1.一種TFT陣列基板，包括TFT結(jié)構(gòu)單元，其特征在于，還包括N型半導(dǎo)體單元，N型半導(dǎo)體單元與所述TFT結(jié)構(gòu)單元中的P型半導(dǎo)體層通過金屬線串聯(lián)形成熱電單元。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述N型半導(dǎo)體單元與所述TFT結(jié)構(gòu)單元一一對(duì)應(yīng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述N型半導(dǎo)體單元與所述TFT結(jié)構(gòu)單元中的P型半導(dǎo)體層通過金屬線串聯(lián)形成熱電單元具體為：
N型半導(dǎo)體單元的兩端分別包括一條金屬引線和TFT結(jié)構(gòu)單元中的P型半導(dǎo)體層的兩端分別包括一條金屬引線，其中，位于N型半導(dǎo)體單元一端的金屬引線與位于TFT結(jié)構(gòu)單元中的P型半導(dǎo)體層的一端的金屬引線串聯(lián)形成熱電單元；位于N型半導(dǎo)體單元另一端的金屬引線和位于TFT結(jié)構(gòu)單元中的P型半導(dǎo)體層的另一端的金屬引線分別為熱電單元的正、負(fù)電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的TFT陣列基板，其特征在于，TFT結(jié)構(gòu)單元中的P型半導(dǎo)體層兩端的金屬引線分別為TFT結(jié)構(gòu)單元的源極和漏極。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述N型半導(dǎo)體單元位于襯底與所述TFT結(jié)構(gòu)單元之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的TFT陣列基板，其特征在于，所有熱電單元通過串聯(lián)和/或并聯(lián)的方式組成薄膜電池陣列。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的TFT陣列基板，其特征在于，進(jìn)一步包括儲(chǔ)電單元，所述儲(chǔ)電單元的兩端分別連接薄膜電池陣列的正、負(fù)極。
8.一種TFT陣列基板的制備方法，包括逐層制備TFT結(jié)構(gòu)層，其特征在于，進(jìn)一步包括：制備N型半導(dǎo)體單元，并將N型半導(dǎo)體單元與TFT結(jié)構(gòu)單元中的P型半導(dǎo)體層通過金屬線串聯(lián)形成熱電單元。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的TFT陣列基板的制備方法，其特征在于，所述制備N型半導(dǎo)體單元包括：
對(duì)應(yīng)每一個(gè)TFT結(jié)構(gòu)單元制備一個(gè)N型半導(dǎo)體單元。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的TFT陣列基板的制備方法，其特征在于，所述制備N型半導(dǎo)體單元，并將N型半導(dǎo)體單元與TFT結(jié)構(gòu)單元中的P型半導(dǎo)體層通過金屬線串聯(lián)形成熱電單元，具體包括：
在襯底上沉積N型半導(dǎo)體層，通過光刻形成N型半導(dǎo)體單元；
在N型半導(dǎo)體單元以及襯底上沉積第一金屬層，并通過一道光刻制程圖案化所述第一金屬層，形成位于每一個(gè)N型半導(dǎo)體單元兩端的金屬引線；制備TFT結(jié)構(gòu)層；
將N型半導(dǎo)體單元一端的金屬引線與與之對(duì)應(yīng)的TFT結(jié)構(gòu)單元中的P型半導(dǎo)體層的一端電連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的TFT陣列基板的制備方法，其特征在于，所述將N型半導(dǎo)體單元一端的金屬引線與與之對(duì)應(yīng)的TFT結(jié)構(gòu)單元中的P型半導(dǎo)體層的一端電連接包括：
將N型半導(dǎo)體單元一端的金屬引線與與之對(duì)應(yīng)的TFT結(jié)構(gòu)單元的源/漏極電連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的TFT陣列基板的制備方法，其特征在于，采用過孔的形式將N型半導(dǎo)體單元一端的金屬引線與與之對(duì)應(yīng)的TFT結(jié)構(gòu)單元中的P型半導(dǎo)體層的一端電連接。