1.一種半導(dǎo)體器件，包括：
半導(dǎo)體本體(101)，包括鉗位結(jié)構(gòu)(102)，所述鉗位結(jié)構(gòu)(102)包括在第一接觸部(C11，C12)和第二接觸部(C21，C22)之間背對背串聯(lián)連接的pn結(jié)二極管(103)和肖特基結(jié)二極管(104)，其中所述pn結(jié)二極管(103)的擊穿電壓(Vbrpn)大于100V并且所述肖特基結(jié)二極管(104)的擊穿電壓(Vbrs)大于10V。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述pn結(jié)二極管(103)和所述肖特基結(jié)二極管(104)共用了所述半導(dǎo)體本體(101)的至少一個半導(dǎo)體區(qū)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，電連接在所述肖特基結(jié)二極管(104)與第一和第二接觸部(C11，C12，C21，C22)中的一個之間的所述pn結(jié)二極管(103)是單個pn結(jié)二極管。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步包括功率晶體管(110)，所述功率晶體管包括第一和第二負(fù)載端子(L1，L2)以及控制端子(C)，其中所述鉗位結(jié)構(gòu)(102)電連接在所述控制端子(C)和第二負(fù)載端子(L2)之間，所述第二負(fù)載端子(L2)是絕緣柵場效應(yīng)晶體管的漏極接觸部、絕緣柵雙極晶體管的集電極接觸部、或者雙極結(jié)型晶體管的集電極接觸部，所述控制端子(C)是絕緣柵場效應(yīng)晶體管的柵極、絕緣柵雙極晶體管的柵極、或者雙極結(jié)型晶體管的基極的對應(yīng)接觸部。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其中，背對背串聯(lián)連接的pn結(jié)二極管(103)和肖特基結(jié)二極管(104)構(gòu)成了半導(dǎo)體封裝(115)中的分立半導(dǎo)體鉗位器件。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述功率晶體管是分立功率晶體管，所述功率晶體管和鉗位結(jié)構(gòu)形成在不同的半導(dǎo)體管芯(120，121)中。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中，不同的半導(dǎo)體管芯安裝在共同的引線框架上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述鉗位結(jié)構(gòu)和功率晶體管被包括在單個芯片封裝中，所述芯片封裝的控制管腳(127)通過第一接合導(dǎo)線(128)電連接至所述功率晶體管的控制端子接觸區(qū)域，并且所述芯片封裝的控制管腳(127)通過第二接合導(dǎo)線(129)電連接至鉗位結(jié)構(gòu)的pn結(jié)二極管(103)。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述功率晶體管(110)和鉗位結(jié)構(gòu)(102)集成在所述半導(dǎo)體本體(101)中。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述功率晶體管(110)的漂移區(qū)帶、所述肖特基結(jié)二極管(104)的陰極區(qū)以及所述pn結(jié)二極管(103)的陰極區(qū)形成在同一半導(dǎo)體區(qū)中。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體功率器件，其中，功率晶體管的第一和第二負(fù)載端子(L1，L2)之間的擊穿電壓大于與所述第二負(fù)載端子(L2)和控制端子(C)并聯(lián)連接的所述鉗位結(jié)構(gòu)的擊穿電壓。
12.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二接觸部(C21)在所述半導(dǎo)體本體(101)的第一表面(106)處并且電連接至所述pn結(jié)二極管(103)，所述第一接觸部(C12)在所述半導(dǎo)體本體的與所述第一表面(106)相對的第二表面(107)處并且構(gòu)成了所述肖特基結(jié)二極管的肖特基接觸金屬。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步包括在所述肖特基接觸金屬與半導(dǎo)體本體(101)的部分之間的場停止區(qū)帶(138)，所述場停止區(qū)帶(138)直接鄰接所述肖特基接觸金屬并且包括比所述半導(dǎo)體本體(101)的部分更大的摻雜濃度。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體本體(101)的部分是包括在5×1012cm-3和2×1014cm-3的范圍內(nèi)的摻雜濃度的，并且其中所述半導(dǎo)體本體(101)的在半導(dǎo)體本體的相對表面之間的部分的厚度大于50μm。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體本體(101)的部分構(gòu)成了所述鉗位結(jié)構(gòu)(102)的pn結(jié)二極管(103)的陰極區(qū)。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步包括直接鄰接所述半導(dǎo)體本體(101)的第一表面(106)的所述pn結(jié)二極管(103)的陽極區(qū)(135)，所述陽極區(qū)(135)電連接至第一接觸部(C11，C12)。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步包括邊緣終止結(jié)構(gòu)，所述邊緣終止結(jié)構(gòu)在所述第一表面(106)處圍繞所述陽極區(qū)(135)。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述邊緣終止結(jié)構(gòu)包括場板、環(huán)形結(jié)構(gòu)、結(jié)終止延伸結(jié)構(gòu)、以及橫向摻雜變化結(jié)構(gòu)的至少一個元件。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步包括位于所述半導(dǎo)體本體(101)中在離所述場停止區(qū)帶(138)的一垂直距離處的埋入場停止區(qū)帶(140，141)。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述埋入場停止區(qū)帶(140)位于離所述陽極區(qū)(135)的一垂直距離處。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述埋入場停止區(qū)帶(141)直接鄰接所述陽極區(qū)(135)。
22.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步包括與所述肖特基結(jié)二極管(104)并聯(lián)電連接的第二pn結(jié)二極管。