陣列基板及其制作方法、顯示面板、顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施例公開了一種陣列基板及其制作方法、顯示面板和顯示裝置，所述陣列基板包括：第一基板、位于所述第一基板上表面的多個(gè)像素定義結(jié)構(gòu)，其中，至少一個(gè)所述像素定義結(jié)構(gòu)上表面具有凹槽以及位于所述凹槽內(nèi)的支撐結(jié)構(gòu)，從而在包括該陣列基板的顯示面板上表面對(duì)應(yīng)所述支撐結(jié)構(gòu)的位置受到外界壓力時(shí)，所述支撐結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的作用力主要位于所述凹槽內(nèi)，使得所述支撐結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)位置的陰極層即使發(fā)生損壞也是位于對(duì)應(yīng)所述凹槽的位置，而不會(huì)延伸到所述支撐結(jié)構(gòu)兩側(cè)的發(fā)光層區(qū)，解決了由于所述顯示面板上表面受到壓力而導(dǎo)致部分發(fā)光層不發(fā)光的問題，提高了顯示效果。
【專利說明】
陣列基板及其制作方法、顯示面板、顯示裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法以及一種包括該陣列基板的顯示面板和包括該顯示面板的顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)中的OLED顯示面板在制作時(shí)，通常先在第一基板01上表面形成像素定義結(jié)構(gòu)02，然后在像素定義結(jié)構(gòu)02上表面形成支撐結(jié)構(gòu)03，最后再蒸鍍發(fā)光層(圖中未示出)和陰極層04，從而導(dǎo)致所述OLED顯示面板制作完成后，所述支撐結(jié)構(gòu)03對(duì)應(yīng)的位置受到外界壓力F作用時(shí)，所述支撐結(jié)構(gòu)03會(huì)發(fā)生擠壓變形，進(jìn)而對(duì)所述支撐結(jié)構(gòu)03上表面的陰極層04產(chǎn)生斜向上的作用力F’，使得所述陰極層04發(fā)生損壞，導(dǎo)致部分發(fā)光層不發(fā)光，影響顯示效果。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種OLED陣列基板及其制作方法，以及包括該陣列基板的顯示面板和顯示裝置，以解決所述顯示面板上表面受到壓力時(shí)，導(dǎo)致部分發(fā)光層不發(fā)光的問題，提高顯示效果。
[0004]為解決上述問題，本發(fā)明實(shí)施例提供了如下技術(shù)方案:
[0005]—種OLED陣列基板，包括:
[0006]第一基板；
[0007]位于所述第一基板上表面的多個(gè)像素定義結(jié)構(gòu)，所述多個(gè)像素定義結(jié)構(gòu)將所述第一基板上表面對(duì)應(yīng)顯示區(qū)的位置劃分成多個(gè)子像素區(qū)域，且至少一個(gè)所述像素定義結(jié)構(gòu)上表面具有凹槽；
[0008]位于所述像素定義結(jié)構(gòu)上表面凹槽內(nèi)的支撐結(jié)構(gòu)，所述支撐結(jié)構(gòu)的上表面高于所述像素定義結(jié)構(gòu)的上表面；
[0009 ]位于所述子像素區(qū)域內(nèi)的陽極和發(fā)光層；
[0010]覆蓋所述發(fā)光層和所述支撐結(jié)構(gòu)上表面的陰極層。
[0011]—種顯示面板，包括上述OLED陣列基板。
[0012]一種顯示裝置，包括上述顯示面板。
[0013]—種OLED陣列基板的制作方法，該方法包括:
[0014]提供第一基板；
[0015]在所述第一基板上表面形成多個(gè)陽極；
[0016]在所述第一基板上表面形成多個(gè)像素定義結(jié)構(gòu)和支撐結(jié)構(gòu)，至少一個(gè)所述像素定義結(jié)構(gòu)上表面具有凹槽，所述支撐結(jié)構(gòu)位于所述像素定義結(jié)構(gòu)上表面凹槽內(nèi)，且所述支撐結(jié)構(gòu)的上表面高于所述像素定義結(jié)構(gòu)的上表面，其中，所述多個(gè)像素定義結(jié)構(gòu)將所述第一基板上表面對(duì)應(yīng)顯示區(qū)的位置劃分成多個(gè)子像素區(qū)域；
[0017]在所述子像素區(qū)域內(nèi)形成發(fā)光層；
[0018]在所述發(fā)光層和所述支撐結(jié)構(gòu)上表面形成陰極層，所述陰極層完全覆蓋所述發(fā)光層、所述支撐結(jié)構(gòu)和所述像素定義結(jié)構(gòu)。
[0019]與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0020]本發(fā)明實(shí)施例所提供的陣列基板，包括:第一基板、位于所述第一基板上表面的多個(gè)像素定義結(jié)構(gòu)，其中，至少一個(gè)所述像素定義結(jié)構(gòu)上表面具有凹槽以及位于所述凹槽內(nèi)的支撐結(jié)構(gòu)，從而在包括該陣列基板的顯示面板上表面對(duì)應(yīng)所述支撐結(jié)構(gòu)的位置受到外界壓力時(shí)，所述支撐結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的作用力主要位于所述凹槽內(nèi)，使得所述支撐結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)位置的陰極層即使發(fā)生損壞也是位于對(duì)應(yīng)所述凹槽的位置，而不會(huì)延伸到所述支撐結(jié)構(gòu)兩側(cè)的發(fā)光層區(qū)，解決了由于所述顯示面板上表面受到壓力而導(dǎo)致部分發(fā)光層不發(fā)光的問題，提高了顯示效果。
【附圖說明】
