本申請涉及LED外延設(shè)計(jì)應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域，具體地說，涉及一種LED外延生長方法。

背景技術(shù)：

目前LED(Light Emitting Diode，發(fā)光二極管)是一種固體照明，體積小、耗電量低使用壽命長高亮度、環(huán)保、堅(jiān)固耐用等優(yōu)點(diǎn)受到廣大消費(fèi)者認(rèn)可，國內(nèi)生產(chǎn)LED的規(guī)模也在逐步擴(kuò)大；市場上對LED亮度和光效的需求與日俱增，客戶關(guān)注的是LED更省電，亮度更高、光效更好，這就為LED外延生長提出了更高的要求；如何生長更好的外延片日益受到重視，因?yàn)橥庋訉泳w質(zhì)量的提高，LED器件的性能可以得到提升，LED的發(fā)光效率、壽命、抗老化能力、抗靜電能力、穩(wěn)定性會(huì)隨著外延層晶體質(zhì)量的提升而提升。

目前，LED市場上現(xiàn)在要求LED芯片驅(qū)動(dòng)電壓低，特別是大電流下驅(qū)動(dòng)電壓越小越好、光效越高越好；LED市場價(jià)值的體現(xiàn)為(光效)/單價(jià)，光效越好，價(jià)格越高，所以LED高光效一直是LED廠家和院校LED研究所所追求的目標(biāo)。高光效意味著光功率高、驅(qū)動(dòng)電壓低，但光功率一定程度上受到P層空穴濃度的限制，驅(qū)動(dòng)電壓一定程度上受到P層空穴遷移率的限制，注入的空穴濃度增加，發(fā)光層空穴和電子的復(fù)合效率增加，高光功率增加，P層空穴遷移率增加驅(qū)動(dòng)電壓才能降低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本申請所要解決的技術(shù)問題是提供了一種LED外延生長方法，把傳統(tǒng)的P型GaN層，設(shè)計(jì)為低溫中溫高溫三層分段式結(jié)構(gòu)P型GaN層，目的是在最靠近量子阱的區(qū)域，先通過低溫生長，提供較多空穴進(jìn)入量子阱區(qū)域，接著中溫生長，提高空穴遷移率，最后通過高溫生長，提高材料結(jié)晶質(zhì)量，修補(bǔ)低溫生長的缺陷，從而提高整個(gè)量子阱區(qū)域的空穴注入水平，降低LED的工作電壓，提高LED的發(fā)光效率。

為了解決上述技術(shù)問題，本申請有如下技術(shù)方案：

一種LED外延生長方法，其特征在于，依次包括：處理襯底、生長低溫成核層GaN、生長高溫GaN緩沖層、生長非摻雜u-GaN層、生長摻雜Si的n-GaN層、生長發(fā)光層、生長P型AlGaN層、生長分段式P型GaN層、生長P型GaN接觸層、降溫冷卻，

所述生長分段式P型GaN層為：

保持生長溫度為700℃至800℃，生長壓力為100Torr至500Torr，生長厚度為10nm至100nm的第一P型GaN層，Mg摻雜濃度為1E18atoms/cm³至1E21atoms/cm³；

升高溫度至800℃至900℃，生長壓力為100Torr至500Torr，生長厚度為10nm至100nm的第二P型GaN層，Mg摻雜濃度為1E18atoms/cm³至1E21atoms/cm³；

升高溫度至900℃至1000℃，生長壓力為100Torr至500Torr，生長厚度為10nm至100nm的第三P型GaN層，Mg摻雜濃度為1E18atoms/cm³至1E21atoms/cm³；

其中，生長所述第一P型GaN層、生長所述第二P型GaN層和生長所述第三P型GaN層通入的MO源為TMGa和CP₂Mg。

優(yōu)選地，其中：

所述處理襯底，具體為：將藍(lán)寶石襯底在氫氣氣氛里進(jìn)行退火，清潔襯底表面，溫度為1050℃至1150℃。

優(yōu)選地，其中：

所述生長低溫成核層GaN和生長高溫GaN緩沖層，具體為：

降低溫度至500℃至620℃，保持反應(yīng)腔壓力400Torr至650Torr，通入NH₃和TMGa，在藍(lán)寶石襯底上生長厚度為20nm至40nm的低溫成核層GaN；

停止通入TMGa，進(jìn)行原位退火處理，退火溫度升高至1000℃至1100℃，退火時(shí)間為5min至10min；

退火之后，將溫度調(diào)節(jié)至900℃至1050℃，繼續(xù)通入TMGa，外延生長厚度為0.2μm至1μm的高溫GaN緩沖層，生長壓力控制在400Torr-650Torr。

