本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及陣列基板的制作方法及顯示面板、顯示裝置。

背景技術(shù)：

氧化物晶體管技術(shù)作為現(xiàn)階段的一個(gè)技術(shù)熱點(diǎn)，具有遷移率高、均勻性好等特點(diǎn)。然而，在制作包括氧化物晶體管的陣列基板時(shí)，會(huì)對(duì)中間介質(zhì)層進(jìn)行干刻形成用于連接半導(dǎo)體層的過孔，形成通過該過孔與半導(dǎo)體層相連的源漏極。目前改善源漏極與半導(dǎo)體層接觸產(chǎn)生的電阻的方式主要有以下幾種，其一為改變過孔的大??；其二為改變過孔的形狀；其三為增加過孔的數(shù)量；其四為在所述半導(dǎo)體層上插入一層過渡層；其五為更換源漏極的材料。

然而，對(duì)于陣列基板中過孔的設(shè)計(jì)方案已確定的情況，均無法通過上述前三種方法改善；插入過渡層的方法不僅將增大良率的風(fēng)險(xiǎn)，也會(huì)相應(yīng)的提高生產(chǎn)成本；更換源漏極的材料的改善方法，對(duì)于中大尺寸的AMOLED驅(qū)動(dòng)的顯示裝置，走線一般選用鋁Al或銅Cu，因此可供選擇更換的材料非常少。因此，現(xiàn)有技術(shù)并無法針對(duì)過孔的設(shè)計(jì)方案與源漏極的材料均已確定的情況下，源漏極與半導(dǎo)體層接觸產(chǎn)生的電阻進(jìn)行改善。

綜上所述，現(xiàn)有技術(shù)并無法針對(duì)過孔的設(shè)計(jì)方案與源漏極的材料均已確定的情況下，源漏極與半導(dǎo)體層接觸產(chǎn)生的電阻進(jìn)行改善。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例提供了陣列基板的制作方法及顯示面板、顯示裝置，用以通過在即將完成對(duì)中間介質(zhì)層進(jìn)行干刻工藝時(shí)，通過過孔對(duì)半導(dǎo)體層露出的區(qū)域進(jìn)行等離子轟擊，通過等離子體的原子撞擊，將半導(dǎo)體層中的氧原子轟擊出來，形成更多的氧空位缺陷，從而提高了電子載流子的濃度，降低了源漏極與半導(dǎo)體層接觸產(chǎn)生的電阻，也就增大了晶體管的開態(tài)電流；僅在干刻時(shí)進(jìn)行等離子轟擊工藝，操作工藝簡單。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的制作方法，包括：

在襯底基板上依次形成半導(dǎo)體層、柵極絕緣層、柵極以及中間介質(zhì)層；

對(duì)所述中間介質(zhì)層進(jìn)行過孔刻蝕直至露出部分所述半導(dǎo)體層；

對(duì)所述過孔內(nèi)露出的部分半導(dǎo)體層進(jìn)行等離子轟擊；

在所述中間介質(zhì)層上形成通過所述過孔與所述半導(dǎo)體層相連的源漏電極。

本發(fā)明實(shí)施例中，通過在即將完成對(duì)中間介質(zhì)層進(jìn)行干刻工藝時(shí)，通過過孔對(duì)半導(dǎo)體層露出的區(qū)域進(jìn)行等離子轟擊，通過等離子體的原子撞擊，將半導(dǎo)體層中的氧原子轟擊出來，形成更多的氧空位缺陷，從而提高了電子載流子的濃度，從而降低了源漏極與半導(dǎo)體層接觸產(chǎn)生的電阻，也就增大了晶體管的開態(tài)電流。

較佳地，形成所述半導(dǎo)體層的材料為根據(jù)預(yù)設(shè)的接觸電阻確定的，其中，所述接觸電阻為所述源漏極與所述半導(dǎo)體層接觸產(chǎn)生的電阻。

本發(fā)明實(shí)施例中，可通過采用含氧量低的材料來形成半導(dǎo)體層，從而進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)降低源漏極與半導(dǎo)體層接觸產(chǎn)生的電阻。