[0021]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0022]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖2為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例所提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖3為本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例所提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖4為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例所提供的顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖5為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例所提供的陣列基板的制作方法流程圖；
[0027]圖6(a)和圖6(b)為本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例所提供的陣列基板的制作方法中步驟3的流程圖；
[0028]圖7(a)-圖7(c)為本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例所提供的陣列基板的制作方法中步驟3的流程圖；
[0029]圖8(a)-圖8(d)為本發(fā)明又一個(gè)實(shí)施例所提供的陣列基板的制作方法中步驟3的流程圖；
[0030]圖9(a)和圖9(b)為本發(fā)明再一個(gè)實(shí)施例所提供的陣列基板的制作方法中步驟3的流程圖；
[0031]圖10(a)-圖10(d)為本發(fā)明又一個(gè)實(shí)施例所提供的陣列基板的制作方法中步驟3的流程圖；
[0032]圖11(a)-圖11(g)為本發(fā)明再一個(gè)實(shí)施例所提供的陣列基板的制作方法中步驟3的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0033]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0034]在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。
[0035]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種OLED陣列基板，如圖2所示，所述陣列基板包括:
[0036]第一基板10;
[0037]位于所述第一基板10上表面的多個(gè)像素定義結(jié)構(gòu)20，所述多個(gè)像素定義結(jié)構(gòu)20將所述第一基板10上表面對(duì)應(yīng)顯示區(qū)的位置劃分成多個(gè)子像素區(qū)域，且所述多個(gè)像素定義結(jié)構(gòu)20中至少一個(gè)所述像素定義結(jié)構(gòu)20的上表面具有凹槽；
[0038]位于所述像素定義結(jié)構(gòu)20上表面凹槽內(nèi)的支撐結(jié)構(gòu)30，所述支撐結(jié)構(gòu)30的上表面高于所述像素定義結(jié)構(gòu)20的上表面；
[0039 ]位于所述子像素區(qū)域內(nèi)的陽極和發(fā)光層；
[0040]覆蓋所述發(fā)光層和所述支撐結(jié)構(gòu)30上表面的陰極層40。
[0041]需要說明的是，在本發(fā)明實(shí)施例中，所述支撐結(jié)構(gòu)30的上表面高于所述像素定義結(jié)構(gòu)20的上表面，以實(shí)現(xiàn)所述支撐結(jié)構(gòu)30的支撐作用，所述支撐結(jié)構(gòu)30位于所述像素定義結(jié)構(gòu)20的凹槽內(nèi)，以在所述陣列基板對(duì)應(yīng)所述支撐結(jié)構(gòu)30的位置受到外界壓力而發(fā)生彎曲時(shí)，所述支撐結(jié)構(gòu)30產(chǎn)生的作用力主要位于所述凹槽內(nèi)，使得所述支撐結(jié)構(gòu)30對(duì)應(yīng)位置的陰極層40即使發(fā)生損壞也是位于對(duì)應(yīng)所述凹槽的位置，而不會(huì)延伸到所述支撐結(jié)構(gòu)30兩側(cè)的發(fā)光層區(qū)，解決了由于所述顯示面板上表面受到壓力而導(dǎo)致部分發(fā)光層不發(fā)光的問題，提高了顯示效果。
[0042]需要說明的是，在本發(fā)明實(shí)施例中，所述多個(gè)像素定義結(jié)構(gòu)20中可以每個(gè)像素定義結(jié)構(gòu)20上表面都具有凹槽，也可以部分像素定義結(jié)構(gòu)20上表面具有凹槽，部分像素定義結(jié)構(gòu)20上表面沒有凹槽，本發(fā)明對(duì)此并不做限定，具體視情況而定。
[0043]在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，如圖3所示，在本發(fā)明的一個(gè)可選實(shí)施例中，位于所述凹槽任一側(cè)的所述像素定義結(jié)構(gòu)20的上表面的寬度A不小于I微米。需要說明的是，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，位于所述凹槽任一側(cè)的所述像素定義結(jié)構(gòu)20的上表面的寬度A還可以為其他數(shù)值，本發(fā)明對(duì)此并不做限定，只要位于所述凹槽任一側(cè)的所述像素定義結(jié)構(gòu)20的上表面的寬度A大于零，以保證當(dāng)所述支撐結(jié)構(gòu)30對(duì)應(yīng)的位置受到壓力時(shí)，所述支撐結(jié)構(gòu)30對(duì)所述像素定義結(jié)構(gòu)20的作用力不會(huì)使得所述像素定義結(jié)構(gòu)20上表面的凹槽深度減小過多而對(duì)位于所述支撐結(jié)構(gòu)30上表面的陰極層40造成損壞即可。
