本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種摻雜的氧化鋯薄膜、QLED及制備方法。

背景技術(shù)：

目前QLED器件中，ZnO和TiO₂作為無(wú)機(jī)電子注入層，被廣泛應(yīng)用在顯示器件中，并且使得器件的性能得到了提高。而氧化鋯和氧化鈦是同族的氧化物，但時(shí)其在QLED中的應(yīng)用鮮有報(bào)道。

目前氧化鋯無(wú)法應(yīng)用于QLED的一個(gè)重要原因是氧化鋯的能級(jí)與不同的量子點(diǎn)能級(jí)不相匹配，并且氧化鋯的電子遷移率較低，所以不適合應(yīng)用到各種量子點(diǎn)的顯示器件中。

因此，現(xiàn)有技術(shù)還有待于改進(jìn)和發(fā)展。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種摻雜的氧化鋯薄膜、QLED及制備方法，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中氧化鋯無(wú)法應(yīng)用在QLED的問(wèn)題。

本發(fā)明的技術(shù)方案如下：

一種摻雜的氧化鋯薄膜的制備方法，其中，包括步驟：

在鋯的醇鹽中加入鈮的醇鹽、鈦的醇鹽、乙醇胺、二乙醇胺或者乙二醇胺，然后將混合液沉積到含有底電極的襯底上，再退火處理，以在含有底電極的襯底上生成摻雜的氧化鋯薄膜。

所述的摻雜的氧化鋯薄膜的制備方法，其中，退火溫度為250~350℃，退火時(shí)間為20~80min。

所述的摻雜的氧化鋯薄膜的制備方法，其中，摻雜元素占摻雜元素與鋯元素之和的摩爾百分比為0.5-10%，其中摻雜元素為鈮、鈦或氮。

一種摻雜的氧化鋯薄膜，其中，采用如上所述的制備方法制成。

所述的摻雜的氧化鋯薄膜，其中，所述氧化鋯薄膜厚度為30~40nm。

一種QLED的制備方法，其中，包括：

A、在鋯的醇鹽中加入鈮的醇鹽、鈦的醇鹽、乙醇胺、二乙醇胺或者乙二醇胺，然后將混合液沉積到含有底電極的襯底上，再退火處理，以在含有底電極的襯底上生成摻雜的氧化鋯薄膜；

B、在氧化鋯薄膜表面沉積量子點(diǎn)發(fā)光層；

C、在量子點(diǎn)發(fā)光層表面沉積空穴傳輸層；

D、在空穴傳輸層上制作頂電極。

一種QLED，其中，從下至上依次包括：襯底、底電極、氧化鋯薄膜、量子點(diǎn)發(fā)光層、空穴傳輸層和頂電極，其中所述的氧化鋯薄膜為如上所述的氧化鋯薄膜。

所述的QLED，其中，所述量子點(diǎn)發(fā)光層的材料為紅色量子點(diǎn)、綠色量子點(diǎn)、藍(lán)色量子點(diǎn)、黃色量子點(diǎn)、紅外光量子點(diǎn)和紫外光量子點(diǎn)中的一種或多種。

所述的QLED，其中，所述空穴傳輸層的材料為T(mén)FB、PVK、Poly-TPD、TCTA、CBP、PEODT：PSS、MoO₃、WoO₃、NiO、CuO、V₂O₅、CuS中的一種或多種。

所述的QLED，其中，所述頂電極為Ag、Al、Cu、Au或合金電極。

有益效果：本發(fā)明通過(guò)在氧化鋯中摻雜氮、鈦或者鈮元素使得氧化鋯中產(chǎn)生更多的施主中心，進(jìn)而提高氧化鋯的電子遷移率；同時(shí)通過(guò)將氧化鋯中摻雜其它元素，也可以改變氧化鋯功函數(shù)，使其可匹配更多的量子點(diǎn)能級(jí)，可廣泛應(yīng)用在QLED器件中。采用摻雜的氧化鋯薄膜制備的QLED器件，效率更高，器件性能也得到提升。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明一種QLED的制備方法較佳實(shí)施例的流程圖。

圖2為本發(fā)明一種QLED較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明提供一種摻雜的氧化鋯薄膜、QLED及制備方法，為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及效果更加清楚、明確，以下對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

本發(fā)明還提供一種摻雜的氧化鋯薄膜的制備方法，其包括步驟：

在鋯的醇鹽中加入鈮的醇鹽、鈦的醇鹽、乙醇胺、二乙醇胺或者乙二醇胺，然后將混合液沉積到含有底電極的襯底上，再退火處理，以在含有底電極的襯底上生成摻雜的氧化鋯薄膜。

本發(fā)明摻雜的氧化鋯薄膜制備方法簡(jiǎn)單易行，且由于摻雜了鈮、鈦或氮等元素，可使氧化鋯產(chǎn)生更多的施主中心，從而提高氧化鋯的電子遷移率，同時(shí)通過(guò)摻雜其他元素，可以改變氧化鋯功函數(shù)，從而使氧化鋯可以匹配更多的量子點(diǎn)能級(jí)，更易應(yīng)用在QLED器件當(dāng)中。

具體來(lái)說(shuō)，可以將鋯的醇鹽加入到醇中，然后加入鈮的醇鹽、鈦的醇鹽、乙醇胺、二乙醇胺或者乙二醇胺，然后通過(guò)退火使鋯的醇鹽發(fā)生水解反應(yīng)生成氧化鋯，同時(shí)還摻雜其他摻雜元素。進(jìn)一步，退火溫度為250~350℃，退火時(shí)間為20~40min，在該退火條件下，可使水解反應(yīng)更充分，且摻雜更均勻。