較佳地，對(duì)所述過孔內(nèi)露出的部分半導(dǎo)體層進(jìn)行等離子轟擊工藝的時(shí)間、等離子轟擊工藝的流量均與接觸電阻呈負(fù)相關(guān)，其中，所述接觸電阻為所述源漏極與所述半導(dǎo)體層接觸產(chǎn)生的電阻。

本發(fā)明實(shí)施例中，可通過延長等離子轟擊的時(shí)間，增大等離子轟擊工藝的流量，增加等離子轟擊工藝的強(qiáng)度，從而進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)降低源漏極與半導(dǎo)體層接觸產(chǎn)生的電阻。

較佳地，所述等離子轟擊工藝的氣體為氦氣、氮?dú)?、氨氣或氫氣?/p>

本發(fā)明實(shí)施例中，若等離子轟擊工藝為氦氣等離子轟擊，則氦氣等離子轟擊自由基將不會(huì)擴(kuò)散到溝道區(qū)，等離子轟擊后等離子轟擊自由基在半導(dǎo)體層中的擴(kuò)散問題會(huì)大大減弱，從而進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)降低源漏極與半導(dǎo)體層接觸產(chǎn)生的電阻。

較佳地，對(duì)所述中間介質(zhì)層進(jìn)行干刻工藝，包括：通過四氟化碳和氧氣對(duì)所述中間介質(zhì)層進(jìn)行干刻工藝。

較佳地，形成的所述中間介質(zhì)層的厚度大于或等于100納米且小于或等于500納米。

較佳地，在形成柵極之后，在形成中間介質(zhì)層之前，該方法還包括：對(duì)所述半導(dǎo)體層中未被覆蓋的區(qū)域進(jìn)行等離子轟擊工藝。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示面板，包括：通過上述的方法制作的陣列基板。

本發(fā)明實(shí)施例中，通過在即將完成對(duì)中間介質(zhì)層進(jìn)行干刻工藝時(shí)，通過過孔對(duì)半導(dǎo)體層露出的區(qū)域進(jìn)行等離子轟擊，通過等離子體的原子撞擊，將半導(dǎo)體層中的氧原子轟擊出來，形成更多的氧空位缺陷，從而提高了電子載流子的濃度，從而降低了源漏極與半導(dǎo)體層接觸產(chǎn)生的電阻，也就增大了晶體管的開態(tài)電流。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示裝置，包括：上述的顯示面板。

本發(fā)明實(shí)施例中，通過在即將完成對(duì)中間介質(zhì)層進(jìn)行干刻工藝時(shí)，通過過孔對(duì)半導(dǎo)體層露出的區(qū)域進(jìn)行等離子轟擊，通過等離子體的原子撞擊，將半導(dǎo)體層中的氧原子轟擊出來，形成更多的氧空位缺陷，從而提高了電子載流子的濃度，從而降低了源漏極與半導(dǎo)體層接觸產(chǎn)生的電阻，也就增大了晶體管的開態(tài)電流。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的制作方法的流程示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板在制備過程中形成柵極金屬層后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板在制備過程中對(duì)中間介質(zhì)層過刻后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明實(shí)施例提供了陣列基板的制作方法及顯示面板、顯示裝置，用以通過在即將完成對(duì)中間介質(zhì)層進(jìn)行干刻工藝時(shí)，通過過孔對(duì)半導(dǎo)體層露出的區(qū)域進(jìn)行等離子轟擊，通過等離子體的原子撞擊，將半導(dǎo)體層中的氧原子轟擊出來，形成更多的氧空位缺陷，從而提高了電子載流子的濃度，降低了源漏極與半導(dǎo)體層接觸產(chǎn)生的電阻，也就增大了晶體管的開態(tài)電流；僅在干刻時(shí)進(jìn)行等離子轟擊工藝，操作工藝簡單。

