本發(fā)明涉及TFT顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及TFT陣列基板及其制備方法。

背景技術(shù)：

隨著互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的飛速發(fā)展，與之相對(duì)應(yīng)的移動(dòng)終端產(chǎn)品，如手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦等已成為人們?nèi)粘Ｉ町?dāng)中的必需品。薄膜晶體管(TFT)式顯示屏是各類筆記本電腦和臺(tái)式機(jī)上的主流顯示設(shè)備，該類顯示屏上的每個(gè)像素點(diǎn)都是由集成在像素點(diǎn)后面的TFT來驅(qū)動(dòng)，其具有高響應(yīng)度、高亮度、高對(duì)比度等優(yōu)點(diǎn)，顯示效果接近CRT式顯示器。

圖1a所示為現(xiàn)有技術(shù)中TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。從圖中可以看出，該TFT陣列基板包括襯底10，以及沉積在襯底10之上的TFT結(jié)構(gòu)層11。其中TFT結(jié)構(gòu)層包括至少一個(gè)TFT結(jié)構(gòu)單元110。圖1b所示為圖1a中一個(gè)TFT結(jié)構(gòu)單元的放大圖。從圖中可以看出，對(duì)于每一個(gè)TFT結(jié)構(gòu)單元110而言，從下到上依次包括絕緣層111、P型半導(dǎo)體層112、柵極絕緣層113、柵極114、源極115、漏極116、鈍化層117。

然而，具備上述TFT陣列基板的移動(dòng)終端設(shè)備在實(shí)際應(yīng)用過程中，如果長時(shí)間連續(xù)使用，會(huì)導(dǎo)致機(jī)身發(fā)熱，隨之而來的可能是產(chǎn)品使用性能降低，耗電量增加，硬件老化加快等，這些問題無一不制約著產(chǎn)品性能的發(fā)揮。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種TFT陣列基板，解決了移動(dòng)終端產(chǎn)品長時(shí)間使用導(dǎo)致機(jī)身發(fā)熱，進(jìn)而降低產(chǎn)品性能的問題。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種TFT陣列基板的制備方法，使TFT陣列基板同時(shí)具備了薄膜溫差電池的功能。

本發(fā)明一實(shí)施例提供的一種TFT陣列基板，包括TFT結(jié)構(gòu)單元，還包括N型半導(dǎo)體單元，N型半導(dǎo)體單元與所述TFT結(jié)構(gòu)單元中的P型半導(dǎo)體層通過金屬線串聯(lián)形成熱電單元。

本發(fā)明還提供了一種TFT陣列基板的制備方法，包括逐層制備TFT結(jié)構(gòu)層，進(jìn)一步包括，制備N型半導(dǎo)體單元，并將N型半導(dǎo)體單元與TFT結(jié)構(gòu)單元中的P型半導(dǎo)體層通過金屬線串聯(lián)形成熱電單元。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種TFT陣列基板及其制備方法，通過在現(xiàn)有TFT結(jié)構(gòu)層的基礎(chǔ)上增加一個(gè)N型半導(dǎo)體層，然后借助TFT結(jié)構(gòu)層中的P型半導(dǎo)體層形成了熱電單元結(jié)構(gòu)，方法簡(jiǎn)單，同時(shí)擴(kuò)展了現(xiàn)有TFT陣列基板的功能。在制備顯示屏?xí)r，可以利用顯示屏工作時(shí)產(chǎn)生的熱量來發(fā)電，一方面綠色節(jié)能，另一方面可以為顯示屏表面降溫，降低了顯示屏使用過程中表面過熱帶來的一系列不良后果。

附圖說明

圖1a所示為現(xiàn)有技術(shù)中TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖1b所示為圖1a中一個(gè)TFT結(jié)構(gòu)單元的放大圖。

圖2a所示為本發(fā)明一實(shí)施例提供的TFT陣列基板的局部截面示意圖。

圖2b所示為圖2a中熱電單元的電流回路示意圖。

圖3所示為本發(fā)明一實(shí)施例提供的熱電單元串并聯(lián)形成薄膜電池陣列的電路連接關(guān)系示意圖。

圖4所示為本發(fā)明一實(shí)施例提供的TFT陣列基板的制備方法流程圖。

圖5a-圖5d所示為本發(fā)明一實(shí)施例提供的TFT陣列基板制備過程示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明提供的TFT陣列基板，與現(xiàn)有技術(shù)相比進(jìn)一步包括N型半導(dǎo)體層，該N型半導(dǎo)體層又包括至少一個(gè)N型半導(dǎo)體單元，每一個(gè)N型半導(dǎo)體單元對(duì)應(yīng)一個(gè)TFT結(jié)構(gòu)單元，N型半導(dǎo)體單元的一端與與之對(duì)應(yīng)的TFT結(jié)構(gòu)單元中的P型半導(dǎo)體層的一端通過金屬線相連形成熱電單元。

