技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及包括鉗位結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件。在半導(dǎo)體器件的實施例中，半導(dǎo)體本體(101)包括鉗位結(jié)構(gòu)(102)，其包括在第一接觸部(C11，C12)和第二接觸部(C21，C22)之間背對背串聯(lián)連接的pn結(jié)二極管(103)和肖特基結(jié)二極管(104)。pn結(jié)二極管(103)的擊穿電壓(Vbrpn)大于100V并且肖特基結(jié)二極管(104)的擊穿電壓(Vbrs)大于10V。

技術(shù)研發(fā)人員：R·巴布爾斯克;T·巴斯勒;T·基默;H-J·舒爾策;S·福斯
受保護的技術(shù)使用者：英飛凌科技奧地利有限公司
文檔號碼：201610765091
技術(shù)研發(fā)日：2016.07.15
技術(shù)公布日：2017.01.25