本發(fā)明涉及顯示裝置領(lǐng)域，特別是涉及一種可分離的襯底結(jié)構(gòu)及其制備方法、顯示裝置的制造方法。

背景技術(shù)：

近年來，具有柔性基底的顯示裝置因其可彎曲的特性，在移動或者手持顯示裝置中具有廣泛的應(yīng)用前景。塑料基底(例如具有優(yōu)異的耐熱性和強(qiáng)度的聚酰亞胺基底、聚醚砜基底等)常被用作柔性基底。

當(dāng)利用柔性基底制造顯示裝置時(shí)，為了確保柔性基底的表面平整性，可以使用剛性基板(諸如玻璃基板)作為支撐基底來形成柔性基底。傳統(tǒng)的柔性基底的制造方法為：在支撐基底上設(shè)置柔性基底，之后在柔性基底上形成像素，最后，將其上形成有像素的柔性基底與支撐基底分開。然而，在形成像素的同時(shí)柔性基底會變得強(qiáng)有力地附著在支撐基底上，導(dǎo)致將柔性基底與支撐基底分開很困難。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

基于此，有必要針對傳統(tǒng)的柔性基底的制造方法中將柔性基底與支撐基底分開很困難的問題，提供一種便于將柔性基底與支撐基底分開的可分離的襯底結(jié)構(gòu)的制備方法。

一種可分離的襯底結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供支撐基底；

在所述支撐基底上形成第一離型層，用以保護(hù)所述支撐基底；

在所述第一離型層上形成具有若干個(gè)第一填充部的第二離型層；

向所述第一填充部內(nèi)填充第一磁性粒子，得到填充有第一磁性粒子的第二離型層；

在所述填充有磁性粒子的第二離型層上形成第三離型層；

以及，在所述第三離型層上形成柔性基底，得到可分離的襯底結(jié)構(gòu)。

上述可分離的襯底結(jié)構(gòu)的制備方法中，由于第二離型層的第一填充部內(nèi)填充有磁性粒子，當(dāng)對第二離型層施加磁場時(shí)，磁性粒子之間相對移動，能夠疏松第二離型層，便于將柔性基底與支撐基底分開。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，在所述第一離型層上形成具有若干個(gè)第一填充部的第二離型層的步驟為：通過第一掩膜工藝圖案化第二離型層，以形成若干個(gè)第一填充部。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，還包括以下步驟：

在所述填充有第一磁性粒子的第二離型層上形成具有若干個(gè)第二填充部的第四離型層；

以及，向所述第二填充部內(nèi)填充第二磁性粒子，得到填充有第二磁性粒子的第四離型層。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，在所述填充有第一磁性粒子的第二離型層上形成具有若干個(gè)第二填充部的第四離型層的步驟為：通過第二掩膜工藝圖案化第四離型層，以形成若干個(gè)第二填充部。

還提供一種可分離的襯底結(jié)構(gòu)，包括：

支撐基底；

第一離型層，設(shè)置在所述支撐基底上，用以保護(hù)所述支撐基底；

第二離型層，設(shè)置在所述第一離型層上，具有若干個(gè)第一填充部，所述第一填充部內(nèi)填充有第一磁性粒子；

第三離型層，設(shè)置在所述填充有第一磁性粒子的第二離型層上；

以及柔性基底，設(shè)置在所述第三離型層上。

上述可分離的襯底結(jié)構(gòu)中，由于第二離型層的第一填充部內(nèi)填充有磁性粒子，當(dāng)對第二離型層施加磁場時(shí)，磁性粒子之間相對移動，能夠?qū)Φ诙x型層進(jìn)行貫通，便于將柔性基底與支撐基底分開。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，還包括設(shè)置在所述第二離型層與所述第三離型層之間的第四離型層，所述第四離型層具有若干個(gè)第二填充部，所述第二填充部內(nèi)填充有第二磁性粒子。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一填充部在所述支撐基底上的投影與所述第二填充部在所述支撐基底上的投影不重合。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一填充部為第一通孔，所述第二填充部為第二通孔。

