本發(fā)明涉及一種液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種陣列基板的結(jié)構(gòu)及其制作方法、液晶顯示面板。

背景技術(shù)：

VA(Vertical Alignment，垂直配向)顯示模式以其高對(duì)比度和無須摩擦配向等優(yōu)勢(shì)，成為大尺寸TFT-LCD的常見顯示模式。在TFT-LCD制造領(lǐng)域，通過減少M(fèi)ask數(shù)目和光刻工藝次數(shù)，以達(dá)到降低制造成本和提高設(shè)備生產(chǎn)力的目的，始終是一種趨勢(shì)。TFT-LCD制造工藝從最初的7-Mask制作流程，發(fā)展到現(xiàn)在各LCD制造商量產(chǎn)使用的5-Mask和4-Mask生產(chǎn)技術(shù)，而且目前已經(jīng)開發(fā)出3-Ma sk工藝技術(shù)。

現(xiàn)有的3-Mask技術(shù)，利用半導(dǎo)體集成電路中的光刻膠剝離(Lift-off)工藝完成透明像素電極層圖案的定義。請(qǐng)參閱圖1a，首先通過第一掩膜版(Mask)光刻出柵極線層11(M1)，通過第二掩膜版光刻出絕緣層(圖未編號(hào))和數(shù)據(jù)線層14(M2)；再在數(shù)據(jù)線層14上形成鈍化層15；然后使用掩膜版在鈍化層15上蝕刻光刻膠層16；透過光刻膠過孔在鈍化層15上形成過孔17；然后在光刻膠層16及其他區(qū)域上形成一層透明電極層18；請(qǐng)參閱圖1b，最后剝離光刻膠層16及其上沉積的透明電極層18，形成特定的TFT結(jié)構(gòu)。

盡管上述3個(gè)掩膜版完成陣列基板的制作相對(duì)于4個(gè)掩膜版和5個(gè)掩膜版完成的陣列基板制作工藝簡單，但玻璃光刻膠及其上的透明電極層過程依舊比較復(fù)雜。因此，亟需改進(jìn)陣列基板的結(jié)構(gòu)和制作方法以提高生產(chǎn)效率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種簡化生產(chǎn)工序、提高生產(chǎn)效率的陣列基板的制作方法。

本發(fā)明的另一目的在于提供一種上述生產(chǎn)方法生產(chǎn)出的陣列基板。

本發(fā)明的另一目的在于提供一種上述陣列基板的液晶顯示面板。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實(shí)施方式提供如下技術(shù)方案：

本發(fā)明提供一種陣列基板，包括依次層疊設(shè)置于基板上的柵極線層、絕緣層、有源層、漏極、鈍化層和第一透明電極層，所述鈍化層上設(shè)有溝槽，所述漏極部分收容于所述溝槽，所述溝槽中還設(shè)置有第二透明電極層，所述第一透明電極層與所述第二透明電極層之間不連接，所述第二透明電極層覆蓋在所述漏極之收容于溝槽的部分上。

其中，所述溝槽截面為梯形，溝槽寬度沿遠(yuǎn)離槽底方向逐漸減小。

其中，所述鈍化層包括依次層疊設(shè)置第一鈍化層和第二鈍化層，所述第一鈍化層介于所述漏極與所述第二鈍化層之間，其中，所述第一鈍化層蝕刻速度高于所述第二鈍化層蝕刻速度。

其中，所述第一透明電極層電位為零。

其中，所述有源層包括依次層疊設(shè)置非晶硅層和摻雜層，所述摻雜層介于所述非晶硅層和所述漏極之間。

本發(fā)明提供一種液晶顯示面板，包括上述任意一項(xiàng)所述的陣列基板。

本發(fā)明提供一種陣列基板的制作方法，包括如下步驟：

在基板上依次制作柵極線層、絕緣層、有源層、漏極和鈍化層；

在所述鈍化層上涂覆光刻膠，在所述光刻膠上遮蓋掩膜版，以在所述光刻膠上光刻出圖案，所述漏極在所述光刻膠上的投影與所述圖案不完全重合；

對(duì)所述鈍化層進(jìn)行蝕刻以形成溝槽，所述漏極部分收容于所述溝槽中；

去除所述光刻膠并在所述鈍化層上形成第一透明電極層及所述溝槽中形成第二透明電極層，其中，所述第二透明電極層覆蓋于所述漏極之收容于溝槽部分之上。

其中，所述鈍化層包括依次層疊設(shè)置于所述漏極上的第一鈍化層和第二鈍化層；所述鈍化層是通過化學(xué)氣相沉積工藝形成的，并且通過調(diào)整沉積氣體的混合比率使得所述第一鈍化層蝕刻速度高于所述第二鈍化層蝕刻速度。

