技術總結
本申請公開了一種LED外延生長方法，依次包括：處理襯底、生長低溫成核層GaN、生長高溫GaN緩沖層、生長非摻雜u?GaN層、生長摻雜Si的n?GaN層、生長發(fā)光層、生長P型AlGaN層、生長分段式P型GaN層、生長P型GaN接觸層、降溫冷卻。所述生長分段式P型GaN層為：分別生長低溫型P型GaN層、中溫型P型GaN層和高溫型P型GaN層，其中，每層的生長壓力為100Torr至500Torr，生長厚度為10nm至100nm，Mg摻雜濃度為1E18atoms/cm3至1E21atoms/cm3。如此方案，有利于提高整個量子阱區(qū)域的空穴注入水平，降低LED的工作電壓，提高LED的發(fā)光效率。

技術研發(fā)人員：徐平
受保護的技術使用者：湘能華磊光電股份有限公司
文檔號碼：201710029549
技術研發(fā)日：2017.01.16
技術公布日：2017.05.31