本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種導(dǎo)電粒子、各向異性導(dǎo)電膜層及其制備方法和顯示裝置。

背景技術(shù)：

在對陣列基板的外引腳進行貼合的技術(shù)中，將集成電路芯片的引腳和陣列基板的外引腳作腳對腳的接合，中間使用各向異性導(dǎo)電膜層作為媒介，利用熱壓的方式使集成電路芯片的引腳和陣列基板的外引腳導(dǎo)通。在對各向異性導(dǎo)電膜層進行加熱、加壓過程中，各向異性導(dǎo)電膜層中的導(dǎo)電粒子被壓扁，可使得集成電路芯片的引腳和陣列基板的外引腳連通。

導(dǎo)電粒子自身的電阻小，導(dǎo)通電阻取決于導(dǎo)電粒子與陣列基板的外引腳的接觸電阻以及陣列基板的外引腳上的導(dǎo)電粒子數(shù)目，壓縮率在一定范圍內(nèi)越大，接觸面積越大，接觸電阻越小。

但是，在對各向異性導(dǎo)電膜層進行熱壓過程中，如果壓力太小，熱傳導(dǎo)不夠，樹脂不能反應(yīng)完全，各向異性導(dǎo)電膜層中的導(dǎo)電粒子形變較小，壓縮率較小，導(dǎo)電粒子的接觸電阻較大，導(dǎo)致集成電路芯片的引腳和陣列基板的外引腳不能導(dǎo)通；如果壓力太大，各向異性導(dǎo)電膜層中的導(dǎo)電粒子碎裂程度太過，容易使得集成電路芯片的引腳和陣列基板的外引腳連接后又斷開，而且當顯示裝置在高溫環(huán)境下工作時，集成電路芯片變形，將導(dǎo)致集成電路芯片的引腳和陣列基板的外引腳之間的距離增大，導(dǎo)電粒子彈性消失，集成電路芯片的引腳和陣列基板的外引腳之間出現(xiàn)短路。

現(xiàn)有技術(shù)中，不便于對導(dǎo)電粒子的受損情況進行實時監(jiān)測，也就不便于控制對陣列基板的外引腳進行貼合時的壓力的大小，故容易造成顯示裝置在制備過程中成品率較低。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供了一種導(dǎo)電粒子、各向異性導(dǎo)電膜層及其制備方法和顯示裝置，可以便于對熱壓過程中導(dǎo)電粒子的破裂程度進行監(jiān)測，提高顯示裝置在制備過程中的成品率。

為達到上述目的，本發(fā)明提供以下技術(shù)方案：

本發(fā)明提供了一種導(dǎo)電粒子，所述導(dǎo)電粒子的內(nèi)核為熒光樹脂核。

本發(fā)明提供的導(dǎo)電粒子，通過采用熒光樹脂核作為導(dǎo)電粒子的內(nèi)核，可以通過監(jiān)測熱壓過程中熒光的變化來監(jiān)控導(dǎo)電粒子的破裂程度，從而減少導(dǎo)電粒子因壓力不夠?qū)щ娺B接性不好或壓力過大致使導(dǎo)電粒子破裂失去導(dǎo)電性的現(xiàn)象的發(fā)生。

所以，本發(fā)明提供的導(dǎo)電粒子，具有較好的導(dǎo)通性，可以提高顯示裝置在制備過程中的成品率。

在一些可選的實施方式中，所述熒光樹脂核的材料為熒光高分子材料。

在一些可選的實施方式中，所述熒光高分子材料為聚苯胺或聚噻吩。

在一些可選的實施方式中，每個所述導(dǎo)電粒子的內(nèi)核外包覆有鎳層，所述鎳層外包覆有鍍金層。

本發(fā)明還提供了一種各向異性導(dǎo)電膜層，包括粘合層，所述粘合層內(nèi)設(shè)有多個如上述任一項所述的導(dǎo)電粒子。

本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括陣列基板和集成電路芯片，還包括：上述所述的各向異性導(dǎo)電膜層，所述各向異性導(dǎo)電膜層用于將所述陣列基板的外引腳和所述集成電路芯片的引腳連通。

本發(fā)明還提供了一種各向異性導(dǎo)電膜層的制備方法，包括：

形成多個內(nèi)核為熒光樹脂核的導(dǎo)電粒子；

將多個所述導(dǎo)電粒子之間通過粘合膠粘合形成粘合層。

在一些可選的實施方式中，所述熒光樹脂核通過將熒光粉和量子點熒光物摻雜入樹脂中形成。

在一些可選的實施方式中，所述熒光樹脂核通過將熒光小分子接枝于樹脂鏈段中形成。

在一些可選的實施方式中，所述熒光樹脂核采用熒光高分子材料形成。

在一些可選的實施方式中，所述熒光高分子材料為聚苯胺或聚噻吩。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解，構(gòu)成本發(fā)明的一部分，本發(fā)明的示意性實施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的不當限定。在附圖中：