其中，采用物理氣相沉積法同時(shí)在所述鈍化層中形成第一透明電極層及在所述溝槽中第二透明電極層。

其中，所述掩膜版為半色調(diào)掩膜版或灰色調(diào)掩膜版。

本發(fā)明實(shí)施例具有如下優(yōu)點(diǎn)或有益效果：

本發(fā)明提供的陣列基板及其制作方法，通過在鈍化層上蝕刻出溝槽，并且漏極部分收容于所述溝槽，然后在鈍化層及溝槽中分別形成第一透明電極層和第二透明電極層，通過溝槽將第一透明電極層和第二透明電極層分開，可以省去去除第一透明電極的步驟，縮短了制作流程，提升陣列基板的制造效率。本發(fā)明提供的液晶顯示面板能夠縮短制作流程，提升制造效率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1a-圖1b是現(xiàn)有技術(shù)陣列基板制作方法示意圖。

圖2是本發(fā)明陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3-圖5是圖2所示陣列基板制作方法示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

此外，以下各實(shí)施例的說明是參考附加的圖示，用以例示本發(fā)明可用以實(shí)施的特定實(shí)施例。本發(fā)明中所提到的方向用語，例如，“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“內(nèi)”、“外”、“側(cè)面”等，僅是參考附加圖式的方向，因此，使用的方向用語是為了更好、更清楚地說明及理解本發(fā)明，而不是指示或暗指所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。

在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸地連接，或者一體地連接；可以是機(jī)械連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。

此外，在本發(fā)明的描述中，除非另有說明，“多個(gè)”的含義是兩個(gè)或兩個(gè)以上。若本說明書中出現(xiàn)“工序”的用語，其不僅是指獨(dú)立的工序，在與其它工序無法明確區(qū)別時(shí)，只要能實(shí)現(xiàn)該工序所預(yù)期的作用則也包括在本用語中。另外，本說明書中用“～”表示的數(shù)值范圍是指將“～”前后記載的數(shù)值分別作為最小值及最大值包括在內(nèi)的范圍。在附圖中，結(jié)構(gòu)相似或相同的用相同的標(biāo)號(hào)表示。

請(qǐng)參閱圖2，本發(fā)明提供一種應(yīng)用于VA顯示模式的陣列基板200，主要包括基板20、柵極線層21、絕緣層22、有源層23、漏極24、鈍化層25、第一透明電極層26和第二透明電極層27。所述柵極線層21設(shè)置于所述基板20上；所述絕緣層22覆蓋在所述柵極線層21上。所述有源層23設(shè)于所述絕緣層22之上。所述漏極24形成于所述有源層22上。所述鈍化層25覆蓋于所述漏極24之上。所述鈍化層25上覆蓋有第一透明電極層26。所述鈍化層25上還設(shè)置有溝槽253，所述漏極24部分收容于所述溝槽253中。也就是說，所述漏極24收容于溝槽253中的部分上方未覆蓋鈍化層25。所述溝槽253中還設(shè)置有第二透明電極層27，所述第一透明電極層26和所述第二透明電極層27之間未連接。所述第二透明電極層27覆蓋于所述漏極24之收容于溝槽中的部分上。

本發(fā)明的陣列基板，通過在鈍化層上設(shè)置溝槽，漏極部分收容于所述溝槽，并在溝槽中設(shè)置與漏極連接的第二透明電極層，通過溝槽將所述第二透明導(dǎo)電層與所述鈍化層上方的第一透明電極層斷開，避免第一透明電極層對(duì)第二透明電極層產(chǎn)生干擾，從而省去了去除第一透明電極層的步驟，簡化了陣列基板的制作工藝，提升制造效率。