優(yōu)選地，其中：

所述生長非摻雜u-GaN層，具體為：

升高溫度到1050℃至1200℃，保持反應(yīng)腔壓力100Torr-500Torr，通入NH₃和TMGa，持續(xù)生長厚度為1μm至3μm的非摻雜u-GaN層。

優(yōu)選地，其中：

所述生長摻雜Si的n-GaN層，具體為：

保持反應(yīng)腔溫度為1050℃至1200℃，保持反應(yīng)腔壓力為100Torr-600Torr，通入NH₃、TMGa和SiH₄，持續(xù)生長一層摻雜濃度穩(wěn)定的、厚度為2μm至4μm摻雜Si的n-GaN層，其中，Si摻雜濃度為8E18atoms/cm³-2E19atoms/cm³。

優(yōu)選地，其中：

所述生長發(fā)光層，具體為：

保持反應(yīng)腔壓力100Torr至500Torr、溫度700℃至800℃，所用MO源為TEGa、TMIn和SiH₄，生長摻雜In的厚度為2nm至5nm的量子阱層In_yGa_(1-y)N，y＝0.1至0.3；

接著升高溫度至800℃至950℃，保持反應(yīng)腔壓力100Torr至500Torr，所用MO源為TEGa、TMIn和SiH₄，生長厚度為8nm至15nm的壘層GaN，壘層GaN進(jìn)行Si摻雜，Si摻雜濃度為8E16atoms/cm³至6E17atoms/cm³；

重復(fù)In_yGa_(1-y)N的生長，然后重復(fù)GaN的生長，交替生長In_yGa_(1-y)N/GaN發(fā)光層，控制周期數(shù)為5至15個(gè)。

優(yōu)選地，其中：

所述生長P型AlGaN層，具體為：

保持反應(yīng)腔壓力20Torr至200Torr、溫度900℃至1100℃，通入MO源為TMAl、TMGa和CP₂Mg，持續(xù)生長厚度為50nm至200nm的P型AlGaN層，生長時(shí)間為3min至10min，Al的摩爾組分為10％至30％，Mg摻雜濃度1E18atoms/cm³-1E21atoms/cm³。

優(yōu)選地，其中：

所述生長P型GaN接觸層，具體為：

保持反應(yīng)腔壓力100Torr至500Torr、溫度850℃至1050℃，通入MO源為TEGa和CP₂Mg，持續(xù)生長厚度為5nm至20nm的摻雜Mg的P型GaN接觸層，Mg摻雜濃度1E19atoms/cm³-1E22atoms/cm³。

優(yōu)選地，其中：

所述降溫冷卻，具體為：

外延生長結(jié)束后，將反應(yīng)時(shí)的溫度降至650℃至800℃，采用純氮?dú)夥諊M(jìn)行退火處理5min至10min，然后降至室溫，結(jié)束生長。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本申請所述的方法，達(dá)到了如下效果：

第一、本發(fā)明LED外延生長方法，與傳統(tǒng)方法相比，把傳統(tǒng)的P型GaN層，設(shè)計(jì)為低溫中溫高溫三層分段式結(jié)構(gòu)P型GaN層，目的是在最靠近量子阱的區(qū)域，先通過低溫生長，提供較多空穴進(jìn)入量子阱區(qū)域，接著中溫生長，提高空穴遷移率，最后通過高溫生長，提高材料結(jié)晶質(zhì)量，修補(bǔ)低溫生長的缺陷，從而提高整個(gè)量子阱區(qū)域的空穴注入水平，降低LED的工作電壓，提高LED的發(fā)光效率。

第二、本發(fā)明LED外延生長方法，有利于提高大尺寸芯片的亮度，并降低了驅(qū)動(dòng)電壓。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對本申請的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請的一部分，本申請的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本申請，并不構(gòu)成對本申請的不當(dāng)限定。在附圖中：

圖1為本發(fā)明LED外延生長方法的流程圖；

圖2為本發(fā)明中LED外延層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為對比實(shí)施例中LED外延層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為采用發(fā)明方法制作的樣品和采用傳統(tǒng)方法制作的樣品的芯片亮度分布圖；