圖2a所示為本發(fā)明一實(shí)施例提供的TFT陣列基板的局部截面示意圖。從圖中可以看出，該陣列基板相比于現(xiàn)有技術(shù)而言，在TFT結(jié)構(gòu)層11中位于最底層的絕緣層111與襯底10之間進(jìn)一步包括一個(gè)N型半導(dǎo)體層12，該N型半導(dǎo)體層12包括至少一個(gè)N型半導(dǎo)體單元120，每一個(gè)N型半導(dǎo)體單元120對(duì)應(yīng)一個(gè)TFT結(jié)構(gòu)單元110。每一個(gè)N型半導(dǎo)體單元120的兩端分別包括第一金屬引線121和第二金屬引線122，其中第一金屬引線121與TFT結(jié)構(gòu)單元110的源極115(或漏極116)相連形成串聯(lián)結(jié)構(gòu)的電路單元，即熱電單元，則第二金屬引線122和TFT結(jié)構(gòu)單元110的漏極116(或源極115)分別為熱電單元的正、負(fù)電極，該熱電單元中的電流回路如圖2b中虛箭頭線所示。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，圖2a和圖2b示出的熱電單元的具體結(jié)構(gòu)只是示例性的，也可以不借助TFT結(jié)構(gòu)單元110的源極115和漏極116，而是在TFT結(jié)構(gòu)單元110中的P型半導(dǎo)體層兩端單獨(dú)設(shè)置兩條金屬線，專門用于形成熱電單元，此時(shí)可以設(shè)置其中的一條金屬線與第一金屬引線121電連接，另一條金屬線作為熱電單元的負(fù)極。

在一個(gè)實(shí)施例中，N型半導(dǎo)體層12也可以設(shè)置在TFT結(jié)構(gòu)層11之上。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的TFT陣列基板，通過在現(xiàn)有TFT結(jié)構(gòu)層11的基礎(chǔ)上增加一個(gè)N型半導(dǎo)體層12，然后借助TFT結(jié)構(gòu)層中的P型半導(dǎo)體層形成了熱電單元結(jié)構(gòu)。方法簡(jiǎn)單，同時(shí)擴(kuò)展了現(xiàn)有TFT陣列基板的功能。

當(dāng)將如圖2a所示TFT陣列基板用于制造顯示屏?xí)r，可以將所有的熱電單元通過串聯(lián)和/或并聯(lián)的方式組成薄膜電池陣列。圖3所示為本發(fā)明一實(shí)施例提供的熱電單元串并聯(lián)形成薄膜電池陣列的電路連接關(guān)系示意圖。從圖中可以看出，熱電單元1-1到1-6、熱電單元2-1到2-6、熱電單元3-1到3-6分別串聯(lián)組成三個(gè)串聯(lián)行，三個(gè)串聯(lián)行再相互并聯(lián)組成薄膜電池陣列。這種情況下，薄膜電池陣列可以進(jìn)一步包括儲(chǔ)電單元，儲(chǔ)電單元的兩端分別連接薄膜電池陣列的正、負(fù)極，用于將薄膜電池陣列產(chǎn)生的電能儲(chǔ)存起來。

本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，這里給出的熱電單元的數(shù)量、連接關(guān)系只是示例性的，對(duì)于連接關(guān)系可以是所有熱電單元串聯(lián)組成薄膜電池陣列，也可以是所有熱電單元并聯(lián)組成薄膜電池陣列。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的TFT陣列基板，可以用于制備顯示屏，當(dāng)顯示屏工作時(shí)，會(huì)產(chǎn)生大量熱量，而由于TFT陣列基板的層級(jí)結(jié)構(gòu)中每一層的材質(zhì)是不同的，使得每一層的導(dǎo)熱效果不同，這樣就會(huì)在層與層之間形成溫度差，這種情況下，將位于TFT陣列基板的不同層的P型半導(dǎo)體層112和N型半導(dǎo)體單元120串聯(lián)起來，就可以根據(jù)塞貝克效應(yīng)，在P型半導(dǎo)體層112和N型半導(dǎo)體單元120所構(gòu)成的回路中產(chǎn)生電流，從而形成可發(fā)電的熱電單元結(jié)構(gòu)。這種發(fā)電形式一方面綠色節(jié)能，另一方面可以為顯示屏表面降溫，降低了顯示屏使用過程中表面過熱帶來的一系列不良后果。