優(yōu)選的，所述溝槽253的截面大致為梯形，溝槽253的寬度B的方向平行于槽底，并且溝槽253的寬度B沿遠(yuǎn)離槽底的方向遞減。這樣設(shè)置的好處在于，通過化學(xué)氣相沉積的方法同時(shí)在溝槽253中形成第二透明電極層27，在鈍化層25上形成第一透明電極層26時(shí)，能夠由于發(fā)生倒錐現(xiàn)象使得所述第一透明電極層26和所述第二透明電極層27容易彼此分開?？梢岳斫獾氖?，在其他實(shí)施例中，所述溝槽253還可以是矩形等。

進(jìn)一步優(yōu)選的，所述鈍化層25包括依次層疊設(shè)置第一鈍化層251和第二鈍化層252，所述第一鈍化層251覆蓋于所述漏極24上，第二鈍化層252覆蓋在第一鈍化層251之上。在對(duì)鈍化層25進(jìn)行蝕刻時(shí)，由所述第一鈍化層251向所述第二鈍化層252進(jìn)行蝕刻，其中，第一鈍化層251蝕刻速度高于所述第二鈍化層252的蝕刻速度。從而蝕刻出截面呈寬度B沿遠(yuǎn)離槽底的方向遞減的溝槽253。

進(jìn)一步具體的，所述第一鈍化層251可以采用SiNx材料，所述第二鈍化層252可以采用SiO2材料。

進(jìn)一步的，所述第一透明電極層26正常工作時(shí)不通電。也就是說，所述第一透明電極層26的電位為零。

優(yōu)選的，所述第一透明電極層26和所述第二透明電極層27采用相同材料制成，具體的，可以采用氧化銦錫(ITO)、氧化錫(TO)、氧化銦錫鋅(ITZO)或者氧化銦鋅(IZO)形成。

可以理解的是，源極線(圖未示出)、源電極241與所述漏極24位于同一金屬層中，在制作漏極24時(shí)同時(shí)制作所述源極線和所述源電極層。柵電極層與所述柵極線層21位于同一金屬層中，在制作柵極線層21時(shí)同時(shí)制作柵電極。優(yōu)選的，所述漏極24和所述柵極線層21的材料可包括從由鈦Ti、鉻Cr、鎳Ni、鋁A1、鉑Pt、金Au、鎢W、銅Cu和鉬Mo構(gòu)成的金屬組中選出的至少一種。

優(yōu)選的，所述有源層23包括依次層疊設(shè)置的非晶硅層231和摻雜層232，所述摻雜層232介于所述非晶硅層231和所述漏極24之間。具體的，所述摻雜層232可以包括銦鎵鋅氧化物(英文：indiumgalliumzincoxide，簡稱：IGZO)材料。

本發(fā)明還提供一種液晶顯示面板，包括上述的陣列基板200。該液晶顯示面板可以應(yīng)用于包括但不限于為：電子紙、液晶電視、移動(dòng)電話、數(shù)碼相框、平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。

本發(fā)明還提供一種上述陣列基板200的制作方法，主要包括如下步驟：

S301：在基板上依次制作柵極線層、絕緣層、有源層、漏極和鈍化層。

請(qǐng)參閱圖3，具體的，所述基板20可以為透明的玻璃基板。在基板20上形成柵極線層21以及柵電極(圖未示出)。在所述基板20上形成絕緣層22，所述絕緣層22覆蓋柵極線層21以及柵電極。在所述絕緣層22上形成有源層23。在所述有源層23上形成源極線、源電極(圖未示出)及漏極24。在源極線和柵電極及漏極24上形成鈍化層25。

優(yōu)選的，所述鈍化層25包括層疊設(shè)置第一鈍化層251和第二鈍化層252。所述第一鈍化層251和所述第二鈍化層252是通過化學(xué)氣相沉積工藝形成的，沉積氣體可為諸如N2/SiH4、NH3/SiH4和SiH4/N2O等混合氣體中的一種。并且通過控制在形成鈍化層25時(shí)使用的混合氣體的混合比率，順序形成具有不同蝕刻速度的第一鈍化層251和第二鈍化層252，其中，所述第一鈍化層251的蝕刻速度高于所述第二鈍化層252的蝕刻速度。