圖5為采用發(fā)明方法制作的樣品和采用傳統(tǒng)方法制作的樣品的芯片顆粒分布圖；

其中，1、基板，2、緩沖層GaN，3、u-GaN層，4、n-GaN層，5、發(fā)光層，6、P型AlGaN層，7、分段式P型GaN層，7.1、低溫P型GaN層，7.2、中溫P型GaN層，7.3、高溫P型GaN層，8、P型GaN接觸層；9、傳統(tǒng)P型GaN層。

具體實(shí)施方式

如在說明書及權(quán)利要求當(dāng)中使用了某些詞匯來指稱特定組件。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)可理解，硬件制造商可能會(huì)用不同名詞來稱呼同一個(gè)組件。本說明書及權(quán)利要求并不以名稱的差異來作為區(qū)分組件的方式，而是以組件在功能上的差異來作為區(qū)分的準(zhǔn)則。如在通篇說明書及權(quán)利要求當(dāng)中所提及的“包含”為一開放式用語，故應(yīng)解釋成“包含但不限定于”?！按笾隆笔侵冈诳山邮盏恼`差范圍內(nèi)，本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠在一定誤差范圍內(nèi)解決所述技術(shù)問題，基本達(dá)到所述技術(shù)效果。此外，“耦接”一詞在此包含任何直接及間接的電性耦接手段。因此，若文中描述一第一裝置耦接于一第二裝置，則代表所述第一裝置可直接電性耦接于所述第二裝置，或通過其他裝置或耦接手段間接地電性耦接至所述第二裝置。說明書后續(xù)描述為實(shí)施本申請的較佳實(shí)施方式，然所述描述乃以說明本申請的一般原則為目的，并非用以限定本申請的范圍。本申請的保護(hù)范圍當(dāng)視所附權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。

實(shí)施例1

本發(fā)明運(yùn)用VEECO MOCVD來生長高亮度GaN基LED外延片。采用高純H₂或高純N₂或高純H₂和高純N₂的混合氣體作為載氣，高純NH₃(NH₃純度99.999％)為N源，金屬有機(jī)源三甲基鎵(TMGa)和金屬有機(jī)緣三乙基鎵(TEGa)作為鎵源，三甲基銦(TMIn)作為銦源，N型摻雜劑為硅烷(SiH₄)，三甲基鋁(TMAl)作為鋁源，P型摻雜劑為二茂鎂(CP₂Mg)，襯底為(0001)面藍(lán)寶石，反應(yīng)壓力在100Torr到1000Torr之間。具體生長方式如下：

一種LED外延生長方法，參見圖1，依次包括：處理襯底、生長低溫成核層GaN、生長高溫GaN緩沖層、生長非摻雜u-GaN層、生長摻雜Si的n-GaN層、生長發(fā)光層、生長P型AlGaN層、生長分段式P型GaN層、生長P型GaN接觸層、降溫冷卻，

所述生長生長分段式P型GaN層為：

保持生長溫度為700℃至800℃，生長壓力為100Torr至500Torr，生長厚度為10nm至100nm的第一P型GaN層，Mg摻雜濃度為1E18atoms/cm³至1E21atoms/cm³；

升高溫度至800℃至900℃，生長壓力為100Torr至500Torr，生長厚度為10nm至100nm的第二P型GaN層，Mg摻雜濃度為1E18atoms/cm³至1E21atoms/cm³；

升高溫度至900℃至1000℃，生長壓力為100Torr至500Torr，生長厚度為10nm至100nm的第三P型GaN層，Mg摻雜濃度為1E18atoms/cm³至1E21atoms/cm³；

其中，生長所述第一P型GaN層、生長所述第二P型GaN層和生長所述第三P型GaN層通入的MO源為TMGa和CP₂Mg。

本發(fā)明上述LED外延生長方法，與傳統(tǒng)方法相比，與傳統(tǒng)方法相比，把傳統(tǒng)的P型GaN層，設(shè)計(jì)為低溫中溫高溫三層分段式結(jié)構(gòu)P型GaN層，目的是在最靠近量子阱的區(qū)域，先通過低溫生長，提供較多空穴進(jìn)入量子阱區(qū)域，接著中溫生長，提高空穴遷移率，最后通過高溫生長，提高材料結(jié)晶質(zhì)量，修補(bǔ)低溫生長的缺陷，從而提高整個(gè)量子阱區(qū)域的空穴注入水平，降低LED的工作電壓，提高LED的發(fā)光效率。