此外，還提供一種顯示裝置的制造方法，包括以下步驟：

提供支撐基底；

在所述支撐基底上形成第一離型層，用以保護(hù)所述支撐基底；

在所述第一離型層上形成具有若干個(gè)第一填充部的第二離型層；

向所述第一填充部內(nèi)填充第一磁性粒子，得到填充有第一磁性粒子的第二離型層；

在所述填充有第一磁性粒子的第二離型層上形成第三離型層；

以及，在所述第三離型層上形成柔性基底；

在所述柔性基底上形成像素結(jié)構(gòu)；

以及，對所述填充有第一磁性粒子的第二離型層施加磁場，以疏松所述第二離型層，之后將所述支撐基底和所述柔性基底分開。

上述顯示裝置的制造方法中，由于第二離型層的第一填充部內(nèi)填充有磁性粒子，當(dāng)對第二離型層施加磁場時(shí)，磁性粒子之間相對移動，能夠疏松第二離型層，便于將柔性基底與支撐基底分開。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，還包括以下步驟：

在所述填充有第一磁性粒子的第二離型層上形成具有若干個(gè)第二填充部的第四離型層；

以及，向所述第二填充部內(nèi)填充第二磁性粒子，得到填充有第二磁性粒子的第四離型層。

附圖說明

圖1為一實(shí)施方式的可分離的襯底結(jié)構(gòu)的制備方法的流程圖；

圖2為一實(shí)施方式的可分離的襯底結(jié)構(gòu)的制備方法中形成第一離型層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為一實(shí)施方式的可分離的襯底結(jié)構(gòu)的制備方法中第一掩膜版的平面示意圖；

圖4為一實(shí)施方式的可分離的襯底結(jié)構(gòu)的制備方法中形成第二離型層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為一實(shí)施方式的可分離的襯底結(jié)構(gòu)的制備方法中第二掩膜版的平面示意圖；

圖6為一實(shí)施方式的可分離的襯底結(jié)構(gòu)的制備方法中填充有第一磁性粒子的第二離型層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為一實(shí)施方式的可分離的襯底結(jié)構(gòu)的制備方法中第三掩膜版的平面示意圖；

圖8為一實(shí)施方式的可分離的襯底結(jié)構(gòu)的制備方法中形成第四離型層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9為一實(shí)施方式的可分離的襯底結(jié)構(gòu)的制備方法中第四掩膜版的平面示意圖；

圖10為一實(shí)施方式的可分離的襯底結(jié)構(gòu)的制備方法中填充有第二磁性粒子的第四離型層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖11為一實(shí)施方式的可分離的襯底結(jié)構(gòu)的制備方法中形成第三離型層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖12為一實(shí)施方式的可分離的襯底結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖13為一實(shí)施方式的顯示裝置的制造方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實(shí)施方式做詳細(xì)的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似改進(jìn)，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。

請參見圖1，一實(shí)施方式的可分離的襯底結(jié)構(gòu)的制備方法，包括以下步驟：

S100、提供支撐基底100。

通常采用剛性基板作為支撐基底100，例如玻璃基底。

S110、在支撐基底100上形成第一離型層110，用以保護(hù)支撐基底100，如圖2所示。

在一個(gè)較優(yōu)的實(shí)施例中，第一離型層110的材質(zhì)為聚酰亞胺。聚酰亞胺為較疏松的結(jié)構(gòu)，有利于后續(xù)的分離。同時(shí)，聚酰亞胺符合生產(chǎn)需求，有利于應(yīng)用。

可以通過涂布的方法在支撐基底100上提供聚酰胺酸(PAA)作為聚酰亞胺的前驅(qū)體，之后固化聚酰胺酸來形成聚酰亞胺，得到第一離型層110。第一離型層110的厚度為1μm～2μm。