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

參見圖1，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板的制作方法，該方法包括：

S101、在襯底基板上依次形成半導(dǎo)體層、柵極絕緣層、柵極以及中間介質(zhì)層；

S102、對(duì)所述中間介質(zhì)層進(jìn)行過孔刻蝕直至露出部分所述半導(dǎo)體層；

S103、對(duì)所述過孔內(nèi)露出的部分半導(dǎo)體層進(jìn)行等離子轟擊；

S104、在所述中間介質(zhì)層上形成通過所述過孔與所述半導(dǎo)體層相連的源漏電極。

具體地，參見圖2，步驟S101，包括：

對(duì)襯底基板(Glass)201通過標(biāo)準(zhǔn)方法進(jìn)行清洗，其中，所述襯底基板為玻璃襯底；

在所述襯底基板201上，通過濺鍍法(Sputter)或蒸鍍法沉積遮光金屬層(Shield Layer)202，并根據(jù)需要進(jìn)行圖像化，其中，所述遮光層的厚度為大于或等于50納米且小于或等于400納米；

在形成的遮光金屬層202上，利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)工藝制備過渡層(Buffer Layer)203，其中，所述過渡層的厚度為大于或等于100納米且小于或等于500納米；

在形成的過渡層203上，利用濺鍍法(Sputter)工藝沉積半導(dǎo)體層(Active Layer)，并根據(jù)需要進(jìn)行圖像化，其中，所述半導(dǎo)體層的厚度為大于或等于10納米且小于或等于100納米；

在形成的半導(dǎo)體層上，利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法PECVD工藝制備柵極絕緣層205，其中，所述柵極絕緣層的厚度為大于或等于100納米且小于或等于500納米，制備柵極絕緣層的材料為氧化硅SiOx；

在形成的柵極絕緣層205上，通過濺鍍法(Sputter)或蒸鍍法沉積柵極金屬層206，并根據(jù)需要進(jìn)行圖像化，其中，所述柵極金屬層的厚度為大于或等于50納米且小于或等于400納米；

對(duì)柵極絕緣層205與柵極金屬層206直接進(jìn)行干法刻蝕工藝，不用另行曝光；并對(duì)半導(dǎo)體層的裸露區(qū)域進(jìn)行等離子轟擊處理，從而得到等離子轟擊后的半導(dǎo)體區(qū)域2041和未被等離子轟擊的半導(dǎo)體區(qū)域2042。

其中，進(jìn)行半導(dǎo)體層沉積時(shí)，氧氣的流量與氧氣和氬氣流量的總和的比值的范圍為0％～50％，此時(shí)沉積得到的半導(dǎo)體層的厚度范圍為2納米～200納米。具體地，當(dāng)氧氣的流量與氧氣和氬氣流量的總和的比值為5％時(shí)，沉積得到的半導(dǎo)體層最佳，即沉積得到的半導(dǎo)體層的厚度為40納米。

此外，沉積得到的半導(dǎo)體層的厚度與沉積成膜的設(shè)備的腔體的壓強(qiáng)、功率，以及沉積掃描的次數(shù)相關(guān)。當(dāng)沉積成膜的設(shè)備的腔體的壓強(qiáng)為0.63帕(Pa)，設(shè)備的功率為4500瓦(W)，且沉積掃描的次數(shù)為5次，氬氣流量設(shè)定為100毫升每分鐘(SCCM)，氧氣流量設(shè)定為0.13毫升每分鐘(SCCM)時(shí)，半導(dǎo)體層的厚度為40納米，即最佳厚度。其中，沉積成膜的設(shè)備的腔體的壓強(qiáng)的范圍為0.01帕～100帕，設(shè)備的功率的范圍為1千瓦～10千瓦，沉積掃描的次數(shù)的范圍為1次～30次，設(shè)定氬氣流量的范圍為0毫升每分鐘～500毫升每分鐘，設(shè)定氧氣流量的范圍為0毫升每分鐘～500毫升每分鐘，且上述參數(shù)均與沉積成膜的設(shè)備相關(guān)。

