本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種電子設(shè)備、陣列基板及其制作方法。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有技術(shù)中，液晶顯示基板包括BM(黑矩陣)與PS(Photo Space；間隔物)，其中，BM在液晶顯示基板中起到遮光作用，以使顯示面板達(dá)到較佳的顯示效果，PS設(shè)置于兩基板之間以維持液晶顯示基板兩基板之間的距離，PS通常包括Main PS(主要間隔物)及Sub PS(輔助間隔物)，其中，Main PS在陣列基板與彩膜基板封合時(shí)起到支撐液晶盒厚的作用，Sub PS在液晶盒受到進(jìn)一步的外力擠壓時(shí)起到支撐及緩沖作用。

目前業(yè)界制作液晶顯示基板的BM與PS，可采用以下方法：

一、常規(guī)設(shè)計(jì)，采用透明的PS材料，BM與PS分別兩道獨(dú)立的制程完成，其制程效率低，成本高，而且為了實(shí)現(xiàn)Main PS及Sub PS的高度差，通常是在PS光罩上設(shè)計(jì)不同的形狀以實(shí)現(xiàn)Main PS與Sub PS不同高度的目的，需要單獨(dú)設(shè)置PS光罩的類(lèi)型及數(shù)量，增加了制程的復(fù)雜度。

二、采用改進(jìn)的材料BPS(Black Photo Space)，將BM與PS合成在一道制程中完成，但目前的處理方法需要借助MTM(Multi Tone Mask；多段式調(diào)整光罩)技術(shù)，以對(duì)BPS實(shí)現(xiàn)三種不同強(qiáng)度的光照曝光，進(jìn)而顯影后得到三個(gè)不同厚度的BPS圖形，即BM、Main PS及Sub PS，但由于MTM光罩復(fù)雜且昂貴，且在曝光時(shí)需要同時(shí)兼顧三個(gè)高度，BPS黃光工藝較難調(diào)節(jié)，因此，生產(chǎn)成本也居高不下，且生產(chǎn)效率不高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明提供一種電子設(shè)備、陣列基板及其制作方法，可降低液晶顯示面板的生產(chǎn)成本，且降低制程難度，提高生產(chǎn)效率。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的一方面提供一種陣列基板的制作方法，包括：在基層一側(cè)形成并排設(shè)置的至少第一色阻層、第二色阻層、至少第一凸塊、第二凸塊，第一凸塊由至少第一色阻層、第二色阻層中的兩個(gè)色阻層的各自一部分堆疊而成，第二凸塊是由至少第一色阻層、第二色阻層中的一個(gè)色阻層的一部分構(gòu)成，第一凸塊高于第二凸塊；在基層一側(cè)形成與至少第一色阻層、第二色阻層一起并排設(shè)置的遮光層，并且第一凸塊之上的遮光層跟隨凸起以形成第一間隔柱，并高于第二凸塊之上的遮光層跟隨凸起以形成的第二間隔柱。

其中，在基層一側(cè)形成與至少第一色阻層、第二色阻層一起并排設(shè)置的遮光層包括：在基層一側(cè)涂覆流體狀的遮光層材料，遮光層材料覆蓋至少第一凸塊、第二凸塊；在遮光層材料流平之前，采用光罩對(duì)遮光層材料曝光，其中對(duì)應(yīng)像素區(qū)域之間遮光區(qū)域的光罩區(qū)域光線通過(guò)率相同；蝕刻掉對(duì)應(yīng)像素區(qū)域的遮光層材料。

其中，制作方法進(jìn)一步包括：在基層的一側(cè)進(jìn)一步形成第三色阻層，第三色阻層與至少第一色阻層、第二色阻層、至少第一凸塊、第二凸塊并排設(shè)置，第一凸塊由第一色阻層、第二色阻層的各自一部分堆疊而成，第二凸塊是由三色阻層的一部分構(gòu)成；在形成第一色阻層、第二色阻層的同時(shí)，各留下一部分形成堆疊色阻塊，以形成第一凸塊，在形成第三色阻層的同時(shí)，留下一部分色阻塊而形成第二凸塊。