S120、在第一離型層110上形成具有若干個(gè)第一填充部121的第二離型層120。

在一個(gè)較優(yōu)的實(shí)施例中，第二離型層120的材質(zhì)為聚酰亞胺。聚酰亞胺為較疏松的結(jié)構(gòu)，有利于后續(xù)的分離。同時(shí)，聚酰亞胺符合生產(chǎn)需求，有利于應(yīng)用。

與形成第一離型層110相同，同樣可以通過涂布的方法在第一離型層110上提供聚酰胺酸(PAA)作為聚酰亞胺的前驅(qū)體，之后固化聚酰胺酸來形成聚酰亞胺，得到第二離型層120。第二離型層120的厚度為1μm～2μm。

請參見圖3和圖4，通過第一掩膜工藝圖案化第二離型層120，以形成若干個(gè)第一填充部121。具體的，先采用涂布工藝在第一離型層110上形成未圖案化的第二離型層，之后利用圖3所示的具有預(yù)定圖案的第一掩膜版200采用光刻工藝圖案化第二離型層120，使第二離型層120具有區(qū)域性涂布和空位的結(jié)構(gòu)，即第一填充部121。

在一個(gè)較優(yōu)的實(shí)施例中，第一填充部121為第一通孔。且若干個(gè)第一通孔按照成行成列的方式進(jìn)行排布。本實(shí)施方式中第一填充部121的截面形狀為正方形。當(dāng)然，第一填充部121的截面形狀不限于此，其亦可為長方形或者圓形等其他形狀。第一填充部121的排布方式亦不限于此。第一填充部121還可以為凹槽等。

S130、向第一填充部121內(nèi)填充第一磁性粒子，得到填充有第一磁性粒子的第二離型層。

將圖5所示的第二掩膜版300對準(zhǔn)到步驟S120得到的第二離型層120上，此時(shí)，第二掩膜版300上的正方形通孔與第二離型層120上的第一填充部121相對。之后通過第二掩膜版300上的正方形通孔向第一填充部121內(nèi)填充第一磁性粒子，得到填充有第一磁性粒子的第二離型層，如圖6所示。

第一磁性粒子可以為任何帶有磁性的物質(zhì)，例如純鐵粉、羰基鐵、磁鐵礦、正鐵酸鹽等，其粒徑一般在10nm～100nm。

需要說明的是，本實(shí)施方式中每個(gè)第一填充部121內(nèi)填充的第一磁性粒子的體積與第一填充部121的體積相等，即通過填充第一磁性粒子可以將第二離型層120填平，有利于后續(xù)操作。

S140、在填充有第一磁性粒子的第二離型層上形成具有若干個(gè)第二填充部131的第四離型層130。

在一個(gè)較優(yōu)的實(shí)施例中，第四離型層130的材質(zhì)為聚酰亞胺。聚酰亞胺為較疏松的結(jié)構(gòu)，有利于后續(xù)的分離。同時(shí)，聚酰亞胺符合生產(chǎn)需求，有利于應(yīng)用。

與形成第二離型層120相同，同樣可以通過涂布的方法在第二離型層120上提供聚酰胺酸(PAA)作為聚酰亞胺的前驅(qū)體，之后固化聚酰胺酸來形成聚酰亞胺，得到第四離型層130。第四離型層130的厚度為1μm～2μm。

請參見圖7和圖8，通過第二掩膜工藝圖案化第四離型層130，以形成若干個(gè)第二填充部131。具體的，先采用涂布工藝在第二離型層120上形成未圖案化的第四離型層，之后利用圖7所示的具有預(yù)定圖案的第三掩膜版400采用光刻工藝圖案化第四離型層130，使第四離型層130具有區(qū)域性涂布和空位的結(jié)構(gòu)，即第二填充部131。

本實(shí)施方式中的第二填充部131為第二通孔。若干個(gè)第二通孔按照成行成列的方式進(jìn)行排布。第二填充部131的截面形狀為正方形。當(dāng)然，第二填充部131的截面形狀不限于此，其亦可為長方形或者圓形等其他形狀。第二填充部131的排布方式亦不限于此。第二填充部131還可以為凹槽等。

