技術總結
本申請公開了一種匹配AZO薄膜的LED外延生長方法，依次包括：處理襯底、生長低溫GaN成核層、生長高溫GaN緩沖層、生長非摻雜u?GaN層、生長摻雜濃度穩(wěn)定的n?GaN層、生長多量子阱發(fā)光層、生長p型AlGaN層、生長高溫p型GaN層、生長InxGa1?xN:Zn/InxGa1?xN:Si接觸層、降溫冷卻。如此方案，將LED外延最后的接觸層設計為InxGa1?xN:Zn/InxGa1?xN:Si結構，以匹配ZnO∶Al(AZO)透明導電薄膜電流擴展層，有效降低了接觸電阻，從而有利于降低LED芯片的工作電壓。

技術研發(fā)人員：林傳強;徐平
受保護的技術使用者：湘能華磊光電股份有限公司
文檔號碼：201610854692
技術研發(fā)日：2016.09.27
技術公布日：2017.01.04