1.一種QLED，其特征在于，包括透明基板，在所述透明基板上設置的陽極，以及在所述陽極上依次層疊設置的空穴傳輸層、量子點層、電子傳輸層和陰極，其中，所述陽極為PEDOT:PSS形成的陽極，且所述PEDOT:PSS為相分離的PEDOT:PSS。
2.如權利要求1所述的QLED，其特征在于，所述PEDOT:PSS的厚度為50-100nm。
3.如權利要求1所述的QLED，其特征在于，所述量子點層的厚度為30-50nm。
4.如權利要求1所述的QLED，其特征在于，所述電子傳輸層的厚度為10-100nm。
5.一種如權利要求1-4任一所述的QLED的制備方法，包括以下步驟：
提供一透明基板；
在所述透明基板上沉積PEDOT:PSS，將所述PEDOT:PSS去除溶劑后形成PEDOT:PSS薄膜，在加熱條件下，將所述PEDOT:PSS薄膜進行氫鹵酸滲透處理，制備陽極，其中，所述加熱的溫度為80-150℃；
在所述陽極上依次沉積空穴傳輸層、量子點層、電子傳輸層和陰極。
6.如權利要求5所述的QLED的制備方法，其特征在于，所述氫鹵酸的濃度為1-20mol/L。
7.如權利要求6所述的QLED的制備方法，其特征在于，所述氫鹵酸為HI溶液、HF溶液、HBr溶液中的至少一種。
8.如權利要求6所述的QLED的制備方法，其特征在于，所述氫鹵酸為HI溶液。
9.如權利要求5-8任一所述的QLED的制備方法，其特征在于，在沉積所述PEDOT:PSS前，還包括對所述透明基板進行清潔處理，所述清潔處理的方法為：
將所述透明基板依次分別置于丙酮、洗液、去離子水以及異丙醇中進行超聲清洗，每次超聲時間為10-20min，待超聲清洗完成后，將所述透明基板放置于潔凈烘箱內烘干備用。
10.如權利要求5-8任一所述的QLED的制備方法，其特征在于，將所述PEDOT:PSS去除溶劑的方法為：在80-200℃條件下加熱10-30min。