此外，為了使第二離型層120和第四離型層130后續(xù)容易分離，本實(shí)施方式中每個(gè)第二填充部131均位于相鄰第一填充部121圍成的區(qū)域內(nèi)。當(dāng)然，二者的排布方式不限于此，在另一個(gè)較優(yōu)的實(shí)施例中，第一填充部121在支撐基底100上的投影與第二填充部131在支撐基底100上的投影不重合。這樣增大了磁性粒子與第二離型層120、第四離型層130的接觸面積，有利于后續(xù)第二離型層120與第四離型層130的分離。

S150、向第二填充部131內(nèi)填充第二磁性粒子，得到填充有第二磁性粒子的第四離型層。

將圖9所示的第四掩膜版500對準(zhǔn)到步驟S140得到的第四離型層130上，此時(shí)，第四掩膜版500上的正方形通孔與第四離型層130上的第二填充部131相對。之后通過第四掩膜版500上的正方形通孔向第二填充部131內(nèi)填充第二磁性粒子，得到填充有第二磁性粒子的第四離型層，如圖10所示。

需要說明的是，本實(shí)施方式中每個(gè)第二填充部131內(nèi)填充的第二磁性粒子的體積與第二填充部131的體積相等，即通過填充第二磁性粒子可以將第四離型層130填平，有利于后續(xù)操作。

此外，本發(fā)明的可分離的襯底結(jié)構(gòu)的制備方法中，第一磁性粒子和第二磁性粒子的種類可以相同，亦可不同。

S160、在填充有第二磁性粒子的第四離型層上形成第三離型層140。

在一個(gè)較優(yōu)的實(shí)施例中，第三離型層140的材質(zhì)為聚酰亞胺。聚酰亞胺為較疏松的結(jié)構(gòu)，有利于后續(xù)的分離。同時(shí)，聚酰亞胺符合生產(chǎn)需求，有利于應(yīng)用。需要說明的是，本實(shí)施方式中第一離型層110、第二離型層120、第四離型層130和第三離型層140的材質(zhì)均為聚酰亞胺，但其不限于此，亦可為其他合適的材質(zhì)，且每層離型層可各自為不同的材質(zhì)。

請參見圖11，與形成第四離型層130相同，同樣可以通過涂布的方法在第四離型層130上提供聚酰胺酸(PAA)作為聚酰亞胺的前驅(qū)體，之后固化聚酰胺酸來形成聚酰亞胺，得到第三離型層140。第三離型層140的厚度為1μm～2μm。

S170、在第三離型層140上形成柔性基底150，得到可分離的襯底結(jié)構(gòu)600。

柔性基底150可以為塑料基底(例如具有優(yōu)異的耐熱性和強(qiáng)度的聚酰亞胺基底、聚醚砜基底等)。亦可以通過在第三離型層140上涂布的方法形成柔性基底150，如圖12所示。

可以對填充有第一磁性粒子的第二離型層和填充有第二磁性粒子的第四離型層施加任一方向的磁場。

上述可分離的襯底結(jié)構(gòu)的制備方法中，由于第二離型層的第一填充部和第四離型層的第二填充部內(nèi)均填充有磁性粒子，當(dāng)對第二離型層和第四離型層施加磁場時(shí)，磁性粒子之間相對移動，能夠?qū)Φ诙x型層和第四離型層進(jìn)行貫通，便于將柔性基底與支撐基底分開。

需要說明的是，本發(fā)明的可分離的襯底結(jié)構(gòu)的制備方法不限于上述實(shí)施方式的四層離型層，即在兩側(cè)的離型層中間設(shè)置兩個(gè)填充有磁性粒子的離型層，亦可在兩側(cè)的離型層中間設(shè)置一個(gè)、三個(gè)或者三個(gè)以上填充有磁性粒子的離型層，有利于后續(xù)可柔性基底的剝離。