實(shí)施例2

以下提供本發(fā)明的LED外延生長方法的應(yīng)用實(shí)施例，其外延結(jié)構(gòu)參見圖2，生長方法參見圖1。運(yùn)用VEECO MOCVD來生長高亮度GaN基LED外延片。采用高純H₂或高純N₂或高純H₂和高純N₂的混合氣體作為載氣，高純NH₃(NH₃純度99.999％)為N源，金屬有機(jī)源三甲基鎵(TMGa)和金屬有機(jī)緣三乙基鎵(TEGa)作為鎵源，三甲基銦(TMIn)作為銦源，N型摻雜劑為硅烷(SiH₄)，三甲基鋁(TMAl)作為鋁源，P型摻雜劑為二茂鎂(CP₂Mg)，襯底為(0001)面藍(lán)寶石，反應(yīng)壓力在100Torr到1000Torr之間。具體生長方式如下：

步驟101、處理襯底：

將藍(lán)寶石襯底在氫氣氣氛里進(jìn)行退火，清潔襯底表面，溫度為1050℃至1150℃。

步驟102、生長低溫成核層GaN：

降低溫度至500℃至620℃，保持反應(yīng)腔壓力400Torr至650Torr，通入NH₃和TMGa，在藍(lán)寶石襯底上生長厚度為20nm至40nm的低溫成核層GaN。

步驟103，生長高溫GaN緩沖層：

停止通入TMGa，進(jìn)行原位退火處理，退火溫度升高至1000℃至1100℃，退火時(shí)間為5min至10min；

退火之后，將溫度調(diào)節(jié)至900℃至1050℃，繼續(xù)通入TMGa，外延生長厚度為0.2μm至1μm的高溫GaN緩沖層，生長壓力控制在400Torr-650Torr。

步驟104、生長非摻雜u-GaN層：

升高溫度到1050℃至1200℃，保持反應(yīng)腔壓力100Torr-500Torr，通入NH₃和TMGa，持續(xù)生長厚度為1μm至3μm的非摻雜u-GaN層。

步驟105、生長摻雜Si的n-GaN層：

保持反應(yīng)腔溫度為1050℃至1200℃，保持反應(yīng)腔壓力為100Torr-600Torr，通入NH₃、TMGa和SiH₄，持續(xù)生長一層摻雜濃度穩(wěn)定的、厚度為2μm至4μm摻雜Si的n-GaN層，其中，Si摻雜濃度為8E18atoms/cm³-2E19atoms/cm³。

本申請中，8E18代表8乘以10的18次方也就是8*10¹⁸，以此類推，atoms/cm³為摻雜濃度單位，下同。

步驟106、生長發(fā)光層：

保持反應(yīng)腔壓力100Torr至500Torr、溫度700℃至800℃，所用MO源為TEGa、TMIn和SiH₄，生長摻雜In的厚度為2nm至5nm的量子阱層In_yGa_(1-y)N，y＝0.1至0.3；

接著升高溫度至800℃至950℃，保持反應(yīng)腔壓力100Torr至500Torr，所用MO源為TEGa、TMIn和SiH₄，生長厚度為8nm至15nm的壘層GaN，壘層GaN進(jìn)行Si摻雜，Si摻雜濃度為8E16atoms/cm³至6E17atoms/cm³；

重復(fù)In_yGa_(1-y)N的生長，然后重復(fù)GaN的生長，交替生長In_yGa_(1-y)N/GaN發(fā)光層，控制周期數(shù)為5至15個(gè)。

步驟107、生長P型AlGaN層：

保持反應(yīng)腔壓力20Torr至200Torr、溫度900℃至1100℃，通入MO源為TMAl、TMGa和CP₂Mg，持續(xù)生長厚度為50nm至200nm的P型AlGaN層，生長時(shí)間為3min至10min，Al的摩爾組分為10％至30％，Mg摻雜濃度1E18atoms/cm³-1E21atoms/cm³。

步驟108、生長分段式P型GaN層：

保持生長溫度為700℃至800℃，生長壓力為100Torr至500Torr，生長厚度為10nm至100nm的第一P型GaN層，Mg摻雜濃度為1E18atoms/cm³至1E21atoms/cm³；

升高溫度至800℃至900℃，生長壓力為100Torr至500Torr，生長厚度為10nm至100nm的第二P型GaN層，Mg摻雜濃度為1E18atoms/cm³至1E21atoms/cm³；

升高溫度至900℃至1000℃，生長壓力為100Torr至500Torr，生長厚度為10nm至100nm的第三P型GaN層，Mg摻雜濃度為1E18atoms/cm³至1E21atoms/cm³；