其中，遮光層沿著第一色阻層、第二色阻層的排列方向條狀延伸，同時(shí)也沿著第一色阻層、第二色阻層之間的分界線條狀延伸；或遮光層僅沿著第一色阻層、第二色阻層的排列方向條狀延伸，陣列基板包括像素電極以及沿著第一色阻層、第二色阻層之間的分界線條狀延伸的陣列公共電極，陣列公共電極與像素電極同層設(shè)置，且電壓與對(duì)基板上的公共電極相同。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明另一方面提供一種陣列基板，包括：基層；至少第一色阻層、第二色阻層，并排設(shè)置于基層一側(cè)；遮光層，與至少第一色阻層、第二色阻層一起并排設(shè)置于基層一側(cè)；至少第一凸塊、第二凸塊，設(shè)置于遮光層與基層之間，第一凸塊由至少第一色阻層、第二色阻層中的兩個(gè)色阻層的各自一部分堆疊而成，第二凸塊是由至少第一色阻層、第二色阻層中的一個(gè)色阻層的一部分構(gòu)成，第一凸塊高于第二凸塊，使得第一凸塊之上的遮光層跟隨凸起以形成第一間隔柱，并高于第二凸塊之上的遮光層跟隨凸起以形成的第二間隔柱

其中，遮光層采用光罩蝕刻而成，且對(duì)應(yīng)遮光層的光罩區(qū)域光線通過(guò)率相同。

其中，陣列基板進(jìn)一步包括第三色阻層，第一凸塊由第一色阻層、第二色阻層的各自一部分堆疊而成，第二凸塊是由三色阻層的一部分構(gòu)成。

其中，第一色阻層、第二色阻層分別是紅色色阻層、綠色色阻層，第三色阻層是藍(lán)色色阻層。

其中，遮光層沿著第一色阻層、第二色阻層的排列方向條狀延伸，同時(shí)也沿著第一色阻層、第二色阻層之間的分界線條狀延伸；或遮光層僅沿著第一色阻層、第二色阻層的排列方向條狀延伸，陣列基板包括像素電極以及沿著第一色阻層、第二色阻層之間的分界線條狀延伸的陣列公共電極，陣列公共電極與像素電極同層設(shè)置，且電壓與對(duì)基板上的公共電極相同。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的第三方面提供一種電子設(shè)備，包括上述陣列基板。

通過(guò)上述方案，本發(fā)明的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的陣列基板，可通過(guò)在基層的一側(cè)形成多個(gè)色阻層，并由多個(gè)色阻層的至少部分堆疊形成多個(gè)凸塊，且凸塊的高度不一，進(jìn)而在凸塊上進(jìn)一步設(shè)置遮光層，從而形成不同高度的間隔柱，從而實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)化制程，且不需要借助復(fù)雜結(jié)構(gòu)的光罩，降低生產(chǎn)成本，提高生產(chǎn)效率。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。其中：

圖1是本發(fā)明一實(shí)施例的陣列基板的制作方法的流程示意圖；

圖2是本發(fā)明一實(shí)施例的陣列基板的俯視圖；

圖3是圖2所示陣列基板沿A-A'線的剖面圖；

圖4是本發(fā)明又一實(shí)施例的陣列基板的俯視圖；

圖5是本發(fā)明一實(shí)施例的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，其中本發(fā)明中相同標(biāo)號(hào)表示相同或類(lèi)似的元件或具有相同或類(lèi)似功能的元件。顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性的勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

請(qǐng)一并參看圖1-3，圖1是本發(fā)明一實(shí)施例的陣列基板的制作方法的流程示意圖，圖2是采用圖1的制作方法制得的陣列基板的俯視圖，圖3是圖2所示陣列基板沿A-A'線的剖面圖。如圖1-3所示，本實(shí)施例的陣列基板100的制作方法包括：

S101：在基層110一側(cè)形成并排設(shè)置的至少第一色阻層120、第二色阻層130、至少第一凸塊101及第二凸塊102。

其中，基層110的材料可為玻璃基材或塑料基材。第一凸塊101由至少第一色阻層120、第二色阻層130中的兩個(gè)色阻層的各自一部分堆疊而成，第二凸塊102是由至少第一色阻層120、第二色阻層130中的一個(gè)色阻層的一部分構(gòu)成，并且第一凸塊101的高度h1大于第二凸塊102的高度h2。其中，第一色阻層120及第二色阻層130可為紅色色阻層R、綠色色阻層G或藍(lán)色色阻層B中的任意兩種。因此，可在形成第一色阻層120及第二色阻層130的同時(shí)，將第一色阻層120及第二色阻層130各留下一部分形成堆疊色阻塊，使該堆疊色阻塊形成為第一凸塊101，并在形成第一色阻層120或第二色阻層130的同時(shí)，將第一色阻層120或者第二色阻層130留下一部分形成色阻塊，使該色阻塊形成為第二凸塊102，并且使第一凸塊101高于第二凸塊102。