S302：在所述鈍化層上涂覆光刻膠，在所述光刻膠上遮蓋掩膜版，以在所述光刻膠上光刻出圖案，所述漏極在所述光刻膠上的投影至少部分與所述圖案重合。

請(qǐng)參閱圖4，在所述鈍化層25上涂覆光刻膠28并遮蓋掩膜版(圖未示出)，以在所述光刻膠28上光刻出圖案，所述鈍化層25部分露出于圖案間的間隙。所述漏極24在所述光刻膠28上的投影部分與所述圖案不完全重合。也就是說，所述漏極24在所述光刻膠28上的投影部分介于圖案件的間隙。

優(yōu)選的，所述掩膜版為半色調(diào)掩膜版或灰色調(diào)掩膜版。

S303：對(duì)所述鈍化層進(jìn)行蝕刻以形成溝槽，所述漏極部分收容于所述溝槽中。

請(qǐng)結(jié)合參閱圖5，腐蝕液通過光刻膠上圖案之間的間隙進(jìn)入鈍化層25，對(duì)鈍化層25進(jìn)行腐蝕，以蝕刻出溝槽253?？梢岳斫獾氖牵藭r(shí)形成的溝槽253的圖形與所述光刻膠28上的圖案相同。同時(shí)，由于所述漏極24在所述光刻膠28上的投影部分介于圖案間的間隙。因此，在鈍化層25蝕刻完成后，所述漏極24部分暴露并收容于所述溝槽253中。

進(jìn)一步具體的，在對(duì)所述鈍化層25進(jìn)行蝕刻時(shí)，由于所述第一鈍化層251的蝕刻速度高于所述第二鈍化層252的蝕刻速度。因此與第二鈍化層252相比，以更快的速度蝕刻第一鈍化層251。這樣，在鈍化層25上形成截面大致為梯形的溝槽253。換而言之，溝槽253的寬度B的方向平行于槽底，并且溝槽253的寬度B沿遠(yuǎn)離槽底的方向遞減。

通常一次蝕刻很難達(dá)到良好的效果，優(yōu)選的，可以對(duì)所述鈍化層25進(jìn)行二次蝕刻，以增強(qiáng)蝕刻的效果。具體的，在第一次蝕刻完成后，對(duì)部分光刻膠進(jìn)行灰化處理。

S304：去除所述光刻膠并在所述鈍化層及所述溝槽中分別形成第一透明電極層和第二透明電極層，其中，所述第二透明電極層覆蓋于所述漏極收容于溝槽的部分之上。

請(qǐng)結(jié)合參閱圖1，具體的，采用物理氣相沉積法同時(shí)在所述鈍化層25中形成第一透明電極層26及在所述溝槽253中形成第二透明電極層252。由于收容于溝槽253的部分漏極24暴露于空氣中，因此形成于溝槽253中的第二透明電極27直接覆蓋在所述漏極24上。進(jìn)一步的，由于溝槽253截面為梯形，因此通過物理氣相沉積法形成第一透明電極26和第二透明電極27時(shí)會(huì)發(fā)生倒錐現(xiàn)象，使得所述第一透明電極層26和所述第二透明電極層27容易彼此分開。

進(jìn)一步的，所述第一透明電極層26正常工作時(shí)不通電。也就是說，所述第一透明電極層26的電位為零。

本發(fā)明提供的陣列基板的制作方法，通過在鈍化層上蝕刻出溝槽，并且漏極部分收容于所述溝槽，然后在鈍化層及溝槽中分別形成第一透明電極層和第二透明電極層，通過溝槽將第一透明電極層和第二透明電極層分開，可以省去去除第一透明電極的步驟，縮短了制作流程，提升陣列基板的制造效率。

在本說明書的描述中，參考術(shù)語“一個(gè)實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例或示例中。在本說明書中，對(duì)上述術(shù)語的示意性表述不一定指的是相同的實(shí)施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或特點(diǎn)可以在任何的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。

以上所述的實(shí)施方式，并不構(gòu)成對(duì)該技術(shù)方案保護(hù)范圍的限定。任何在上述實(shí)施方式的精神和原則之內(nèi)所作的修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在該技術(shù)方案的保護(hù)范圍之內(nèi)。