其中，生長所述第一P型GaN層、生長所述第二P型GaN層和生長所述第三P型GaN層通入的MO源為TMGa和CP₂Mg。

步驟109、生長P型GaN接觸層：

保持反應(yīng)腔壓力100Torr至500Torr、溫度850℃至1050℃，通入MO源為TEGa和CP₂Mg，持續(xù)生長厚度為5nm至20nm的摻雜Mg的P型GaN接觸層，Mg摻雜濃度1E19atoms/cm³-1E22atoms/cm³。

步驟110、降溫冷卻：

外延生長結(jié)束后，將反應(yīng)時(shí)的溫度降至650℃至800℃，采用純氮?dú)夥諊M(jìn)行退火處理5min至10min，然后降至室溫，結(jié)束生長。

外延結(jié)構(gòu)經(jīng)過清洗、沉積、光刻和刻蝕等后續(xù)半導(dǎo)體加工工藝制成單顆小尺寸芯片。

實(shí)施例3

以下提供一種常規(guī)LED外延生長方法作為本發(fā)明的對比實(shí)施例。

常規(guī)LED外延的生長方法為(外延層結(jié)構(gòu)參見圖3)：

1、將藍(lán)寶石襯底在氫氣氣氛里進(jìn)行退火，清潔襯底表面，溫度為1050℃至1150℃。

2、降低溫度至500℃至620℃，保持反應(yīng)腔壓力400Torr至650Torr，通入NH₃和TMGa，在藍(lán)寶石襯底上生長厚度為20nm至40nm的低溫成核層GaN。

3、停止通入TMGa，進(jìn)行原位退火處理，退火溫度升高至1000℃至1100℃，退火時(shí)間為5min至10min；退火之后，將溫度調(diào)節(jié)至900℃至1050℃，繼續(xù)通入TMGa，外延生長厚度為0.2μm至1μm的高溫GaN緩沖層，生長壓力控制在400Torr-650Torr。

4、保升高溫度到1050℃至1200℃，保持反應(yīng)腔壓力100Torr-500Torr，通入NH₃和TMGa，持續(xù)生長厚度為1μm至3μm的非摻雜u-GaN層。

5、保持反應(yīng)腔溫度為1050℃至1200℃，保持反應(yīng)腔壓力為100Torr-600Torr，通入NH₃、TMGa和SiH₄，持續(xù)生長一層摻雜濃度穩(wěn)定的、厚度為2μm至4μm摻雜Si的n-GaN層，其中，Si摻雜濃度為8E18atoms/cm³-2E19atoms/cm³。

6、保持反應(yīng)腔壓力100Torr至500Torr、溫度700℃至800℃，所用MO源為TEGa、TMIn和SiH₄，生長摻雜In的厚度為2nm至5nm的量子阱層In_yGa_(1-y)N，y＝0.1至0.3；

接著升高溫度至800℃至950℃，保持反應(yīng)腔壓力100Torr至500Torr，所用MO源為TEGa、TMIn和SiH₄，生長厚度為8nm至15nm的壘層GaN，壘層GaN進(jìn)行Si摻雜，Si摻雜濃度為8E16atoms/cm³至6E17atoms/cm³；

重復(fù)In_yGa_(1-y)N的生長，然后重復(fù)GaN的生長，交替生長In_yGa_(1-y)N/GaN發(fā)光層，控制周期數(shù)為5至15個(gè)。

7、保持反應(yīng)腔壓力20Torr至200Torr、溫度900℃至1100℃，通入MO源為TMAl、TMGa和CP₂Mg，持續(xù)生長厚度為50nm至200nm的P型AlGaN層，生長時(shí)間為3min至10min，Al的摩爾組分為10％至30％，Mg摻雜濃度1E18atoms/cm³-1E21atoms/cm³。

8、保持反應(yīng)腔壓力100Torr至500Torr、溫度850℃至1000℃，通入MO源為TMGa和Cp₂Mg，持續(xù)生長厚度為100nm至800nm的P型GaN層，Mg摻雜濃度1E18atoms/cm³-1E21atoms/cm³。

9、保持反應(yīng)腔壓力100Torr至500Torr、溫度850℃至1050℃，通入MO源為TEGa和CP₂Mg，持續(xù)生長厚度為5nm至20nm的摻雜Mg的P型GaN接觸層，Mg摻雜濃度1E19atoms/cm³-1E22atoms/cm³。

10、外延生長結(jié)束后，將反應(yīng)時(shí)的溫度降至650℃至800℃，采用純氮?dú)夥諊M(jìn)行退火處理5min至10min，然后降至室溫，結(jié)束生長。