在其他實(shí)施例中，還可在基層110的一側(cè)進(jìn)一步形成第三色阻層140，并使第三色阻層140與至少第一色阻層120、第二色阻層130、至少第一凸塊101、第二凸塊102并排設(shè)置，進(jìn)而，第一凸塊101可由第一色阻層120、第二色阻層130的各自一部分堆疊而成，第二凸塊102可由第三色阻層140的一部分構(gòu)成。因此，在形成第一色阻層120、第二色阻層130的同時(shí)，可由所述第一色阻層120、第二色阻層130的各自留下一部分堆疊而成色阻層，進(jìn)而形成第一凸塊101，在形成第三色阻層140的同時(shí)，留下一部分形成色阻層以形成第二凸塊102，并且使第一凸塊101高于第二凸塊102。

S102：在基層110一側(cè)形成與至少第一色阻層120、第二色阻層130一起并排設(shè)置的遮光層103。

其中，在基層110一側(cè)涂覆流體狀的遮光層103材料，例如BPS，遮光層103材料覆蓋至少第一凸塊101、第二凸塊102，在遮光層103材料流平之前，即第一凸塊101上的遮光層103材料仍然高于第二凸塊102上的遮光層103材料的期間，采用光罩對(duì)遮光層103材料曝光，進(jìn)而將第一凸塊101上的遮光層103和第二凸塊102上的遮光層103材料固化，也就是使第一凸塊101上的遮光層103材料高于第二凸塊102上的遮光層103材料的關(guān)系固化。然后，蝕刻掉對(duì)應(yīng)像素區(qū)域的遮光層103材料，使得形成于第一凸塊101之上的遮光層103跟隨凸起以形成第一間隔柱104，形成于第二凸塊102之上的遮光層103跟隨凸起以形成的第二間隔柱105，第一間隔柱104的高度h6大于第二間隔柱105的高度h7。其中，對(duì)應(yīng)于像素區(qū)域之間的遮光區(qū)域的光罩區(qū)域的透光率相同。因此，在顯影蝕刻后，遮光層103在陣列基板100各個(gè)區(qū)域的厚度相同，即使得第一間隔柱104與第二間隔柱105的高度差為色阻疊層的高度差。

在本實(shí)施例中，遮光層103沿著第一色阻層120、第二色阻層130的排列方向條狀延伸，同時(shí)也沿著第一色阻層120、第二色阻層130之間的分界線條狀延伸。在其他實(shí)施例中，如圖4所示，遮光層103可僅沿著第一色阻層120、第二色阻層130的排列方向條狀延伸，陣列基板200進(jìn)一步包括像素電極(圖未示)以及沿著第一色阻層120、第二色阻層130之間的分界線條狀延伸的陣列公共電極220，陣列公共電極220與像素電極同層設(shè)置，且電壓與對(duì)基板上的公共電極相同。

綜上，本實(shí)施例的陣列基板100的制作，通過(guò)在基層110的一側(cè)并排設(shè)置多個(gè)色阻層，由多個(gè)色阻層中的各自一部分堆疊形成多個(gè)凸塊，并在色阻層上設(shè)置遮光層103，遮光層103形成于凸塊上并隨著凸塊凸起進(jìn)而形成間隔柱，由于凸塊的高度不一，因此形成的間隔柱的高度也不一，因此，本實(shí)施例無(wú)需額外設(shè)置BM，并且通過(guò)色阻疊層的高度差進(jìn)而形成不同高度的間隔柱，即同時(shí)形成BM、Main PS及Sub PS，無(wú)需設(shè)計(jì)復(fù)雜結(jié)構(gòu)的光罩以形成不同高度的間隔柱，降低生產(chǎn)成本，并且簡(jiǎn)化制程，降低制程難度。

請(qǐng)進(jìn)一步參看圖2，圖2是本發(fā)明一實(shí)施例的陣列基板的俯視圖。如圖2所示，本實(shí)施例的陣列基板100包括基層110、形成于基層110上的遮光層103、形成于遮光層103圍設(shè)而成的子像素區(qū)域中的單層色阻層，其中，紅色子像素區(qū)域中設(shè)置紅色色阻層R，綠色子像素區(qū)域中設(shè)置綠色色阻層G，藍(lán)色子像素區(qū)域中設(shè)置藍(lán)色色阻層B，并且相鄰的子像素區(qū)域中形成對(duì)應(yīng)的色阻層中的一部分堆疊而成的色阻疊層，如圖2所示，以兩排子像素區(qū)域?yàn)槔?，在柵極掃描線對(duì)應(yīng)的區(qū)域，形成有部分紅色色阻層R及綠色色阻層G形成的色阻疊層，以及另外位置的藍(lán)色色阻層B。

