm-60000sccm的NH₃及800sccm-1300sccm SiH₄，接著生長厚度為1nm-10nm的摻雜Si的In_xGa_1-xN層，X＝0-1，其中，Si的摻雜濃度為1E19atoms/cm³-1E22atoms/cm³，In在In、Ga、N、Si四種原子中所占的摩爾組分控制為3-30％，形成In_xGa_1-xN:Si層。

10、降溫冷卻，具體為：

將反應腔降溫至650℃-800℃，采用純氮氣氛圍進行退火處理5min-10min，然后將至室溫，結(jié)束生長。

外延結(jié)構(gòu)經(jīng)過清洗、沉積、光刻和刻蝕等后續(xù)半導體加工工藝，制成單顆小尺寸芯片。

本申請的發(fā)明重點在于上述第9步的生長，在高溫p型GaN層生長完之后，生長一層In_xGa_1-xN:Zn/In_xGa_1-xN:Si接觸層來取代原來的Mg:GaN接觸層，通過In_xGa_1-xN:Zn/In_xGa_1-xN:Si材料,來調(diào)整與AZO薄膜材料的勢壘高度差，同時重摻雜能讓半導體耗盡區(qū)變窄，使載流子有更多機會隧穿，以匹配ZnO∶Al(AZO)透明導電薄膜電流擴展層，來降低接觸電阻，從而降低LED芯片的工作電壓。

實施例3

以下提供對比實施例1，即傳統(tǒng)LED外延層的生長方法。

傳統(tǒng)LED外延層的生長方法為(外延層結(jié)構(gòu)參見圖2)：

1、在1050℃-1150℃的H₂氣氛下，將藍寶石進行退火處理并清潔襯底表面。

2、降溫至500℃-620℃，通入NH₃和TMGa，保持反應腔壓力400mbar-650mbar，在藍寶石襯底上生長厚度為20nm-40nm的低溫GaN成核層。

3、在低溫GaN成核層，停止通入TMGa，進行原位退火處理，退火溫度升高至1000℃-1100℃，退火時間為5min-10min；退火完成之后，將溫度調(diào)節(jié)至900℃-1050℃，繼續(xù)通入TMGa，外延生長厚度為0.2μm-1μm的高溫GaN緩沖層，生長壓力為400Torr-650Torr。

4、在高溫GaN緩沖層生長結(jié)束后，通入NH₃和TMGa，升高溫度到1050℃-1200℃，保持反應腔壓力100Torr-500Torr，持續(xù)生長厚度為1μm-3μm的非摻雜u-GaN層。

5、在非摻雜u-GaN層生長結(jié)束后，通入NH₃、TMGa和SiH₄，生長一層摻雜濃度穩(wěn)定的n-GaN層，生長厚度為2μm-4μm，生長溫度為1050-1200℃，生長壓力為100-600Torr，Si摻雜濃度為8E18atoms/cm³-2E19atoms/cm³。

6、在摻雜濃度穩(wěn)定的n-GaN層生長結(jié)束后，降低溫度至700℃-800℃，保持反應腔壓力100mbar-500mbar，生長厚度為2nm-5nm的In_yGa_(1-y)N阱層，y＝0.1-0.3，

升高溫度達到800℃-950℃，生長壓力為100mbar-500mbar，生長厚度為8nm-15nm的GaN磊層，在GaN磊層摻雜Si，Si摻雜濃度為8E16atoms/cm³-6E17atoms/cm³；

交替生長所述In_yGa_(1-y)N阱層和所述GaN磊層，生長周期為5-15，形成In_yGa_(1-y)N/GaN發(fā)光層，

生長過程中所用的MO源為TEGa、TMIn及SiH₄。

7、然后降溫至900℃-950℃，保持反應腔壓力200mbar-300mbar，生長厚度為50nm-200nm的摻Mg的高溫P型GaN層，Mg摻雜濃度為1E19atoms/cm³-3E19atoms/cm³。

8、在多量子阱發(fā)光層生長完成后，保持反應腔壓力20Torr-200Torr、升高溫度至900℃-1100℃，持續(xù)生長摻雜Al和Mg的厚度為50nm-200nm的p型AlGaN層，其中：Al的摩爾組分為10％-30％，Mg摻雜濃度為1E18atoms/cm³-1E21atoms/cm³，生長過程中通入的MO源為TMAl、TMGa和CP₂Mg。

