技術特征：

技術總結
本公開提供半導體裝置及其制造方法。在半導體裝置的制造方法中，在基底上形成虛設柵極結構，在虛設柵極結構上形成第一絕緣層，移除虛設柵極結構以在第一絕緣層內(nèi)形成柵極空間，在柵極空間內(nèi)形成第一導電層以形成縮小的柵極空間，將與第一導電層不同材料制成的第二導電層填入縮小的柵極空間，將填入的第一導電層和第二導電層凹陷以形成第一柵極凹陷，在第一柵極凹陷內(nèi)的第一導電層和第二導電層上形成第三導電層，在將填入的第一導電層和第二導電層凹陷之后，第二導電層自第一導電層突出。

技術研發(fā)人員：李勃學;葉志揚;黃淵圣;葉冠麟;蕭君展
受保護的技術使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術研發(fā)日：2016.08.12
技術公布日：2017.07.07