[0044]此外，仍然參照圖3所示實(shí)施例，所述凹槽的深度D不小于所述像素定義結(jié)構(gòu)20上表面至下表面之間距離H的1/10，包括端點(diǎn)值，以在所述支撐結(jié)構(gòu)30對(duì)應(yīng)的位置受到外界壓力而發(fā)生變形時(shí)，使得所述支撐結(jié)構(gòu)30對(duì)周圍產(chǎn)生的作用力位于所述凹槽內(nèi)，保證所述支撐結(jié)構(gòu)30對(duì)應(yīng)位置的陰極層40即使發(fā)生損壞也是位于對(duì)應(yīng)所述凹槽的位置，而不會(huì)延伸到所述支撐結(jié)構(gòu)30兩側(cè)的發(fā)光層區(qū)，解決了由于所述顯示面板上表面受到壓力而導(dǎo)致部分發(fā)光層不發(fā)光的問題，提高了顯示效果?？蛇x的，所述凹槽的深度D不大于所述像素定義結(jié)構(gòu)20上表面至下表面之間距離H的1/5，包括端點(diǎn)值，以避免由于在所述像素定義結(jié)構(gòu)20內(nèi)設(shè)置凹槽，導(dǎo)致所述像素定義結(jié)構(gòu)20的尺寸過大，而影響所述陣列基板的開口率。
[0045]需要說明的是，在上述任一實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述凹槽上開口面積與所述凹槽底部的面積相等，如矩形;在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，所述凹槽上開口的面積大于所述凹槽底部的面積，如倒梯形或類梯形，其中，所述類梯形與所述倒梯形的區(qū)別在于，所述梯形的側(cè)面為平面，所述類梯形的側(cè)面為曲面或其他非平面。本發(fā)明對(duì)此并不做限定，具體視情況而定。
[0046]相應(yīng)的，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種包括上述任一實(shí)施例所提供的陣列基板的顯示面板和包括該顯示面板的顯示裝置。具體的，在本發(fā)明的一個(gè)可選實(shí)施例中，如圖4所示，所述顯示面板包括:上述任一實(shí)施例所提供的陣列基板;與所述陣列基板相對(duì)設(shè)置的第二基板50。需要說明的是，所述第二基板50可以為玻璃蓋板，也可以為其他結(jié)構(gòu)，本發(fā)明對(duì)此并不做限定，具體視情況而定。還需要說明的是，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述顯示面板還可以包括封裝結(jié)構(gòu)、觸控結(jié)構(gòu)等其他結(jié)構(gòu)，本發(fā)明對(duì)此并不做限定，只要包括本發(fā)明上述任一實(shí)施例所提供的陣列基板即可。
[0047]由上所述可知，本發(fā)明實(shí)施例所提供的陣列基板及包括該陣列基板的顯示面板和包括該顯示面板的顯示裝置，包括:第一基板10、位于所述第一基板10上表面的多個(gè)像素定義結(jié)構(gòu)20，其中，至少一個(gè)所述像素定義結(jié)構(gòu)20上表面具有凹槽以及位于所述凹槽內(nèi)的支撐結(jié)構(gòu)30，從而在包括該陣列基板的顯示面板上表面對(duì)應(yīng)所述支撐結(jié)構(gòu)30的位置受到外界壓力時(shí)，所述支撐結(jié)構(gòu)30產(chǎn)生的作用力主要位于所述凹槽內(nèi)，使得所述支撐結(jié)構(gòu)30對(duì)應(yīng)位置的陰極層40即使發(fā)生損壞也是位于對(duì)應(yīng)所述凹槽的位置，而不會(huì)延伸到所述支撐結(jié)構(gòu)30兩側(cè)的發(fā)光層區(qū)，解決了由于所述顯示面板上表面受到壓力而導(dǎo)致部分發(fā)光層不發(fā)光的問題，提高了顯示效果。
[0048]此外，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種OLED陣列基板的制作方法，如圖5所示，該制作方法包括:
[0049]S1:提供第一基板；
[0050]S2:在所述第一基板上表面形成多個(gè)陽極；
[0051]S3:在所述第一基板上表面形成多個(gè)像素定義結(jié)構(gòu)和支撐結(jié)構(gòu)，所述多個(gè)像素定義結(jié)構(gòu)中至少一個(gè)像素定義結(jié)構(gòu)上表面具有凹槽，所述支撐結(jié)構(gòu)位于所述像素定義結(jié)構(gòu)上表面凹槽內(nèi)，且所述支撐結(jié)構(gòu)的上表面高于所述像素定義結(jié)構(gòu)的上表面，其中，所述多個(gè)像素定義結(jié)構(gòu)將所述第一基板上表面對(duì)應(yīng)顯示區(qū)的位置劃分成多個(gè)子像素區(qū)域；
[0052 ] S4:在所述子像素區(qū)域內(nèi)形成發(fā)光層；
[0053]S5:在所述發(fā)光層和所述支撐結(jié)構(gòu)上表面形成陰極層，所述陰極層完全覆蓋所述發(fā)光層、所述支撐結(jié)構(gòu)和所述像素定義結(jié)構(gòu)。
[0054]在上述任一實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述在所述第一基板上表面形成多個(gè)像素定義結(jié)構(gòu)和支撐結(jié)構(gòu)，至少一個(gè)所述像素定義結(jié)構(gòu)上表面具有凹槽，所述支撐結(jié)構(gòu)位于所述像素定義結(jié)構(gòu)上表面凹槽內(nèi)，且所述支撐結(jié)構(gòu)的上表面高于所述像素定義結(jié)構(gòu)的上表面包括:
[0055]S301:如圖6(a)所示，在所述第一基板100上表面形成光阻層200，所述光阻層200上表面具有第一預(yù)設(shè)區(qū)域201、第二預(yù)設(shè)區(qū)域202和第三預(yù)設(shè)區(qū)域203;
[0056]S302:如圖6(b)所示，對(duì)所述第一預(yù)設(shè)區(qū)域201、第二預(yù)設(shè)區(qū)域202和第三預(yù)設(shè)區(qū)域203采用不同曝光量進(jìn)行曝光、顯影，在所述第一基板100上表面對(duì)應(yīng)所述第一預(yù)設(shè)區(qū)域201的位置形成開口區(qū)，用于形成后續(xù)的發(fā)光層，同時(shí)在所述第一基板100上表面對(duì)應(yīng)所述第二預(yù)設(shè)區(qū)域202的位置形成多個(gè)像素定義結(jié)構(gòu)20，并在所述第一基板100上表面對(duì)應(yīng)所述第三預(yù)設(shè)區(qū)域203的位置形成支撐結(jié)構(gòu)30，其中，至少一個(gè)所述像素定義結(jié)構(gòu)20上表面具有凹槽，所述支撐結(jié)構(gòu)30位于所述像素定義結(jié)構(gòu)20上表面的凹槽內(nèi)，且所述支撐結(jié)構(gòu)30的上表面高于所述像素定義結(jié)構(gòu)20的上表面；
[0057]其中，所述第一預(yù)設(shè)區(qū)域201對(duì)應(yīng)的曝光量大于所述第二預(yù)設(shè)區(qū)域202對(duì)應(yīng)的曝光量，所述第三預(yù)設(shè)區(qū)域203對(duì)應(yīng)的曝光量大于所述第二預(yù)設(shè)區(qū)域202對(duì)應(yīng)的曝光量且小于所述第一預(yù)設(shè)區(qū)域201對(duì)應(yīng)的曝光量。
[0058]需要說明的是，在上述實(shí)施例中，所述像素定義結(jié)構(gòu)和所述支撐結(jié)構(gòu)制作材料為同一種光阻材料，以保證所述像素定義結(jié)構(gòu)、所述支撐結(jié)構(gòu)和所述開口區(qū)可以再同一步曝光、顯影工藝中完成，以節(jié)省工藝步驟，降低制作成本。
[0059]在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，所述在所述第一基板上表面形成多個(gè)像素定義結(jié)構(gòu)和支撐結(jié)構(gòu)，至少一個(gè)所述像素定義結(jié)構(gòu)上表面具有凹槽，所述支撐結(jié)構(gòu)位于所述像素定義結(jié)構(gòu)上表面凹槽內(nèi)，且所述支撐結(jié)構(gòu)的上表面高于所述像素定義結(jié)構(gòu)的上表面包括:
[0060]S311:如圖7(a)所示，在所述第一基板100上表面形成第一光阻層300，所述第一光阻層300上表面具有第一預(yù)設(shè)區(qū)域301、第二預(yù)設(shè)區(qū)域302和第三預(yù)設(shè)區(qū)域303;
[0061 ] S312:如圖7(b)所示，對(duì)所述第一預(yù)設(shè)區(qū)域301、第二預(yù)設(shè)區(qū)域302和第三區(qū)域303采用不同曝光量進(jìn)行曝光、顯影，在所述第一基板100上表面對(duì)應(yīng)所述第一預(yù)設(shè)區(qū)域301的位置形成開口區(qū)，用于形成后續(xù)的發(fā)光層，同時(shí)在所述第一基板100上表面對(duì)應(yīng)所述第二預(yù)設(shè)區(qū)域302的位置形成多個(gè)像素定義結(jié)構(gòu)20，在所述像素定義結(jié)構(gòu)20上表面對(duì)應(yīng)所述第三預(yù)設(shè)區(qū)域303的位置形成凹槽304;
[0062]S313:如圖7(c)所示，在所述凹槽304內(nèi)沉積所述支撐結(jié)構(gòu)30，所述支撐結(jié)構(gòu)30的上表面高于所述像素定義結(jié)構(gòu)20的上表面；
[0063]其中，所述第一預(yù)設(shè)區(qū)域301對(duì)應(yīng)的曝光量大于所述第二預(yù)設(shè)區(qū)域302對(duì)應(yīng)的曝光量，所述第三預(yù)設(shè)區(qū)域303對(duì)應(yīng)的曝光量大于所述第二預(yù)設(shè)區(qū)域302對(duì)應(yīng)的曝光量且小于所述第一預(yù)設(shè)區(qū)域301對(duì)應(yīng)的曝光量。
[0064]在本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例中，所述在所述第一基板上表面形成多個(gè)像素定義結(jié)構(gòu)和支撐結(jié)構(gòu)，至少一個(gè)所述像素定義結(jié)構(gòu)上表面具有凹槽，所述支撐結(jié)構(gòu)位于所述像素定義結(jié)構(gòu)上表面凹槽內(nèi)，且所述支撐結(jié)構(gòu)的上表面高于所述像素定義結(jié)構(gòu)的上表面包括:
[0065]S321:如圖8(a)和圖8(b)所示，在所述第一基板100上表面形成第一光阻層400，對(duì)所述第一光阻層400上表面對(duì)應(yīng)第一預(yù)設(shè)區(qū)域401和第二預(yù)設(shè)區(qū)域402的位置進(jìn)行曝光、顯影，形成開口區(qū)和多個(gè)像素定義結(jié)構(gòu)20;
[0066]S322:如圖8(b)所示，在所述像素定義結(jié)構(gòu)20上表面對(duì)應(yīng)第三預(yù)設(shè)區(qū)域403的位置進(jìn)行曝光、顯影，在至少一個(gè)所述像素定義結(jié)構(gòu)20上表面形成凹槽404;
[0067]S323:如圖8(d)所示，在所述凹槽404內(nèi)沉積支撐結(jié)構(gòu)30，所述支撐結(jié)構(gòu)30的上表面高于所述像素定義結(jié)構(gòu)20的上表面；
[0068]其中，所述第一預(yù)設(shè)區(qū)域401對(duì)應(yīng)的曝光量大于所述第二預(yù)設(shè)區(qū)域402對(duì)應(yīng)的曝光量，所述第三預(yù)設(shè)區(qū)域403對(duì)應(yīng)的曝光量大于所述第二預(yù)設(shè)區(qū)域402對(duì)應(yīng)的曝光量且小于所述第一預(yù)設(shè)區(qū)域401對(duì)應(yīng)的曝光量。
[0069]需要說明的是，在上述兩個(gè)實(shí)施例中，所述支撐結(jié)構(gòu)與所述像素定義結(jié)構(gòu)的制作材料可以相同(即為同一種光阻材料)，也可以不同(即未不同種光阻材料)，本發(fā)明對(duì)此并不做限定，具體視情況而定。還需要說明的是，在本發(fā)明實(shí)施例中，所述第二預(yù)設(shè)區(qū)域的曝光量可以為零，也可以大于零，本發(fā)明對(duì)此也不做限定，具體視情況而定。
[0070]在上述兩個(gè)實(shí)施例的基礎(chǔ)上，當(dāng)所述支撐結(jié)構(gòu)與所述像素定義結(jié)構(gòu)分別形成時(shí)(即不在同一步曝光、顯影工藝中形成時(shí))，在本發(fā)明的一個(gè)可選實(shí)施例中，在所述凹槽內(nèi)沉積支撐結(jié)構(gòu)包括:
[0071]在所述像素定義結(jié)構(gòu)背離所述第一基板的一側(cè)形成第三光阻層；
[0072]對(duì)所述第三光阻層上表面對(duì)應(yīng)第四預(yù)設(shè)區(qū)域的位置進(jìn)行曝光、顯影，在所述像素定義結(jié)構(gòu)的凹槽內(nèi)形成支撐結(jié)構(gòu)，所述支撐結(jié)構(gòu)的上表面高于所述像素定義結(jié)構(gòu)的上表面。其中，所述第四預(yù)設(shè)區(qū)域是指所述第一基板上方除所述第三預(yù)設(shè)區(qū)域外的區(qū)域。
[0073]需要說明的是，在上述實(shí)施例中，所述像素定義結(jié)構(gòu)和所述支撐結(jié)構(gòu)的制作材料均為光阻材料，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述像素定義結(jié)構(gòu)和所述支撐結(jié)構(gòu)的制作材料還可以為非光阻材料類的絕緣材料，下面以所述像素定義結(jié)構(gòu)和所述支撐結(jié)構(gòu)的制作材料均為非光阻材料類的絕緣材料為例，對(duì)所述像素定義結(jié)構(gòu)和所述支撐結(jié)構(gòu)的制作方法進(jìn)行說明。
[0074]在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述在所述第一基板上表面形成多個(gè)像素定義結(jié)構(gòu)和支撐結(jié)構(gòu)，至少一個(gè)所述像素定義結(jié)構(gòu)上表面具有凹槽，所述支撐結(jié)構(gòu)位于所述像素定義結(jié)構(gòu)上表面凹槽內(nèi)，且所述支撐結(jié)構(gòu)的上表面高于所述像素定義結(jié)構(gòu)的上表面包括:
[0075]S331:如圖9(a)所示，在所述第一基板100上表面形成絕緣層500;
[0076]S332:在所述絕緣層500上表面形成光阻層510，所述光阻層510上表面具有第一預(yù)設(shè)區(qū)域501、第二預(yù)設(shè)區(qū)域502和第三預(yù)設(shè)區(qū)域503;
[0077]S333:如圖9(b)所示，對(duì)所述第一預(yù)設(shè)區(qū)域501、第二預(yù)設(shè)區(qū)域502和第三預(yù)設(shè)區(qū)域503采用不同曝光量對(duì)所述光阻層510進(jìn)行曝光、顯影，形成光阻圖案；
[0078]S334:以所述光阻圖案為掩膜版，對(duì)所述絕緣層500進(jìn)行刻蝕，在所述第一基板100上表面對(duì)應(yīng)第一預(yù)設(shè)區(qū)域501的位置形成開口區(qū)，用于形成后續(xù)的發(fā)光層，同時(shí)在所述第一基板100上表面對(duì)應(yīng)所述第二預(yù)設(shè)區(qū)域502的位置形成多個(gè)像素定義結(jié)構(gòu)20，并在所述第一基板100上表面對(duì)應(yīng)所述第三預(yù)設(shè)區(qū)域503的位置形成支撐結(jié)構(gòu)30，其中，至少一個(gè)所述像素定義結(jié)構(gòu)20上表面具有凹槽，所述支撐結(jié)構(gòu)30位于所述像素定義結(jié)構(gòu)20上表面的凹槽內(nèi)，且所述支撐結(jié)構(gòu)30的上表面高于所述像素定義結(jié)構(gòu)20的上表面；
[0079]其中，所述第一預(yù)設(shè)區(qū)域501對(duì)應(yīng)的曝光量大于所述第二預(yù)設(shè)區(qū)域502對(duì)應(yīng)的曝光量，所述第三預(yù)設(shè)區(qū)域503對(duì)應(yīng)的曝光量大于所述第二預(yù)設(shè)區(qū)域502對(duì)應(yīng)的曝光量且小于所述第一預(yù)設(shè)區(qū)域501對(duì)應(yīng)的曝光量。
[0080]需要說明的是，在上述實(shí)施例中，所述像素定義結(jié)構(gòu)和所述支撐結(jié)構(gòu)制作材料為同一種絕緣材料，以保證所述像素定義結(jié)構(gòu)、所述支撐結(jié)構(gòu)和所述開口區(qū)可以再同一步刻蝕工藝中完成，以節(jié)省工藝步驟，降低制作成本。
[0081]在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，所述在所述第一基板上表面形成多個(gè)像素定義結(jié)構(gòu)和支撐結(jié)構(gòu)，至少一個(gè)所述像素定義結(jié)構(gòu)上表面具有凹槽，所述支撐結(jié)構(gòu)位于所述像素定義結(jié)構(gòu)上表面凹槽內(nèi)，且所述支撐結(jié)構(gòu)的上表面高于所述像素定義結(jié)構(gòu)的上表面包括:
[0082]S341:如圖10(a)和圖10(b)所示，在所述第一基板100上表面形成第一絕緣層600 ；
[0083]S342:在所述第一絕緣層600上表面形成第一光阻層610，所述第一光阻層610上表面具有第一預(yù)設(shè)區(qū)域601、第二預(yù)設(shè)區(qū)域602和第三預(yù)設(shè)區(qū)域603;
[0084]S343:對(duì)所述第一預(yù)設(shè)區(qū)域601、第二預(yù)設(shè)區(qū)域602和第三區(qū)域603采用不同曝光量對(duì)所述第一光阻層610進(jìn)行曝光、顯影，形成光阻圖案；
[0085]S344:如圖10(c)所示，以所述光阻圖案為掩膜版，對(duì)所述第一絕緣層600進(jìn)行刻蝕，在所述第一基板100上表面對(duì)應(yīng)所述第一預(yù)設(shè)區(qū)域601的位置形成開口區(qū)，用于形成后續(xù)的發(fā)光層，同時(shí)在所述第一基板100上表面對(duì)應(yīng)所述第二預(yù)設(shè)區(qū)域602的位置形成多個(gè)像素定義結(jié)構(gòu)20，在所述像素定義結(jié)構(gòu)20上表面對(duì)應(yīng)所述第三預(yù)設(shè)區(qū)域603的位置形成凹槽604；
[0086]S345:如圖10(d)所示，在所述凹槽604內(nèi)沉積所述支撐結(jié)構(gòu)30，所述支撐結(jié)構(gòu)30的上表面高于所述像素定義結(jié)構(gòu)20的上表面；
[0087]其中，所述第一預(yù)設(shè)區(qū)域601對(duì)應(yīng)的曝光量大于所述第二預(yù)設(shè)區(qū)域602對(duì)應(yīng)的曝光量，所述第三預(yù)設(shè)區(qū)域603對(duì)應(yīng)的曝光量大于所述第二預(yù)設(shè)區(qū)域602對(duì)應(yīng)的曝光量且小于所述第一預(yù)設(shè)區(qū)域601對(duì)應(yīng)的曝光量。
[0088]在本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例中，所述在所述第一基板上表面形成多個(gè)像素定義結(jié)構(gòu)和支撐結(jié)構(gòu)，至少一個(gè)所述像素定義結(jié)構(gòu)上表面具有凹槽，所述支撐結(jié)構(gòu)位于所述像素定義結(jié)構(gòu)上表面凹槽內(nèi)，且所述支撐結(jié)構(gòu)的上表面高于所述像素定義結(jié)構(gòu)的上表面包括:
[0089]S351:如圖11 (a)和圖11 (b)所示，在所述第一基板100上表面形成第一絕緣層700 ；
[0090]S352:在所述第一絕緣層700上表面形成第一光阻層710;
[0091]S353:如圖11(b)所示，采用不同的曝光量，對(duì)所述第一光阻層710上表面對(duì)應(yīng)第一預(yù)設(shè)區(qū)域701和第二預(yù)設(shè)區(qū)域702的位置進(jìn)行曝光、顯影，形成第一光阻圖案；
[0092]S354:如圖11(c)所示，以所述第一光阻圖案為掩膜，對(duì)所述第一絕緣層700進(jìn)行刻蝕，形成開口區(qū)和多個(gè)像素定義結(jié)構(gòu)20，并去除所述第一光阻層710;
[0093]S355:如圖11 (d)所示，在所述像素定義結(jié)構(gòu)20上表面形成第二光阻層720;
[0094]S357:如圖11 (e)所示，采用不同的曝光量對(duì)所述第二光阻層720上表面對(duì)應(yīng)第三預(yù)設(shè)區(qū)域703的位置進(jìn)行曝光、顯影，形成第二光阻圖案；
[0095]S358:如圖11(f)所示，以所述第二光阻圖案為掩膜，對(duì)所述像素定義結(jié)構(gòu)20進(jìn)行刻蝕，在至少一個(gè)所述像素定義結(jié)構(gòu)20上表面形成凹槽704;
[0096]S359:如圖11 (g)所示，在所述凹槽704內(nèi)沉積支撐結(jié)構(gòu)30，所述支撐結(jié)構(gòu)30的上表面高于所述像素定義結(jié)構(gòu)20的上表面；
[0097]其中，所述第一預(yù)設(shè)區(qū)域701對(duì)應(yīng)的曝光量大于所述第二預(yù)設(shè)區(qū)域702對(duì)應(yīng)的曝光量，所述第三預(yù)設(shè)區(qū)域703對(duì)應(yīng)的曝光量大于所述第二預(yù)設(shè)區(qū)域702對(duì)應(yīng)的曝光量且小于所述第一預(yù)設(shè)區(qū)域701對(duì)應(yīng)的曝光量。
[0098]需要說明的是，在上述兩個(gè)實(shí)施例中，所述支撐結(jié)構(gòu)與所述像素定義結(jié)構(gòu)的制作材料可以相同(即為同一種絕緣材料)，也可以不同(即未不同種絕緣材料)，本發(fā)明對(duì)此并不做限定，具體視情況而定。還需要說明的是，在本發(fā)明實(shí)施例中，所述第二預(yù)設(shè)區(qū)域的曝光量可以為零，也可以大于零，本發(fā)明對(duì)此也不做限定，具體視情況而定。
[0099]在上述兩個(gè)實(shí)施例的基礎(chǔ)上，當(dāng)所述支撐結(jié)構(gòu)與所述像素定義結(jié)構(gòu)分別形成時(shí)(即不在同一步刻蝕工藝中形成時(shí))，在本發(fā)明的一個(gè)可選實(shí)施例中，在所述凹槽內(nèi)沉積支撐結(jié)構(gòu)包括:
[0100]在所述像素定義結(jié)構(gòu)背離所述第一基板的一側(cè)形成第二絕緣層；
[0101 ]在所述第二絕緣層上表面形成第三光阻層；
[0102]對(duì)所述第三光阻層進(jìn)行曝光、顯影，形成第三光阻圖案；
[0103]以所述第三光阻圖案為掩膜，對(duì)所述第二絕緣層進(jìn)行刻蝕，在所述第二絕緣層上表面對(duì)應(yīng)第四預(yù)設(shè)區(qū)域的位置形成支撐結(jié)構(gòu)，所述支撐結(jié)構(gòu)的上表面高于所述像素定義結(jié)構(gòu)的上表面。其中，所述第四預(yù)設(shè)區(qū)域?yàn)樗龅谝换迳戏匠龅谌A(yù)設(shè)區(qū)域之外的區(qū)域。
[0104]需要說明的是，在本發(fā)明任一實(shí)施例里，所述多個(gè)像素定義結(jié)構(gòu)中可以每個(gè)像素定義結(jié)構(gòu)上表面都具有凹槽，也可以部分像素定義結(jié)構(gòu)上表面具有凹槽，部分像素定義結(jié)構(gòu)上表面沒有凹槽，本發(fā)明對(duì)此并不做限定，具體視情況而定。
[0105]還需要說明的是，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述像素定義結(jié)構(gòu)和所述支撐結(jié)構(gòu)的制作材料還可以一個(gè)為光阻材料，一個(gè)為非光阻材料類絕緣材料，如所述像素定義結(jié)構(gòu)的制作材料為光阻材料，所述支撐結(jié)構(gòu)的制作材料為非光阻材料類絕緣材料，或所述支撐結(jié)構(gòu)的制作材料為光阻材料，所述像素定義結(jié)構(gòu)的制作材料為非光阻材料類絕緣材料，本發(fā)明對(duì)此并不做限定，具體視情況而定。
[0106]在上述任一實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在本發(fā)明的一個(gè)可選實(shí)施例中，所述第三預(yù)設(shè)區(qū)域包括第一子區(qū)域和位于所述第一子區(qū)域周緣的第二子區(qū)域，其中，所述第一子區(qū)域?qū)?yīng)的曝光量大于所述第二子區(qū)域的曝光量，以形成類倒梯形的凹槽?？蛇x的，在沿所述第二子區(qū)域至所述第一子區(qū)域方向上，所述第二子區(qū)域中各位置對(duì)應(yīng)的曝光量逐漸增大，以形成倒梯形凹槽。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述第一子區(qū)域?qū)?yīng)的曝光量和所述第二子區(qū)域的曝光量還可以相同，以形成矩形的凹槽，本發(fā)明對(duì)此并不做限定，具體視情況而定。