9、p型AlGaN層生長完成后，保持反應腔壓力100Torr-500Torr、溫度850℃-1050℃，持續(xù)生長厚度為5nm-20nm的摻Mg的高溫p型GaN接觸層，其中：Mg摻雜濃度為1E19atoms/cm³-1E22atoms/cm³，通入的MO源為TMGa和CP₂Mg。

10、外延生長結(jié)束后，將反應室的溫度降至650℃-800℃，采用純氮氣氛圍進行退火處理5min-10min，然后將至室溫，結(jié)束生長。

外延結(jié)構(gòu)經(jīng)過清洗、沉積、光刻和刻蝕等后續(xù)半導體加工工藝制成單顆小尺寸芯片。

根據(jù)傳統(tǒng)的LED的生長方法(實施例3的方法)制備樣品1，根據(jù)本專利描述的方法制備樣品2、樣品3；樣品1和樣品2、樣品3外延生長方法參數(shù)不同點在于生長接觸層的生長方式不一樣，其它外延層生長條件完全一樣，請參考表1。樣品1和樣品2、樣品3在相同的前工藝條件下鍍ZnO∶Al(AZO)透明導電薄膜來做電流擴展層，然后在相同的條件下將樣品研磨切割成762μm*762μm(30mi*30mil)的芯片顆粒，然后樣品1和樣品2、樣品3在相同位置各自挑選150顆晶粒，在相同的封裝工藝下，封裝成白光LED。然后采用積分球在驅(qū)動電流350mA條件下測試樣品1和樣品2、樣品3的光電性能，得到的參數(shù)參見圖3和圖4。

表1樣品1、2產(chǎn)品生長參數(shù)比較

表1中，樣品1采用傳統(tǒng)生長方式，生長的接觸層為Mg:GaN結(jié)構(gòu)；樣品2和樣品3采用本發(fā)明的生長方式，生長的接觸層為In_xGa_1-xN:Zn/In_xGa_1-xN:Si結(jié)構(gòu)。

結(jié)合表1、圖3-圖4的數(shù)據(jù)可得出以下結(jié)論：

從圖3數(shù)據(jù)得出，樣品2較樣品1驅(qū)動電壓從3.4-3.45v降低至3.25-3.3v左右，樣品3較樣品1驅(qū)動電壓從3.4-3.45V降低至3.2-3.25v左右。從圖4數(shù)據(jù)得出，樣品1和樣品2、樣品3的亮度相差不多，都在530mw附近。

因此，本專利提供的生長方法能降低LED的驅(qū)動電壓。

通過以上各實施例可知，本申請存在的有益效果是：

本發(fā)明匹配AZO薄膜的LED外延生長方法中，在高溫p型GaN層生長完成之后，生長一層In_xGa_1-xN:Zn/In_xGa_1-xN:Si接觸層來取代原來的Mg:GaN接觸層，通過In_xGa_1-xN:Zn/In_xGa_1-xN:Si材料,來調(diào)整與AZO薄膜材料的勢壘高度差，同時重摻雜能讓半導體耗盡區(qū)變窄，使載流子有更多機會隧穿，以匹配ZnO∶Al(AZO)透明導電薄膜電流擴展層，來降低接觸電阻，從而降低LED芯片的工作電壓。

本領域內(nèi)的技術人員應明白，本申請的實施例可提供為方法、裝置、或計算機程序產(chǎn)品。因此，本申請可采用完全硬件實施例、完全軟件實施例、或結(jié)合軟件和硬件方面的實施例的形式。而且，本申請可采用在一個或多個其中包含有計算機可用程序代碼的計算機可用存儲介質(zhì)(包括但不限于磁盤存儲器、CD-ROM、光學存儲器等)上實施的計算機程序產(chǎn)品的形式。

上述說明示出并描述了本申請的若干優(yōu)選實施例，但如前所述，應當理解本申請并非局限于本文所披露的形式，不應看作是對其他實施例的排除，而可用于各種其他組合、修改和環(huán)境，并能夠在本文所述發(fā)明構(gòu)想范圍內(nèi)，通過上述教導或相關領域的技術或知識進行改動。而本領域人員所進行的改動和變化不脫離本申請的精神和范圍，則都應在本申請所附權(quán)利要求的保護范圍內(nèi)。