進(jìn)一步，摻雜元素占摻雜元素與鋯元素之和的摩爾百分比為0.5-10%，其中摻雜元素為鈮、鈦或氮。也就是說(shuō)，按摩爾比計(jì)，摻雜元素/（摻雜元素+鋯元素）=0.005-0.1:1，此條件下，可提高氧化鋯的電子遷移率，且可匹配更多的量子點(diǎn)能級(jí)。

本發(fā)明還提供一種摻雜的氧化鋯薄膜，其采用如上所述的制備方法制成。所述氧化鋯薄膜厚度優(yōu)選為30~40nm，例如為35nm。

本發(fā)明還提供一種QLED的制備方法較佳實(shí)施例，如圖1所示，其包括：

S1、在鋯的醇鹽中加入鈮的醇鹽、鈦的醇鹽、乙醇胺、二乙醇胺或者乙二醇胺，然后將混合液沉積到含有底電極的襯底上，再退火處理，以在含有底電極的襯底上生成摻雜的氧化鋯薄膜；

S2、在氧化鋯薄膜表面沉積量子點(diǎn)發(fā)光層；

S3、在量子點(diǎn)發(fā)光層表面沉積空穴傳輸層；

S4、在空穴傳輸層上制作頂電極。待制作頂電極后，對(duì)其進(jìn)行封裝，可以使用機(jī)器封裝也可以使用手動(dòng)方式封裝。

其中的步驟S1在前述已有說(shuō)明。

在步驟S2中，所述量子點(diǎn)發(fā)光層的材料為紅色量子點(diǎn)、綠色量子點(diǎn)、藍(lán)色量子點(diǎn)、黃色量子點(diǎn)、紅外光量子點(diǎn)和紫外光量子點(diǎn)中的一種或多種。

所述空穴傳輸層的材料為T(mén)FB、PVK、Poly-TPD、TCTA、CBP、PEODT：PSS、MoO₃、WoO₃、NiO、CuO、V₂O₅、CuS中的一種或多種。

所述頂電極為Ag、Al、Cu、Au或合金電極。

本發(fā)明還提供一種QLED較佳實(shí)施例，如圖2所示，從下至上依次包括：襯底10、底電極11、氧化鋯薄膜12、量子點(diǎn)發(fā)光層13、空穴傳輸層14和頂電極15，其中所述的氧化鋯薄膜12為前述的氧化鋯薄膜。所述量子點(diǎn)發(fā)光層的材料為紅色量子點(diǎn)、綠色量子點(diǎn)、藍(lán)色量子點(diǎn)、黃色量子點(diǎn)、紅外光量子點(diǎn)和紫外光量子點(diǎn)中的一種或多種。所述空穴傳輸層的材料為T(mén)FB、PVK、Poly-TPD、TCTA、CBP、PEODT：PSS、MoO₃、WoO₃、NiO、CuO、V₂O₅、CuS中的一種或多種。所述頂電極為Ag、Al、Cu、Au或合金電極。

實(shí)施例1

在正丁醇鋯中加入正丁醇（也可以是其他醇，例如在正丁醇鋯中加入異丁醇或乙醇等等，或者是將異丁醇鋯加入異丁醇或者將乙醇鋯加入乙醇），使其濃度稀釋到0.25mol/L，然后在10ml該濃度溶液中加入0.025mmol的乙醇鈮溶液，然后通過(guò)旋涂（如3000rpm的轉(zhuǎn)速）的方法沉積到含有底電極的襯底上，再在350℃溫度條件下退火20min，即可生成鈮摻雜氧化鋯薄膜。通過(guò)改變旋涂的轉(zhuǎn)速可以改變氧化鋯的厚度。

實(shí)施例2

將正丁醇鋯通過(guò)加入正丁醇，使其濃度稀釋到0.25mol/L，然后在10ml該濃度溶液中加入0.125mmol的單乙醇胺溶液，然后通過(guò)旋涂的方法沉積到含有底電極的襯底上，再在300℃溫度條件下退火30min，即可生成氮摻雜氧化鋯薄膜。通過(guò)改變旋涂的轉(zhuǎn)速可以改變氧化鋯的厚度。

實(shí)施例3

將正丁醇鋯通過(guò)加入正丁醇，使其濃度稀釋到0.25mol/L，然后在10ml該濃度溶液中加入0.025mmol的四異丙醇鈦溶液，然后通過(guò)旋涂的方法沉積到含有底電極的襯底上，再在250℃溫度條件下退火40min，即可生成鈦摻雜氧化鋯薄膜。通過(guò)改變旋涂的轉(zhuǎn)速可以改變氧化鋯的厚度。

上述實(shí)施例均是在空氣中進(jìn)行，也可在手套箱中進(jìn)行，在手套箱中水分含量極低（＜1ppm）。上述實(shí)施例制得的氧化鋯薄膜用于制作QLED器件，可提高QLED器件的效率。

綜上所述，本發(fā)明通過(guò)在氧化鋯中摻雜氮、鈦或者鈮元素使得氧化鋯中產(chǎn)生更多的施主中心，進(jìn)而提高氧化鋯的電子遷移率；同時(shí)通過(guò)將氧化鋯中摻雜其它元素，也可以改變氧化鋯功函數(shù)，使其可匹配更多的量子點(diǎn)能級(jí)，可廣泛應(yīng)用在QLED器件中。

應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明的應(yīng)用不限于上述的舉例，對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)上述說(shuō)明加以改進(jìn)或變換，所有這些改進(jìn)和變換都應(yīng)屬于本發(fā)明所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍。