1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：
在襯底基板上依次形成半導(dǎo)體層、柵極絕緣層、柵極以及中間介質(zhì)層；
對所述中間介質(zhì)層進行過孔刻蝕直至露出部分所述半導(dǎo)體層；
對所述過孔內(nèi)露出的部分半導(dǎo)體層進行等離子轟擊；
在所述中間介質(zhì)層上形成通過所述過孔與所述半導(dǎo)體層相連的源漏電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述半導(dǎo)體層的材料為根據(jù)預(yù)設(shè)的接觸電阻確定的，其中，所述接觸電阻為所述源漏極與所述半導(dǎo)體層接觸產(chǎn)生的電阻。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，對所述過孔內(nèi)露出的部分半導(dǎo)體層進行等離子轟擊工藝的時間、等離子轟擊工藝的流量均與接觸電阻呈負相關(guān)，其中，所述接觸電阻為所述源漏極與所述半導(dǎo)體層接觸產(chǎn)生的電阻。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述等離子轟擊工藝的氣體為氦氣、氮氣、氨氣或氫氣。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，對所述中間介質(zhì)層進行干刻工藝，包括：
通過四氟化碳和氧氣對所述中間介質(zhì)層進行干刻工藝。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成的所述中間介質(zhì)層的厚度大于或等于100納米且小于或等于500納米。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在形成柵極之后，在形成中間介質(zhì)層之前，該方法還包括：
對所述半導(dǎo)體層中未被覆蓋的區(qū)域進行等離子轟擊工藝。
8.一種顯示面板，其特征在于，包括：通過權(quán)利要求1-7任一項所述的方法制作的陣列基板。
9.一種顯示裝置，其特征在于，包括：權(quán)利要求8所述的顯示面板。