[0107]綜上所述，利用本發(fā)明實(shí)施例所提供的制作方法制作的陣列基板，包括:第一基板、位于所述第一基板上表面的多個(gè)像素定義結(jié)構(gòu)，其中，至少一個(gè)所述像素定義結(jié)構(gòu)上表面具有凹槽以及位于所述凹槽內(nèi)的支撐結(jié)構(gòu)，從而在包括該陣列基板的顯示面板上表面對(duì)應(yīng)所述支撐結(jié)構(gòu)的位置受到外界壓力時(shí)，所述支撐結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的作用力主要位于所述凹槽內(nèi)，使得所述支撐結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)位置的陰極層即使發(fā)生損壞也是位于對(duì)應(yīng)所述凹槽的位置，而不會(huì)延伸到所述支撐結(jié)構(gòu)兩側(cè)的發(fā)光層區(qū)，解決了由于所述顯示面板上表面受到壓力而導(dǎo)致部分發(fā)光層不發(fā)光的問題，提高了顯示效果。
[0108]本說明書中各個(gè)部分采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)部分重點(diǎn)說明的都是與其他部分的不同之處，各個(gè)部分之間相同相似部分互相參見即可。
[0109]需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語僅僅用來將一個(gè)實(shí)體或者操作與另一個(gè)實(shí)體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示這些實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設(shè)備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個(gè)……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。
[0110]對(duì)所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)被限制于本文所示的實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種OLED陣列基板，其特征在于，包括: 第一基板； 位于所述第一基板上表面的多個(gè)像素定義結(jié)構(gòu)，所述多個(gè)像素定義結(jié)構(gòu)將所述第一基板上表面對(duì)應(yīng)顯示區(qū)的位置劃分成多個(gè)子像素區(qū)域，且至少一個(gè)所述像素定義結(jié)構(gòu)上表面具有凹槽； 位于所述像素定義結(jié)構(gòu)上表面凹槽內(nèi)的支撐結(jié)構(gòu)，所述支撐結(jié)構(gòu)的上表面高于所述像素定義結(jié)構(gòu)的上表面； 位于所述子像素區(qū)域內(nèi)的陽極和發(fā)光層； 覆蓋所述發(fā)光層和所述支撐結(jié)構(gòu)上表面的陰極層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED陣列基板，其特征在于，位于所述凹槽任一側(cè)的所述像素定義結(jié)構(gòu)的上表面寬度不小于lMi。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED陣列基板，其特征在于，所述凹槽的深度為所述像素定義結(jié)構(gòu)上表面至下表面之間距離的1/10-1/5，包括端點(diǎn)值。4.一種顯示面板，其特征在于，包括:權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的OLED陣列基板。5.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求4所述的顯示面板。6.一種OLED陣列基板的制作方法，其特征在于，該方法包括: 提供第一基板； 在所述第一基板上表面形成多個(gè)陽極； 在所述第一基板上表面形成多個(gè)像素定義結(jié)構(gòu)和支撐結(jié)構(gòu)，至少一個(gè)所述像素定義結(jié)構(gòu)上表面具有凹槽，所述支撐結(jié)構(gòu)位于所述像素定義結(jié)構(gòu)上表面凹槽內(nèi)，且所述支撐結(jié)構(gòu)的上表面高于所述像素定義結(jié)構(gòu)的上表面，其中，所述多個(gè)像素定義結(jié)構(gòu)將所述第一基板上表面對(duì)應(yīng)顯示區(qū)的位置劃分成多個(gè)子像素區(qū)域； 在所述子像素區(qū)域內(nèi)形成發(fā)光層； 在所述發(fā)光層和所述支撐結(jié)構(gòu)上表面形成陰極層，所述陰極層完全覆蓋所述發(fā)光層、所述支撐結(jié)構(gòu)和所述像素定義結(jié)構(gòu)。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一基板上表面形成多個(gè)像素定義結(jié)構(gòu)和支撐結(jié)構(gòu)，至少一個(gè)所述像素定義結(jié)構(gòu)上表面具有凹槽，所述支撐結(jié)構(gòu)位于所述像素定義結(jié)構(gòu)上表面凹槽內(nèi)，且所述支撐結(jié)構(gòu)的上表面高于所述像素定義結(jié)構(gòu)的上表面包括: 在所述第一基板上表面形成光阻層，所述光阻層上表面具有第一預(yù)設(shè)區(qū)域、第二預(yù)設(shè)區(qū)域和第三預(yù)設(shè)區(qū)域； 對(duì)所述第一預(yù)設(shè)區(qū)域、第二預(yù)設(shè)區(qū)域和第三區(qū)域采用不同曝光量進(jìn)行曝光、顯影，在所述第一基板上表面對(duì)應(yīng)所述第一預(yù)設(shè)區(qū)域的位置形成開口區(qū)，用于形成后續(xù)的發(fā)光層，同時(shí)在所述第一基板上表面對(duì)應(yīng)所述第二預(yù)設(shè)區(qū)域的位置形成多個(gè)像素定義結(jié)構(gòu)，在所述第一基板上表面對(duì)應(yīng)所述第三預(yù)設(shè)區(qū)域的位置形成支撐結(jié)構(gòu)，其中，所述像素定義結(jié)構(gòu)上表面具有凹槽，所述支撐結(jié)構(gòu)位于所述像素定義結(jié)構(gòu)上表面凹槽內(nèi)，且所述支撐結(jié)構(gòu)的上表面高于所述像素定義結(jié)構(gòu)的上表面； 其中，所述第一預(yù)設(shè)區(qū)域?qū)?yīng)的曝光量大于所述第二預(yù)設(shè)區(qū)域?qū)?yīng)的曝光量，所述第三預(yù)設(shè)區(qū)域?qū)?yīng)的曝光量大于所述第二預(yù)設(shè)區(qū)域?qū)?yīng)的曝光量且小于所述第一預(yù)設(shè)區(qū)域?qū)?yīng)的曝光量。