1.一種LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括：
襯底；
位于所述襯底上的N型半導體層，N型半導體層上形成有N型臺面；
位于所述N型半導體層上的發(fā)光層；
位于所述發(fā)光層上的P型半導體層；
位于所述P型半導體層上的電流阻擋層、以及位于P型半導體層上且覆蓋電流阻擋層的電流擴散層；
位于未被電流阻擋層與電流擴散層覆蓋的P型半導體層上方且與P型半導體層電性連接的P電極、位于電流擴散層上方且與P電極電性連接的擴展電極、以及位于N型臺面上且與N型半導體層電性連接的N電極。
2.根據(jù)權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述電流擴散層的厚度為1~600?。
3.根據(jù)權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述電流阻擋層的平面面積大于所述擴展電極的平面面積。
4.根據(jù)權利要求3所述的LED芯片，其特征在于，所述擴展電極的正投影位于電流阻擋層內(nèi)。
5.根據(jù)權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述襯底為藍寶石、Si、SiC、GaN、ZnO中的一種。
6.根據(jù)權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述P型半導體層為P形GaN，所述N型半導體層為N型GaN，所述發(fā)光層為GaN或InGaN。
7.一種LED芯片的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：
提供一襯底；
在襯底上外延生長形成N型半導體層、發(fā)光層和P型半導體層；
刻蝕N型半導體層形成N型臺面；
在P型半導體層上形成電流阻擋層；
在電流阻擋層上形成覆蓋電流阻擋層的電流擴散層；
在未被電流阻擋層與電流擴散層覆蓋的P型半導體層上方形成與P型半導體層電性連接的P電極，在電流擴散層上方形成與P電極電性連接的擴展電極，在N型臺面上形成與N型半導體層電性連接的N電極。
8.根據(jù)權利要求7所述的LED芯片的制造方法，其特征在于，所述電流擴散層通過磁控濺射形成。
9.根據(jù)權利要求7所述的LED芯片的制造方法，其特征在于，所述電流擴散層的厚度為1~600?。
10.根據(jù)權利要求9所述的LED芯片的制造方法，其特征在于，所述方法還包括：
對電流擴散層進行退火處理。