圖1為本發(fā)明實施例提供的導(dǎo)電粒子的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例提供的導(dǎo)電粒子的導(dǎo)電率變化示意圖；

圖3a～圖3f為本發(fā)明實施例提供的導(dǎo)電粒子隨壓縮率變化破裂示意圖；

圖4為本發(fā)明實施例提供的各向異性導(dǎo)電膜層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5a～圖5b為本發(fā)明實施例提供的各向異性導(dǎo)電膜層內(nèi)的導(dǎo)電粒子受壓前后變化示意圖；

圖6a～圖6b為本發(fā)明實施例提供的集成電路芯片的引腳和陣列基板的外引腳進行熱壓貼合的狀態(tài)示意圖。

圖中：

1-導(dǎo)電粒子 11-內(nèi)核

12-鎳層 13-鍍金層

2-各向異性導(dǎo)電膜層 21-粘合層

22-底模 3-陣列基板

31-外引腳 4-彩膜基板

5-壓頭 6-集成電路芯片

61-引腳 7-監(jiān)測裝置

8-緩沖材料層

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。

實施例一

如圖1所示，圖1為本發(fā)明實施例提供的導(dǎo)電粒子的結(jié)構(gòu)示意圖；本發(fā)明實施例提供了一種導(dǎo)電粒子1，導(dǎo)電粒子1的內(nèi)核11為熒光樹脂核。

本發(fā)明實施例提供的導(dǎo)電粒子1，通過采用熒光樹脂核作為導(dǎo)電粒子1的內(nèi)核11，可以通過監(jiān)測熱壓過程中熒光的變化來監(jiān)控導(dǎo)電粒子1的破裂程度，從而減少導(dǎo)電粒子1因壓力不夠?qū)щ娺B接性不好或壓力過大致使導(dǎo)電粒子1破裂失去導(dǎo)電性的現(xiàn)象的發(fā)生。

所以，本發(fā)明實施例提供的導(dǎo)電粒子，具有較好的導(dǎo)通性，可以提高顯示裝置在制備過程中的成品率。

本發(fā)明提供的導(dǎo)電粒子1，在熱壓過程中，導(dǎo)電粒子1的破損程度逐步增加，通過監(jiān)測熱壓過程中的熒光變化來監(jiān)控導(dǎo)電粒子1破裂程度，從而避免出現(xiàn)因為壓力不夠連接不良，抑或壓力過大，壓縮率過大導(dǎo)致的導(dǎo)電粒子1碎裂太多及彈性消失導(dǎo)致的導(dǎo)通性不良的現(xiàn)象的發(fā)生。如圖2和圖3a～圖3f所示，其中：圖2為本發(fā)明實施例提供的導(dǎo)電粒子的導(dǎo)電率變化示意圖；圖3a～圖3f為本發(fā)明實施例提供的導(dǎo)電粒子隨壓縮率變化破裂示意圖；從圖2上可以看出，導(dǎo)電粒子1在0％-30％壓縮率之間電阻隨壓縮率的增加迅速降低，對應(yīng)的導(dǎo)電粒子1受壓后的受損程度如圖3a和圖3b所示，導(dǎo)電粒子1在30％-55％壓縮率之間電阻隨壓縮率的增加緩慢降低，達到最佳效果，對應(yīng)的導(dǎo)電粒子1受壓后的受損程度如圖3c和圖3d所示，繼續(xù)增加壓縮率，導(dǎo)電粒子1將被壓碎，喪失導(dǎo)電能力，對應(yīng)的導(dǎo)電粒子1受壓后的受損程度如圖3e和3f所示，此時導(dǎo)電粒子1失去連通性，將造成斷路，引發(fā)顯示裝置中電路連接不良。

上述熒光樹脂核的材料可以有多種，可選的，熒光樹脂核的材料為熒光高分子材料。

可選的，上述熒光高分子材料可以為聚苯胺或聚噻吩。

上述熒光樹脂核可以通過將熒光粉和量子點熒光物摻雜入樹脂中形成，也可以通過將熒光小分子接枝于樹脂鏈段中形成。

如圖1所示，每個導(dǎo)電粒子1的內(nèi)核11外包覆有鎳層12，鎳層12外包覆有金層13。即采用鍍金工藝形成在鎳層外，鎳層其外的鍍金層起到導(dǎo)電的作用。

