技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種LED芯片及其制造方法，LED芯片包括：襯底；位于所述襯底上的N型半導(dǎo)體層，N型半導(dǎo)體層上形成有N型臺面；位于所述N型半導(dǎo)體層上的發(fā)光層；位于所述發(fā)光層上的P型半導(dǎo)體層；位于所述P型半導(dǎo)體層上的電流阻擋層、以及位于P型半導(dǎo)體層上且覆蓋電流阻擋層的電流擴(kuò)散層；位于未被電流阻擋層與電流擴(kuò)散層覆蓋的P型半導(dǎo)體層上方且與P型半導(dǎo)體層電性連接的P電極、位于電流擴(kuò)散層上方且與P電極電性連接的擴(kuò)展電極、以及位于N型臺面上且與N型半導(dǎo)體層電性連接的N電極。本發(fā)明的P電極下方未設(shè)置電流阻擋層和電流擴(kuò)散層，P電極直接形成于P型半導(dǎo)體層上，增大了芯片電極的穩(wěn)定性，且可以提高芯片的亮度。

技術(shù)研發(fā)人員：李慶;張廣庚;王磊;孫豪;陳立人
受保護(hù)的技術(shù)使用者：聚燦光電科技股份有限公司
文檔號碼：201610790202
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.31
技術(shù)公布日：2016.11.16