技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
集成電路結(jié)構(gòu)包括具有第一k值的第一低k介電層以及具有低于第一k值的第二k值的第二低k介電層。第二低k介電層位于第一低k介電層上面。雙鑲嵌結(jié)構(gòu)包括具有位于第一低k介電層中的部分的通孔以及位于通孔上方并且連接至通孔的金屬線。該金屬線包括位于第二低k介電層中的部分。本發(fā)明的實(shí)施例還涉及集成電路結(jié)構(gòu)的形成方法。

技術(shù)研發(fā)人員：王超群;柯忠祁;施伯錚
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.10
技術(shù)公布日：2017.07.11