技術(shù)編號：12749656
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。包括鉗位結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件背景技術(shù)在半導(dǎo)體器件(例如，功率半導(dǎo)體器件諸如絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、絕緣柵場效應(yīng)晶體管(IGFET)，例如金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和雙極結(jié)型晶體管(BJT))中，在器件操作期間發(fā)生的過電壓可能在沒有足夠的保護(hù)措施的情況下?lián)p害半導(dǎo)體器件或電路部件。通過示例的方式，電磁爐中的IGBT可能經(jīng)受由主電源的不穩(wěn)定性引起的過電壓。提供一種用于晶體管的過電壓保護(hù)是所期望的。發(fā)明內(nèi)容由獨立權(quán)利要求的教導(dǎo)實現(xiàn)以上目的。在從屬權(quán)利要求中限定另外實施例。本公開涉及一...
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