參見圖3，步驟S102，包括：

在所述柵極金屬層206上，利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法PECVD工藝制備形成中間介質(zhì)層207(Inter-Layer Insulators，ILD)，并根據(jù)需要曝光進(jìn)行圖像化，其中，所述中間介質(zhì)層的厚度為大于或等于100納米且小于或等于500納米，制備中間介質(zhì)層的材料為氧化硅SiOx；

在對(duì)中間介質(zhì)層曝光結(jié)束后，采用四氟化碳和氧氣對(duì)中間介質(zhì)層進(jìn)行干刻(Dry Etch，D/E)工藝處理，直至露出部分所述半導(dǎo)體層，形成過孔208。

在形成過孔208后，通過所述過孔內(nèi)露出的部分半導(dǎo)體層進(jìn)行等離子轟擊工藝，即執(zhí)行步驟S103。其中，所述等離子轟擊工藝為氦氣(He)等離子轟擊或氮?dú)?N₂)等離子轟擊或氨氣(NH₃)等離子轟擊或氫氣(H₂)等離子轟擊。

然而，由于對(duì)中間介質(zhì)層進(jìn)行干刻，有可能會(huì)對(duì)中間介質(zhì)層207產(chǎn)生過刻，即在形成過孔208的過程中，刻蝕到等離子轟擊后的半導(dǎo)體區(qū)域2041，即圓圈301處，具體可參見圖3。此時(shí)，通過過孔208對(duì)半導(dǎo)體區(qū)域2041的過刻區(qū)域301進(jìn)行等離子轟擊工藝。

參見圖4，步驟S104，包括：

在中間介質(zhì)層207上，通過濺鍍法(Sputter)沉積得到源漏極209，并根據(jù)需要進(jìn)行圖像化，其中，所述源漏極的厚度為大于或等于50納米且小于或等于400納米。

在步驟S103之后，該方法還包括：

在源漏極209上，利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法PECVD工藝制備形成鈍化層210(Passivation Layer，PVX)，并根據(jù)需要進(jìn)行圖像化，其中，所述鈍化層的厚度為大于或等于200納米且小于或等于400納米，制備鈍化層的材料為氧化硅SiOx或者氮化硅SiNx。

為便于理解，下面將通過實(shí)施例進(jìn)一步對(duì)本發(fā)明的方案進(jìn)行解釋。

假設(shè)用于制備半導(dǎo)體層的材料為非晶體InGaZnO。具體實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)參見表1；

表1

其中，Plasma treatment為等離子轟擊工藝；Different為具體操作條件；Slot為實(shí)驗(yàn)編號(hào)；Avg.為接觸電阻的平均值；Max為接觸電阻的最大值；Min為接觸電阻的最小值；Uniformity為均一性，用于表示工藝步驟的穩(wěn)定性；3σ為實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的導(dǎo)出值；CF4+O2為采用四氟化碳和氧氣對(duì)中間介質(zhì)層進(jìn)行干刻處理；OE 30s為通過干刻工藝處理30秒；He為采用氦氣等離子轟擊工藝對(duì)過孔內(nèi)露出的部分半導(dǎo)體層進(jìn)行處理；InGaZnO 20％10s為對(duì)半導(dǎo)體層進(jìn)行氦氣等離子轟擊工藝10秒，其中，該半導(dǎo)體層的材料為含氧量為20％的非晶體InGaZnO。

若在對(duì)中間介質(zhì)層曝光結(jié)束后，只采用四氟化碳和氧氣對(duì)中間介質(zhì)層進(jìn)行干刻處理30秒，即對(duì)半導(dǎo)體區(qū)域2041產(chǎn)生過刻，此時(shí)源漏極209與過刻區(qū)域301的接觸電阻大于或等于15570歐姆，且小于或等于16410歐姆；接觸電阻的平均值為16064歐姆；

若進(jìn)行干刻處理30秒后，通過過孔208對(duì)過孔內(nèi)露出的部分半導(dǎo)體進(jìn)行氦氣等離子轟擊處理10秒，此時(shí)源漏極209與過刻區(qū)域301的接觸電阻大于或等于1425歐姆，且小于或等于1494歐姆；接觸電阻的平均值為1460歐姆。

