技術(shù)編號(hào)：12827309
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開涉及半導(dǎo)體裝置的制造方法，特別涉及金屬柵極結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)及其制造方法。背景技術(shù)當(dāng)半導(dǎo)體工業(yè)已進(jìn)展至納米科技工藝世代以追求更高的裝置密度、更高的效能和更低的成本，來自生產(chǎn)和設(shè)計(jì)的考驗(yàn)造就了三維(3D)設(shè)計(jì)的發(fā)展，例如鰭式場(chǎng)效晶體管(Finfieldeffecttransistor，F(xiàn)inFET)和具有高介電常數(shù)(high-k)材料的金屬柵極結(jié)構(gòu)的使用。金屬柵極結(jié)構(gòu)通常使用柵極取代(gatereplacement)技術(shù)制造。發(fā)明內(nèi)容根據(jù)本公開的一個(gè)觀點(diǎn)，在半導(dǎo)體裝置的制造方法中，在基底上形成虛設(shè)柵...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。