結(jié)合圖2，請(qǐng)進(jìn)一步參看圖3，圖3是圖2所示陣列基板沿A-A'線的剖面圖。如圖3所示，陣列基板100包括基層110、至少第一色阻層120、第二色阻層130、遮光層103、至少第一凸塊101及第二凸塊102。其中，至少第一色阻層120及第二色阻層130并排設(shè)置于基層110一側(cè)，遮光層103與至少第一色阻層120及第二色阻層130一起并排設(shè)置于基層110一側(cè)，至少第一凸塊101及第二凸塊102設(shè)置于遮光層103與基層110之間，并且第一凸塊101由至少第一色阻層120、第二色阻層130中的兩個(gè)色阻層的各自一部分堆疊而成，第二凸塊102是由至少第一色阻層120、第二色阻層130中的一個(gè)色阻層的一部分構(gòu)成，第一凸塊101高于第二凸塊102，使得第一凸塊101之上的遮光層103跟隨凸起以形成第一間隔柱104，并高于第二凸塊102之上的遮光層103跟隨凸起以形成的第二間隔柱105。

在其他實(shí)施例中，陣列基板100進(jìn)一步包括第三色阻層140，第一凸塊101由第一色阻層120、第二色阻層130的各自一部分堆疊而成，第二凸塊102是由三色阻層的一部分構(gòu)成，可選地，第一色阻層120、第二色阻層130分別是紅色色阻層R、綠色色阻層G，第三色阻層140是藍(lán)色色阻層B。又或者，第一色阻層120、第二色阻層130及第三色阻層140分別是紅色色阻層R、綠色色阻層G及藍(lán)色色阻層B中的任意一種，在此不再限制。

圖3以紅色色阻層R、綠色色阻層G及藍(lán)色色阻層B為例說(shuō)明。其中第一凸塊101及第二凸塊102設(shè)置于遮光層103與基層110之間，第一凸塊101由紅色色阻層R及綠色色阻層G的各自部分堆疊而成，第二凸塊102由藍(lán)色色阻層B中的一部分構(gòu)成，第一凸塊101的高度h1大于第二凸塊102的高度h2，第一凸塊101上的遮光層103跟隨第一凸塊101凸起形成第一間隔柱104，第二凸塊102上的遮光層103跟隨第二凸塊102凸起形成第二間隔柱105。

其中，遮光層103采用光罩蝕刻而成，且對(duì)應(yīng)遮光層103的光罩區(qū)域光線通過(guò)率相同，因此，使得對(duì)應(yīng)于第一凸塊101上的遮光層103的厚度h3、對(duì)應(yīng)于第二凸塊102上的遮光層103的厚度h4及其余區(qū)域的遮光層103的厚度h5相等。

并且，遮光層103沿著紅色色阻層R、綠色色阻層G的排列方向條狀延伸，同時(shí)也沿著紅色色阻層R、綠色色阻層G的分界線條狀延伸。

在其他實(shí)施例中，如圖4所示，遮光層103可僅沿著紅色色阻層R、綠色色阻層G的排列方向條狀延伸，陣列基板200還包括像素電極(圖未示)以及沿著紅色色阻層R及綠色色阻層G之間的分界線條狀延伸的陣列公共電極220，陣列公共電極220與像素電極同層設(shè)置，且電壓與對(duì)基板(圖未示)上的公共電極(圖未示)相同。

因此，本實(shí)施例可在基層110上形成色阻疊層，并進(jìn)一步在色阻疊層上設(shè)置遮光層103，從而利用色阻疊層的高度差異，在陣列基板100上形成不同具有不同高度間隔柱，即BM、Main PS及Sub PS，簡(jiǎn)化陣列基板100的制程，降低制程難度及光罩成本，并且無(wú)需額外設(shè)置BM，提高生產(chǎn)效率。

如圖5所示，本發(fā)明還提供一種電子設(shè)備300，包括彩膜基板310、陣列基板100或200及設(shè)置于彩膜基板310與陣列基板100或200之間的液晶層320，其中陣列基板100或200為上述實(shí)施例的陣列基板100或200，在此不再贅述。

綜上所述，區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明電子設(shè)備、陣列基板及其制作方法，其中陣列基板可通過(guò)在基層一側(cè)形成并排設(shè)置的多個(gè)色阻層，并且多個(gè)色阻層中的各自部分堆疊形成凸塊，并在凸塊上設(shè)置有遮光層，從而形成不同高度的間隔柱作為BM、Main PS及Sub PS，降低了陣列基板的制程難度，并且降低光罩的成本，提高生產(chǎn)效率。

以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專(zhuān)利范圍，凡是利用本發(fā)明說(shuō)明書(shū)及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專(zhuān)利保護(hù)范圍內(nèi)。