請參見圖12，一實(shí)施方式的可分離的襯底結(jié)構(gòu)600包括支撐基底100、第一離型層110、第二離型層120、第四離型層130、第三離型層140和柔性基底150。

其中，第一離型層110設(shè)置在支撐基底100上，用以保護(hù)支撐基底100。

第二離型層120設(shè)置在第一離型層110上，具有若干個(gè)第一填充部121。第一填充部121內(nèi)填充有第一磁性粒子。

第四離型層130具有若干個(gè)第二填充部131。第二填充部131內(nèi)填充有第二磁性粒子。第一磁性粒子和第二磁性粒子的種類可以相同，亦可不同。

第三離型層140設(shè)置在填充有第二磁性粒子的第四離型層130上。柔性基底150設(shè)置在第三離型層140上。

本實(shí)施方式的第一填充部121在支撐基底100上的投影與第二填充部131在支撐基底100上的投影不重合。具體的，第二填充部131在支撐基底100上的投影位于相鄰第一填充部121在支撐基底100上的投影所圍成的區(qū)域之中。

本實(shí)施方式的第一填充部121為第一通孔。第二填充部131為第二通孔。當(dāng)然，第一填充部121和第二填充部131亦可為其他能夠填充磁性粒子的結(jié)構(gòu)，例如，凹槽等。

上述可分離的襯底結(jié)構(gòu)600中，由于第二離型層120的第一填充部121和第四離型層130的第二填充部131內(nèi)均填充有磁性粒子，當(dāng)對第二離型層120和第四離型層130施加磁場時(shí)，磁性粒子之間相對移動，能夠?qū)Φ诙x型層120和第四離型層130進(jìn)行貫通，便于將柔性基底150與支撐基底100分開。

需要說明的是，本發(fā)明的可分離的襯底結(jié)構(gòu)不限于上述實(shí)施方式，亦可在第一離型層和第三離型層之間設(shè)置一個(gè)、三個(gè)或者三個(gè)以上的離型層，每個(gè)離型層上均可設(shè)置有若干個(gè)填充有磁性粒子的填充部。

請參見圖13，一實(shí)施方式的顯示裝置的制造方法，包括以下步驟：

S200、提供支撐基底。

S210、在支撐基底上形成第一離型層，用以保護(hù)支撐基底。

S220、在第一離型層上形成具有若干個(gè)第一填充部的第二離型層。

S230、向第一填充部內(nèi)填充第一磁性粒子，得到填充有第一磁性粒子的第二離型層。

S240、在填充有第一磁性粒子的第二離型層上形成具有若干個(gè)第二填充部的第四離型層。

S250、向第二填充部內(nèi)填充第二磁性粒子，得到填充有第二磁性粒子的第四離型層。

S260、在填充有第二磁性粒子的第四離型層上形成第三離型層。

S270、在第三離型層上形成柔性基底。

S280、在柔性基底上形成像素結(jié)構(gòu)。

S290、對填充有第一磁性粒子的第二離型層和填充有第二磁性粒子的第四離型層施加磁場，以疏松第二離型層和第四離型層，之后將支撐基底和柔性基底分開。

上述顯示裝置的制造方法中，由于第二離型層的第一填充部和第四離型層的第二填充部內(nèi)均填充有磁性粒子，當(dāng)對第二離型層和第四離型層施加磁場時(shí)，磁性粒子之間相對移動，能夠疏松第二離型層和第四離型層，便于將柔性基底與支撐基底分開。

需要說明的是，上述顯示裝置的制造方法亦可減少形成填充有第一磁性粒子的第二離型層或者填充有第二磁性粒子的第四離型層的步驟，亦可多增加填充有磁性粒子的離型層的步驟。

以上所述實(shí)施例的各技術(shù)特征可以進(jìn)行任意的組合，為使描述簡潔，未對上述實(shí)施例中的各個(gè)技術(shù)特征所有可能的組合都進(jìn)行描述，然而，只要這些技術(shù)特征的組合不存在矛盾，都應(yīng)當(dāng)認(rèn)為是本說明書記載的范圍。

以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。