由此可知，通過對(duì)過孔內(nèi)露出的部分半導(dǎo)體進(jìn)行氦氣等離子轟擊處理后的接觸電阻相比未處理的接觸電阻成數(shù)量級(jí)的減小，從而增大了晶體管的開態(tài)電流。

針對(duì)同一的半導(dǎo)體，若通過過孔208對(duì)過孔內(nèi)露出的部分半導(dǎo)體進(jìn)行氦氣等離子轟擊處理30秒，此時(shí)源漏極209與過刻區(qū)域301的接觸電阻大于或等于997歐姆，且小于或等于1078歐姆；接觸電阻的平均值為1026歐姆；

由此可知，對(duì)所述半導(dǎo)體層通過過孔露出的區(qū)域進(jìn)行等離子轟擊工藝的時(shí)間與接觸電阻在一定范圍內(nèi)負(fù)相關(guān)，其中，等離子轟擊工藝的時(shí)間的范圍為0秒～300秒；所述接觸電阻為所述源漏極與所述半導(dǎo)體層接觸產(chǎn)生的電阻。當(dāng)對(duì)過孔內(nèi)露出的部分半導(dǎo)體層進(jìn)行等離子轟擊工藝的時(shí)間40秒時(shí)等離子轟擊工藝的效果最佳，即經(jīng)過等離子轟擊工藝后，源漏極與半導(dǎo)體層接觸產(chǎn)生的電阻最小。

若同樣采用干刻處理30秒，且同樣通過過孔對(duì)過孔內(nèi)露出的部分半導(dǎo)體進(jìn)行氦氣等離子轟擊處理30秒，但用于制備半導(dǎo)體層的非晶體InGaZnO的含氧量不同，源漏極209與過刻區(qū)域301的接觸電阻也將不同；實(shí)驗(yàn)證明，當(dāng)非晶體InGaZnO的含氧量為20％時(shí)，接觸電阻大于或等于997歐姆，且小于或等于1078歐姆；接觸電阻的平均值為1026歐姆；當(dāng)非晶體InGaZnO的含氧量為10％時(shí)，接觸電阻大于或等于923.2歐姆，且小于或等于1038歐姆；接觸電阻的平均值為963歐姆；當(dāng)非晶體InGaZnO的含氧量為5％時(shí)，接觸電阻大于或等于845歐姆，且小于或等于883.7歐姆；接觸電阻的平均值為862歐姆。

由此可知，用于制備半導(dǎo)體層的非晶體InGaZnO的含氧量與接觸電阻在一定范圍內(nèi)負(fù)相關(guān)，其中，所述接觸電阻為所述源漏極與所述半導(dǎo)體層接觸產(chǎn)生的電阻。

接觸電阻與等離子轟擊工藝的流量在一定范圍內(nèi)負(fù)相關(guān)，其中，氦氣等離子轟擊工藝的流量范圍為0毫升每分鐘～500毫升每分鐘。當(dāng)氦氣等離子轟擊工藝的流量為200毫升每分鐘時(shí)，源漏極與半導(dǎo)體層接觸產(chǎn)生的電阻最小。

接觸電阻與等離子轟擊強(qiáng)度在一定范圍內(nèi)也負(fù)相關(guān)，即在一定范圍內(nèi)隨著反應(yīng)離子刻蝕的設(shè)備的腔體的壓強(qiáng)、功率的增大，源漏極與半導(dǎo)體層接觸產(chǎn)生的電阻將減小。其中，反應(yīng)離子刻蝕的設(shè)備的腔體的壓強(qiáng)范圍為0毫托～1000毫托，功率范圍為0瓦～1000瓦。具體地，反應(yīng)離子刻蝕的設(shè)備的腔體的壓強(qiáng)為50毫托，功率為600瓦時(shí)等離子轟擊工藝的效果最佳，即經(jīng)過等離子轟擊工藝后，源漏極與半導(dǎo)體層接觸產(chǎn)生的電阻最小。

