1.一種半導(dǎo)體器件，包括：
襯底；
介電結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述襯底上方，所述介電結(jié)構(gòu)具有穿過所述介電結(jié)構(gòu)的導(dǎo)通孔，并且所述導(dǎo)通孔的側(cè)壁包括至少一個凹口；
阻擋層，共形地覆蓋所述導(dǎo)通孔的側(cè)壁和底部；
膠層，共形地覆蓋所述阻擋層；
銅晶種層，共形地覆蓋所述膠層；以及
銅層，覆蓋所述銅晶種層并且填充所述導(dǎo)通孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述介電結(jié)構(gòu)是金屬間介電層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述介電結(jié)構(gòu)包括相互堆疊的多個介電膜，并且所述介電膜的材料不是所有都相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述介電膜的材料選自由氮化硅、碳化硅、氧化硅和它們的組合所組成的組。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：第一介電層和第二介電層，所述介電結(jié)構(gòu)夾置在所述第一介電層和所述第二介電層之間，并且所述導(dǎo)通孔穿過所述第二介電層、所述介電結(jié)構(gòu)和所述第一介電層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述至少一個凹口設(shè)置在所述介電結(jié)構(gòu)中，并且所述介電結(jié)構(gòu)包括多個介電膜，所述介電膜的材料不是所有都相同，并且所述第一介電層和所述第二介電層中的每一個都由單種介電材料形成。
7.一種用于形成半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：
提供襯底；
在所述襯底上方形成介電結(jié)構(gòu)，所述介電結(jié)構(gòu)形成為具有穿過所述介電結(jié)構(gòu)的導(dǎo)通孔，并且所述導(dǎo)通孔的側(cè)壁包括至少一個凹口；
形成共形地覆蓋所述導(dǎo)通孔的側(cè)壁和底部的阻擋層；
形成共形地覆蓋所述阻擋層的膠層；
形成共形地覆蓋所述膠層的所述銅晶種層；以及
形成覆蓋所述銅晶種層并填充所述導(dǎo)通孔的銅層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，形成所述介電結(jié)構(gòu)的操作包括形成包括相互堆疊的多個介電膜的所述介電結(jié)構(gòu)，所述介電膜的材料不是所有都相同。
9.一種用于形成半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：
提供襯底；
在所述襯底上方形成第一介電層；
在所述第一介電層上形成介電結(jié)構(gòu)，其中，形成所述介電結(jié)構(gòu)的操作形成包括相互堆疊的多個介電膜的所述介電結(jié)構(gòu)，并且所述介電膜的材料不是所有都相同；
在所述介電結(jié)構(gòu)上形成第二介電層；
形成穿過所述第二介電層、所述介電結(jié)構(gòu)和所述第一介電層的導(dǎo)通孔；
形成共形地覆蓋所述導(dǎo)通孔的側(cè)壁和底部的阻擋層；
形成共形地覆蓋所述阻擋層的膠層；
形成共形地覆蓋所述膠層的銅晶種層；以及
形成覆蓋所述銅晶種層并且填充所述導(dǎo)通孔的銅層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，通過形成所述導(dǎo)通孔的操作所形成的所述導(dǎo)通孔的側(cè)壁包括位于所述介電結(jié)構(gòu)中的至少一個凹口。