外延結(jié)構(gòu)經(jīng)過清洗、沉積、光刻和刻蝕等后續(xù)半導(dǎo)體加工工藝制成單顆小尺寸芯片。

在同一機(jī)臺(tái)上，根據(jù)常規(guī)的LED的生長方法(對比實(shí)施例的方法)制備樣品1，根據(jù)本專利描述的方法制備樣品2；樣品1和樣品2外延生長方法參數(shù)不同點(diǎn)在于P型GaN層的不同，本申請將P型GaN層設(shè)計(jì)為低溫-中溫-高溫生長的三層分段式結(jié)構(gòu)(實(shí)施例2中的步驟108)，常規(guī)方法中的p型GaN層參見對比實(shí)施例中的第8步，生長其它外延層的生長條件完全一樣。

樣品1和樣品2在相同的前工藝條件下鍍ITO層約150nm，相同的條件下鍍Cr/Pt/Au電極約70nm，相同的條件下鍍保護(hù)層SiO₂約30nm，然后在相同的條件下將樣品研磨切割成762μm*762μm(30mil*30mil)的芯片顆粒，然后樣品1和樣品2在相同位置各自挑選150顆晶粒，在相同的封裝工藝下，封裝成白光LED。然后采用積分球在驅(qū)動(dòng)電流350mA條件下測試樣品1和樣品2的光電性能。

表1為樣品1和樣品2的生長參數(shù)對比表。

表1樣品1和樣品2生長參數(shù)對比表

表1中，樣品1采用傳統(tǒng)生長方式生長，生長單層P型GaN層；樣品2采用本專利生長方式，將傳統(tǒng)P型GaN層替換為三段式生長，生長溫度分別為750℃、850℃和950℃。

將積分球獲得的數(shù)據(jù)進(jìn)行分析對比，請參考圖4和圖5，從圖4數(shù)據(jù)得出，樣品2與樣品1相比，亮度從550mw左右增加到了520mw；從圖5數(shù)據(jù)得出，樣品2與樣品1相比，驅(qū)動(dòng)電壓從3.32V降低到3.17V左右。因此可得出以下結(jié)論：

本專利提供的生長方法提高了大尺寸芯片的亮度，降低了驅(qū)動(dòng)電壓。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)證明了本專利的方案能顯著提升LED產(chǎn)品質(zhì)量的可行性。

通過以上各實(shí)施例可知，本申請存在的有益效果是：

第一、本發(fā)明LED外延生長方法，與傳統(tǒng)方法相比，把傳統(tǒng)的P型GaN層，設(shè)計(jì)為低溫中溫高溫三層分段式結(jié)構(gòu)P型GaN層，目的是在最靠近量子阱的區(qū)域，先通過低溫生長，提供較多空穴進(jìn)入量子阱區(qū)域，接著中溫生長，提高空穴遷移率，最后通過高溫生長，提高材料結(jié)晶質(zhì)量，修補(bǔ)低溫生長的缺陷，從而提高整個(gè)量子阱區(qū)域的空穴注入水平，降低LED的工作電壓，提高LED的發(fā)光效率。

第二、本發(fā)明LED外延生長方法，有利于提高大尺寸芯片的亮度，并降低了驅(qū)動(dòng)電壓。

本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員應(yīng)明白，本申請的實(shí)施例可提供為方法、裝置、或計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。因此，本申請可采用完全硬件實(shí)施例、完全軟件實(shí)施例、或結(jié)合軟件和硬件方面的實(shí)施例的形式。而且，本申請可采用在一個(gè)或多個(gè)其中包含有計(jì)算機(jī)可用程序代碼的計(jì)算機(jī)可用存儲(chǔ)介質(zhì)(包括但不限于磁盤存儲(chǔ)器、CD-ROM、光學(xué)存儲(chǔ)器等)上實(shí)施的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品的形式。

上述說明示出并描述了本申請的若干優(yōu)選實(shí)施例，但如前所述，應(yīng)當(dāng)理解本申請并非局限于本文所披露的形式，不應(yīng)看作是對其他實(shí)施例的排除，而可用于各種其他組合、修改和環(huán)境，并能夠在本文所述發(fā)明構(gòu)想范圍內(nèi)，通過上述教導(dǎo)或相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)或知識(shí)進(jìn)行改動(dòng)。而本領(lǐng)域人員所進(jìn)行的改動(dòng)和變化不脫離本申請的精神和范圍，則都應(yīng)在本申請所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。