實施例二

如圖4所示，圖4為本發(fā)明實施例提供的各向異性導(dǎo)電膜層的結(jié)構(gòu)示意圖；本發(fā)明實施例還提供了一種各向異性導(dǎo)電膜層2，包括粘合層21，粘合層21內(nèi)設(shè)有多個如上述任一項所述的導(dǎo)電粒子1。粘合層功能可以防濕氣、防熱、絕緣、維持電極與導(dǎo)電粒子間的接觸面積。

通常各向異性導(dǎo)電膜層2還包括：底模22，底模22的設(shè)置可以保護在制備各向異性導(dǎo)電膜層時粘結(jié)層21免受外界污染。

如圖5a～圖5b和圖6a～圖6b所示，在對陣列基板3的外引腳進行貼合的技術(shù)中，需要將集成電路芯片6的引腳61和陣列基板3的外引腳31作腳對腳的接合，中間使用各向異性導(dǎo)電膜層2作為媒介，通過壓頭5利用熱壓的方式擠壓各向異性導(dǎo)電膜層2中的導(dǎo)電粒子1，通常在壓頭5和集成電路芯片6之間會放置緩沖材料層8，在壓頭擠壓過程中，導(dǎo)電粒子1將發(fā)生形變，可以將集成電路芯片6的引腳61和陣列基板3的外引腳31導(dǎo)通，由于導(dǎo)電粒子1采用熒光樹脂作為內(nèi)核11，故在利用熱壓的方式擠壓各向異性導(dǎo)電膜層2中的導(dǎo)電粒子1時，可以通過監(jiān)測裝置7監(jiān)測熒光的變化來監(jiān)控導(dǎo)電粒子1的破裂程度，減少壓力不夠，造成集成電路芯片6的引腳和陣列基板3的外引腳31斷路現(xiàn)象的發(fā)生，以及減少壓力過大，導(dǎo)電粒子1被破損，失去連通性的現(xiàn)象的發(fā)生。

具體的，監(jiān)測裝置會發(fā)出激發(fā)光射向?qū)щ娏Ｗ?，?dǎo)電粒子在未破裂時，導(dǎo)電粒子內(nèi)的熒光樹脂核不會被激發(fā)，當導(dǎo)電粒子破裂時，激發(fā)光會激發(fā)導(dǎo)電粒子內(nèi)的熒光樹脂核，監(jiān)測裝置會接收到熒光，根據(jù)經(jīng)驗可以形成不同熒光強度對應(yīng)的導(dǎo)電粒子破裂程度以及所受壓力的對應(yīng)關(guān)系式，再監(jiān)測導(dǎo)電粒子時，可以根據(jù)預(yù)先根據(jù)經(jīng)驗得到的熒光強度以及對應(yīng)的關(guān)系式，得到導(dǎo)電粒子的破損程度。

實施例三

本發(fā)明實施例還提供了一種各向異性導(dǎo)電膜層的制備方法，包括：

形成多個內(nèi)核為熒光樹脂核的導(dǎo)電粒子；

將多個導(dǎo)電粒子之間通過粘合膠粘合形成粘合層。

上述粘合層的形成可以涂覆擠壓成型，導(dǎo)電粒子也可以通過依次涂覆材料層形成，先形成為熒光樹脂核的內(nèi)核，再在內(nèi)核外依次涂覆鎳，形成鎳層，再在鎳層鍍金形成金層。

一種可選的實施方式中，熒光樹脂核通過將熒光粉和量子點熒光物摻雜入樹脂中形成。

一種可選的實施方式中，熒光樹脂核通過將熒光小分子接枝于樹脂鏈段中形成。

一種可選的實施方式中，熒光樹脂核采用熒光高分子材料形成。

可選的，上述熒光高分子材料為聚苯胺或聚噻吩。

實施例四

如圖6a和圖6b所示，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括陣列基板3和集成電路芯片6，還包括：上述所述的各向異性導(dǎo)電膜層2，各向異性導(dǎo)電膜層2用于將陣列基板3的外引腳31和集成電路芯片6的引腳61連通。上述顯示裝置一般還包括與陣列基板3對合設(shè)置的彩膜基板4，由于本發(fā)明實施例提供的顯示裝置中，使用的各向異性導(dǎo)電膜層2中的導(dǎo)電粒子1采用熒光樹脂核作為內(nèi)核11，可以在制作顯示裝置過程中，在熱壓階段實時監(jiān)測壓力的大小，避免壓力過大或過小，提高集成電路芯片6的引腳61和陣列基板3的外引腳之間連接的穩(wěn)定性，故本發(fā)明實施例提供的顯示裝置具有較好的顯示效果。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。