本發(fā)明還提供了一種TFT陣列基板的制備方法，在現(xiàn)有技術(shù)中的逐層制備TFT結(jié)構(gòu)層的基礎(chǔ)上，還包括，制備與TFT結(jié)構(gòu)層中的每一個(gè)TFT結(jié)構(gòu)單元一一對(duì)應(yīng)的N型半導(dǎo)體單元，并將TFT結(jié)構(gòu)單元中的P型半導(dǎo)體的一端與與之對(duì)應(yīng)的N型半導(dǎo)體單元的一端電連接。下面通過一個(gè)具體實(shí)施例詳述本發(fā)明中TFT陣列基板的制備過程。

圖4所示為本發(fā)明一實(shí)施例提供的TFT陣列基板的制備方法流程圖。從圖中可以看出，該方法包括：

步驟301，在襯底上形成N型半導(dǎo)體層，該N型半導(dǎo)體層包括至少一個(gè)與TFT結(jié)構(gòu)單元一一對(duì)應(yīng)并且彼此絕緣的N型半導(dǎo)體單元。

參考圖5a，具體為，在襯底10上沉積N型半導(dǎo)體層12，通過光刻掩模技術(shù)形成彼此絕緣的N型半導(dǎo)體單元120，該N型半導(dǎo)體單元120與后續(xù)形成的TFT結(jié)構(gòu)層11中的TFT結(jié)構(gòu)單元110一一對(duì)應(yīng)。

步驟302，參考圖5b，在N型半導(dǎo)體層12上沉積第一金屬層，并通過一道光刻制程圖案化該第一金屬層，形成分別位于每一個(gè)N型半導(dǎo)體單元120一端的第一金屬引線121和第二金屬引線122。

步驟303，參考圖5c，在襯底10、N型半導(dǎo)體層12，以及第一金屬引線121和第二金屬引線122之上形成TFT結(jié)構(gòu)層11。該形成TFT結(jié)構(gòu)層的過程為現(xiàn)有技術(shù)，對(duì)此不作限定。

步驟304，參考圖5d，將每一個(gè)N型半導(dǎo)體單元120一端的第一金屬引線121(或第二金屬引線122)與與之對(duì)應(yīng)的TFT結(jié)構(gòu)單元110中的源極115(或漏極116)通過金屬線連接，即得到如圖2a所示TFT陣列基板。

在一個(gè)實(shí)施例中，采用過孔的形式將N型半導(dǎo)體單元120一端的第一金屬引線121(或第二金屬引線122)與與之對(duì)應(yīng)的TFT結(jié)構(gòu)單元110中的源極115(或漏極116)電連接。

本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，一個(gè)熱電單元中的TFT結(jié)構(gòu)單元與N型半導(dǎo)體單元的數(shù)量并不一定是相等的，本發(fā)明實(shí)施例中給出的一一對(duì)應(yīng)的關(guān)系只是示例性的。例如，也可以設(shè)置多個(gè)N型半導(dǎo)體單元120與一個(gè)TFT結(jié)構(gòu)單元110中的P型半導(dǎo)體層112串聯(lián)形成一個(gè)熱電單元，或者一個(gè)N型半導(dǎo)體單元120與多個(gè)TFT結(jié)構(gòu)單元110中的P型半導(dǎo)體層112串聯(lián)形成一個(gè)熱電單元。當(dāng)然，也可以實(shí)施成有的TFT結(jié)構(gòu)單元110中的P型半導(dǎo)體層112與N型半導(dǎo)體單元120形成熱電單元，而有的TFT結(jié)構(gòu)單元110中的P型半導(dǎo)體層112沒有與N型半導(dǎo)體單元120形成熱電單元。這需要結(jié)合實(shí)際TFT陣列基板產(chǎn)生的熱量以及一個(gè)熱電單元的發(fā)電量合理設(shè)置。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。