技術(shù)特征：

1.一種匹配AZO薄膜的LED外延生長方法，其特征在于，依次包括：處理襯底、生長低溫GaN成核層、生長高溫GaN緩沖層、生長非摻雜u-GaN層、生長摻雜濃度穩(wěn)定的n-GaN層、生長多量子阱發(fā)光層、生長p型AlGaN層、生長高溫p型GaN層、生長In_xGa_1-xN:Zn/In_xGa_1-xN:Si接觸層、降溫冷卻，其中：

所述生長In_xGa_1-xN:Zn/In_xGa_1-xN:Si接觸層，進(jìn)一步為：

控制生長溫度為850℃-1050℃，生長壓力為100Torr-500Torr，通入300sccm-700sccm的TEGa、900sccm-1300sccm的TMIn、1000sccm-1500sccmDMZn及30000sccm-60000sccm的NH₃，先生長厚度為1nm-20nm的摻雜Zn的In_xGa_1-xN層，X＝0-1，其中，Zn摻雜濃度為1E17atoms/cm³-1E20atoms/cm³，In在In、Ga、N、Zn四種原子中所占的摩爾組分控制為3-30％，形成In_xGa_1-xN:Zn層；

在生長完In_xGa_1-xN:Zn層后，保持生長溫度和生長壓力不變，繼續(xù)通入300sccm-700sccm的TEGa、900sccm-1300sccm的TMIn、30000sccm-60000sccm的NH₃及800sccm-1300sccm SiH₄，接著生長厚度為1nm-10nm的摻雜Si的In_xGa_1-xN層，X＝0-1，其中，Si的摻雜濃度為1E19atoms/cm³-1E22atoms/cm³，In在In、Ga、N、Si四種原子中所占的摩爾組分控制為3-30％，形成In_xGa_1-xN:Si層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述匹配AZO薄膜的LED外延生長方法，其特征在于，

所述處理襯底，進(jìn)一步為：

在1050℃-1150℃的H₂氣氛下，將藍(lán)寶石進(jìn)行退火處理并清潔襯底表面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述匹配AZO薄膜的LED外延生長方法，其特征在于，

所述生長低溫GaN成核層，進(jìn)一步為：

降溫至500℃-620℃，通入NH₃和TMGa，保持反應(yīng)腔壓力400mbar-650mbar，在藍(lán)寶石襯底上生長厚度為20nm-40nm的低溫GaN成核層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述匹配AZO薄膜的LED外延生長方法，其特征在于，

所述生長高溫GaN緩沖層，進(jìn)一步為：

在低溫GaN成核層，停止通入TMGa，進(jìn)行原位退火處理，退火溫度升高至1000℃-1100℃，退火時(shí)間為5min-10min；

退火完成之后，將溫度調(diào)節(jié)至900℃-1050℃，繼續(xù)通入TMGa，外延生長厚度為0.2μm-1μm的高溫GaN緩沖層，生長壓力為400Torr-650Torr。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述匹配AZO薄膜的LED外延生長方法，其特征在于，

所述生長非摻雜u-GaN層，進(jìn)一步為：

在高溫GaN緩沖層生長結(jié)束后，通入NH₃和TMGa，升高溫度到1050℃-1200℃，保持反應(yīng)腔壓力100Torr-500Torr，持續(xù)生長厚度為1μm-3μm的非摻雜u-GaN層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述匹配AZO薄膜的LED外延生長方法，其特征在于，

所述生長摻雜濃度穩(wěn)定的n-GaN層，進(jìn)一步為：

在非摻雜u-GaN層生長結(jié)束后，通入NH₃、TMGa和SiH₄，生長一層摻雜濃度穩(wěn)定的n-GaN層，生長厚度為2μm-4μm，生長溫度為1050-1200℃，生長壓力為100-600Torr，Si摻雜濃度為8E18atoms/cm³-2E19atoms/cm³。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述匹配AZO薄膜的LED外延生長方法，其特征在于，

所述生長多量子阱發(fā)光層，進(jìn)一步為：

在摻雜濃度穩(wěn)定的n-GaN層生長結(jié)束后，降低溫度至700℃-800℃，保持反應(yīng)腔壓力100mbar-500mbar，生長厚度為2nm-5nm的In_yGa_(1-y)N阱層，y＝0.1-0.3，

升高溫度達(dá)到800℃-950℃，生長壓力為100mbar-500mbar，生長厚度為8nm-15nm的GaN磊層，在GaN磊層摻雜Si，Si摻雜濃度為8E16atoms/cm³-6E17atoms/cm³；

交替生長所述In_yGa_(1-y)N阱層和所述GaN磊層，生長周期為5-15，形成In_yGa_(1-y)N/GaN發(fā)光層，

生長過程中所用的三種MO源為TEGa、TMIn及SiH₄。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述匹配AZO薄膜的LED外延生長方法，其特征在于，

所述生長p型AlGaN層，進(jìn)一步為：

在多量子阱發(fā)光層生長完成后，保持反應(yīng)腔壓力20Torr-200Torr、升高溫度至900℃-1100℃，持續(xù)生長摻雜Al和Mg的厚度為50nm-200nm的p型AlGaN層，其中：

Al在Al、Ga、N、Mg四種原子中所占的摩爾組分為10％-30％，Mg摻雜濃度為1E18atoms/cm³-1E21atoms/cm³，

生長過程中通入的三種MO源為TMAl、TMGa和CP₂Mg。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述匹配AZO薄膜的LED外延生長方法，其特征在于，

所述生長高溫p型GaN層，進(jìn)一步為：

p型AlGaN層生長完成后，保持反應(yīng)腔壓力100Torr-500Torr、溫度850℃-1000℃，持續(xù)生長厚度為100nm-800nm的摻Mg的高溫p型GaN層，其中：

Mg摻雜濃度為1E18atoms/cm³-1E21atoms/cm³，通入的MO源為TMGa和CP₂Mg。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述匹配AZO薄膜的LED外延生長方法，其特征在于，

所述降溫冷卻，進(jìn)一步為：將反應(yīng)腔降溫至650℃-800℃，采用純氮?dú)夥諊M(jìn)行退火處理5min-10min，然后將至室溫，結(jié)束生長。