技術(shù)編號(hào):11955992
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及陣列基板的制作方法及顯示面板、顯示裝置。背景技術(shù)氧化物晶體管技術(shù)作為現(xiàn)階段的一個(gè)技術(shù)熱點(diǎn),具有遷移率高、均勻性好等特點(diǎn)。然而,在制作包括氧化物晶體管的陣列基板時(shí),會(huì)對(duì)中間介質(zhì)層進(jìn)行干刻形成用于連接半導(dǎo)體層的過(guò)孔,形成通過(guò)該過(guò)孔與半導(dǎo)體層相連的源漏極。目前改善源漏極與半導(dǎo)體層接觸產(chǎn)生的電阻的方式主要有以下幾種,其一為改變過(guò)孔的大??;其二為改變過(guò)孔的形狀;其三為增加過(guò)孔的數(shù)量;其四為在所述半導(dǎo)體層上插入一層過(guò)渡層;其五為更換源漏極的材料。然而,對(duì)于陣列基板中過(guò)孔的設(shè)計(jì)...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。