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一基板上表面形成多個(gè)像素定義結(jié)構(gòu)和支撐結(jié)構(gòu)，至少一個(gè)所述像素定義結(jié)構(gòu)上表面具有凹槽，所述支撐結(jié)構(gòu)位于所述像素定義結(jié)構(gòu)上表面凹槽內(nèi)，且所述支撐結(jié)構(gòu)的上表面高于所述像素定義結(jié)構(gòu)的上表面包括: 在所述第一基板上表面形成第一光阻層，所述第一光阻層上表面具有第一預(yù)設(shè)區(qū)域、第二預(yù)設(shè)區(qū)域和第三預(yù)設(shè)區(qū)域； 對(duì)所述第一預(yù)設(shè)區(qū)域、第二預(yù)設(shè)區(qū)域和第三區(qū)域采用不同曝光量進(jìn)行曝光、顯影，在所述第一基板上表面對(duì)應(yīng)所述第一預(yù)設(shè)區(qū)域的位置形成開口區(qū)，用于形成后續(xù)的發(fā)光層，同時(shí)在所述第一基板上表面對(duì)應(yīng)所述第二預(yù)設(shè)區(qū)域的位置形成多個(gè)像素定義結(jié)構(gòu)，在所述像素定義結(jié)構(gòu)上表面對(duì)應(yīng)所述第三預(yù)設(shè)區(qū)域的位置形成凹槽； 在所述凹槽內(nèi)沉積所述支撐結(jié)構(gòu)，所述支撐結(jié)構(gòu)的上表面高于所述像素定義結(jié)構(gòu)的上表面； 其中，所述第一預(yù)設(shè)區(qū)域?qū)?yīng)的曝光量大于所述第二預(yù)設(shè)區(qū)域?qū)?yīng)的曝光量，所述第三預(yù)設(shè)區(qū)域?qū)?yīng)的曝光量大于所述第二預(yù)設(shè)區(qū)域?qū)?yīng)的曝光量且小于所述第一預(yù)設(shè)區(qū)域?qū)?yīng)的曝光量。9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一基板上表面形成多個(gè)像素定義結(jié)構(gòu)和支撐結(jié)構(gòu)，至少一個(gè)所述像素定義結(jié)構(gòu)上表面具有凹槽，所述支撐結(jié)構(gòu)位于所述像素定義結(jié)構(gòu)上表面凹槽內(nèi)，且所述支撐結(jié)構(gòu)的上表面高于所述像素定義結(jié)構(gòu)的上表面包括: 在所述第一基板上表面形成第一光阻層，對(duì)所述第一光阻層上表面對(duì)應(yīng)第一預(yù)設(shè)區(qū)域和第二預(yù)設(shè)區(qū)域的位置進(jìn)行曝光、顯影，形成開口區(qū)和多個(gè)像素定義結(jié)構(gòu)； 對(duì)所述像素定義結(jié)構(gòu)上表面對(duì)應(yīng)第三預(yù)設(shè)區(qū)域的位置進(jìn)行曝光、顯影，在至少一個(gè)所述像素定義結(jié)構(gòu)上表面形成凹槽； 在所述凹槽內(nèi)沉積支撐結(jié)構(gòu)，所述支撐結(jié)構(gòu)的上表面高于所述像素定義結(jié)構(gòu)的上表面； 其中，所述第一預(yù)設(shè)區(qū)域?qū)?yīng)的曝光量大于所述第二預(yù)設(shè)區(qū)域?qū)?yīng)的曝光量，所述第三預(yù)設(shè)區(qū)域?qū)?yīng)的曝光量大于所述第二預(yù)設(shè)區(qū)域?qū)?yīng)的曝光量且小于所述第一預(yù)設(shè)區(qū)域?qū)?yīng)的曝光量。10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的制作方法，其特征在于，在所述凹槽內(nèi)沉積支撐結(jié)構(gòu)包括: 在所述像素定義結(jié)構(gòu)背離所述第一基板的一側(cè)形成第三光阻層； 對(duì)所述第三光阻層上表面對(duì)應(yīng)第四預(yù)設(shè)區(qū)域的位置進(jìn)行曝光、顯影，在所述像素定義結(jié)構(gòu)的凹槽內(nèi)形成支撐結(jié)構(gòu)，所述支撐結(jié)構(gòu)的上表面高于所述像素定義結(jié)構(gòu)的上表面。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述像素定義結(jié)構(gòu)的制作材料與所述支撐結(jié)構(gòu)的制作材料相同或不同。12.根據(jù)權(quán)利要求7-9任一項(xiàng)所述的制作方法，其特征在于，所述第三預(yù)設(shè)區(qū)域包括第一子區(qū)域和位于所述第一子區(qū)域周緣的第二子區(qū)域，其中，所述第一子區(qū)域?qū)?yīng)的曝光量大于所述第二子區(qū)域的曝光量。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制作方法，其特征在于，在沿所述第二子區(qū)域至所述第一子區(qū)域方向上，所述第二子區(qū)域中各位置對(duì)應(yīng)的曝光量逐漸增大。
【文檔編號(hào)】H01L21/77GK105845711SQ201610327713
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2016年5月17日
【發(fā)明人】王永志, 尹招弟, 熊志勇, 朱見杰, 蔣卡恩
【申請人】上海天馬有機(jī)發(fā)光顯示技術(shù)有限公司, 天馬微電子股份有限公司