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一種高膜厚高電導(dǎo)率的PEDOT薄膜及其制備方法與流程

文檔序號:12369000閱讀:來源:國知局
技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種高膜厚高電導(dǎo)率的PEDOT薄膜及其制備方法,以EDOT單體為原料,以含有弱堿性陰離子的高醇溶性鐵鹽FeX3為氧化劑,采用氣相法或溶液法制備得到組成為PEDOT:X的PEDOT薄膜,其中X為高醇溶性的弱堿性陰離子,優(yōu)選為樟腦磺酸根離子、長鏈烷基苯磺酸根離子、烷基萘磺酸根離子、二烷基萘磺酸根離子和二壬基萘二磺酸根離子中的至少一種。本發(fā)明利用前驅(qū)體鐵鹽氧化劑溶液的高醇溶性,提高旋涂液的濃度和粘度,抑制反應(yīng)過程中氧化劑的結(jié)晶,無需添加共聚物抗結(jié)晶抑制劑(吡啶、PEPG等),從而獲得高膜厚的PEDOT薄膜。

技術(shù)研發(fā)人員:陳立東;石唯;姚琴;瞿三寅
受保護的技術(shù)使用者:中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所
文檔號碼:201610744324
技術(shù)研發(fā)日:2016.08.26
技術(shù)公布日:2017.01.04

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