綜上，由于非晶體InGaZnO為寬禁帶氧化物半導(dǎo)體材料，與源漏極接觸產(chǎn)生的電阻為肖特基接觸，即接觸電阻較大。因此，在即將完成對(duì)中間介質(zhì)層進(jìn)行干刻工藝時(shí)，通過干刻產(chǎn)生的過孔對(duì)半導(dǎo)體層的過刻區(qū)域進(jìn)行等離子轟擊，通過等離子體的原子撞擊，將非晶體InGaZnO內(nèi)部的氧原子轟擊出來，形成更多的氧空位缺陷，由于氧化物中氧空位缺陷是施主缺陷，由于氧空位的增多，將提高了電子載流子的濃度，從而降低了源漏極與半導(dǎo)體層接觸產(chǎn)生的電阻，也就增大了晶體管的開態(tài)電流。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示面板，包括：通過上述的方法制作的陣列基板。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示裝置，包括：上述的顯示面板。

綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供了陣列基板的制作方法及顯示面板、顯示裝置，用以通過在即將完成對(duì)中間介質(zhì)層進(jìn)行干刻工藝時(shí)，通過干刻產(chǎn)生的過孔對(duì)過孔內(nèi)露出的部分半導(dǎo)體層進(jìn)行等離子轟擊，通過等離子體的原子撞擊，將半導(dǎo)體層中的氧原子轟擊出來，形成更多的氧空位缺陷，從而提高了電子載流子的濃度，降低了源漏極與半導(dǎo)體層接觸產(chǎn)生的電阻，也就增大了晶體管的開態(tài)電流；僅在干刻時(shí)進(jìn)行等離子轟擊工藝，操作工藝簡單。

本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員應(yīng)明白，本發(fā)明的實(shí)施例可提供為方法、系統(tǒng)、或計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。因此，本發(fā)明可采用完全硬件實(shí)施例、完全軟件實(shí)施例、或結(jié)合軟件和硬件方面的實(shí)施例的形式。而且，本發(fā)明可采用在一個(gè)或多個(gè)其中包含有計(jì)算機(jī)可用程序代碼的計(jì)算機(jī)可用存儲(chǔ)介質(zhì)(包括但不限于磁盤存儲(chǔ)器和光學(xué)存儲(chǔ)器等)上實(shí)施的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品的形式。

本發(fā)明是參照根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的方法、設(shè)備(系統(tǒng))、和計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品的流程圖和/或方框圖來描述的。應(yīng)理解可由計(jì)算機(jī)程序指令實(shí)現(xiàn)流程圖和/或方框圖中的每一流程和/或方框、以及流程圖和/或方框圖中的流程和/或方框的結(jié)合?？商峁┻@些計(jì)算機(jī)程序指令到通用計(jì)算機(jī)、專用計(jì)算機(jī)、嵌入式處理機(jī)或其他可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備的處理器以產(chǎn)生一個(gè)機(jī)器，使得通過計(jì)算機(jī)或其他可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備的處理器執(zhí)行的指令產(chǎn)生用于實(shí)現(xiàn)在流程圖一個(gè)流程或多個(gè)流程和/或方框圖一個(gè)方框或多個(gè)方框中指定的功能的裝置。

這些計(jì)算機(jī)程序指令也可存儲(chǔ)在能引導(dǎo)計(jì)算機(jī)或其他可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備以特定方式工作的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)器中，使得存儲(chǔ)在該計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)器中的指令產(chǎn)生包括指令裝置的制造品，該指令裝置實(shí)現(xiàn)在流程圖一個(gè)流程或多個(gè)流程和/或方框圖一個(gè)方框或多個(gè)方框中指定的功能。

這些計(jì)算機(jī)程序指令也可裝載到計(jì)算機(jī)或其他可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備上，使得在計(jì)算機(jī)或其他可編程設(shè)備上執(zhí)行一系列操作步驟以產(chǎn)生計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的處理，從而在計(jì)算機(jī)或其他可編程設(shè)備上執(zhí)行的指令提供用于實(shí)現(xiàn)在流程圖一個(gè)流程或多個(gè)流程和/或方框圖一個(gè)方框或多個(gè)方框中指定的功能的步驟。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。