本發(fā)明涉及電路板技術(shù)及IC封裝領(lǐng)域，具體涉及一種扁平化集成電路結(jié)構(gòu)及其加工方法。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有技術(shù)中，電感結(jié)構(gòu)的磁芯需要使用手工繞線(xiàn)的方式，形成磁芯線(xiàn)圈，磁芯線(xiàn)圈還需要進(jìn)行塑封，將塑封后的磁芯線(xiàn)圈與集成電路(Integrated Circuit，IC)芯片或器件一起貼裝到印制電路板(Printed Circuit Board，PCB)上。

但是，對(duì)磁芯使用手工繞線(xiàn)的方式，增加了工藝步驟，使得效率低，并且磁芯線(xiàn)圈還需要進(jìn)行塑封才能貼裝到PCB上，占用的空間大，不利于實(shí)現(xiàn)電子產(chǎn)品的小型化及高密度集成。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種扁平化集成電路結(jié)構(gòu)及其加工方法，以提高集成電路結(jié)構(gòu)的集成度，有利于集成電路板的小型化。

本發(fā)明第一方面提供一種扁平化集成電路結(jié)構(gòu)的加工方法，包括以下步驟：

S1：提供第一印制電路板PCB多層板和集成電路IC芯片，所述第一PCB多層板埋入磁片；

S2：在所述第一PCB多層板上加工多個(gè)第一導(dǎo)通孔，并在所述第一PCB多層板的表面加工孔連接線(xiàn)路，所述多個(gè)第一導(dǎo)通孔和所述孔連接線(xiàn)路形成電感工作回路，所述電感工作回路與所述磁片組成電感單元；

S3：對(duì)所述第一PCB多層板進(jìn)行外層圖形加工，形成第一外層線(xiàn)路，所述第一外層線(xiàn)路與所述電感工作回路連接；

S4：將所述IC芯片設(shè)置于所述第一PCB多層板；

S5：連接所述IC芯片與所述電感工作回路，所述IC芯片通過(guò)所述第一 外層線(xiàn)路與所述電感工作回路連接。

本發(fā)明第二方面提供一種扁平化集成電路結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

第一印制電路板PCB多層板和設(shè)置于所述第一PCB多層板的集成電路IC芯片，所述第一PCB多層板中埋入有磁片和環(huán)繞所述磁片的全部或部分的電感工作回路，所述第一PCB多層板表面具有第一外層線(xiàn)路；

所述IC芯片通過(guò)所述第一外層線(xiàn)路與所述電感工作回路連接。

由上可見(jiàn)，本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)將電感工作回路與磁片組成電感單元埋入PCB多層板內(nèi)部，以及IC芯片設(shè)置于PCB多層板的方案，取得了以下技術(shù)效果：

本發(fā)明中利用第一導(dǎo)通孔與孔連接線(xiàn)路形成電感工作回路，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)的手工繞線(xiàn)的方式，不需要額外的繞線(xiàn)和塑封，可以提高加工效率；將磁片埋入PCB多層板的內(nèi)部，電感工作回路與磁片組成電感單元，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)不需要將磁芯線(xiàn)圈貼裝在PCB多層板的表面，提高了集成電路結(jié)構(gòu)的集成度，有利于集成電路板的小型化。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例的扁平化集成電路結(jié)構(gòu)的加工方法的流程圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例的第一PCB多層板的示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例的形成第一通孔的示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例的形成樹(shù)脂孔的示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例的形成第二通孔的示意圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例的形成第一導(dǎo)通孔的示意圖；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例的形成電感工作回路的示意圖；

圖8為本發(fā)明實(shí)施例的IC芯片貼裝到PCB多層板的示意圖；

圖9為本發(fā)明實(shí)施例的IC芯片另一種方式貼裝到PCB多層板的示意圖；

圖10為本發(fā)明實(shí)施例的IC芯片另一種方式貼裝到PCB多層板的示意圖；

圖11為本發(fā)明實(shí)施例的一種扁平化集成電路結(jié)構(gòu)的俯視示意圖；

圖12為本發(fā)明實(shí)施例的另一種扁平化集成電路結(jié)構(gòu)的示意圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種扁平化集成電路結(jié)構(gòu)的加工方法，以提高集成電路結(jié)構(gòu)的集成度，有利于集成電路板的小型化。本發(fā)明還提供相應(yīng)的扁平化集成電路結(jié)構(gòu)。

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例和現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。

下面通過(guò)具體實(shí)施例，分別進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。

實(shí)施例一、

請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明實(shí)施例提供一種扁平化集成電路結(jié)構(gòu)的加工方法，可包括：

S1、提供第一PCB多層板和集成電路IC芯片；

如圖2所示，是本發(fā)明實(shí)施例提供第一PCB多層板20的示意圖，第一PCB多層板20包括兩塊芯板201和磁片202。

需要說(shuō)明的是，第一PCB多層板20包括至少兩塊芯板以及至少一塊磁片，具體不做限定。

S2、在第一PCB多層板上加工多個(gè)第一導(dǎo)通孔，并在第一PCB多層板的表面加工孔連接線(xiàn)路，多個(gè)第一導(dǎo)通孔和孔連接線(xiàn)路形成電感工作回路；

本步驟中，在第一PCB多層板上加工多個(gè)第一導(dǎo)通孔，并在第一PCB多層板的表面加工孔連接線(xiàn)路，多個(gè)第一導(dǎo)通孔和孔連接線(xiàn)路形成電感工作回路，磁片的部分或者全部處于電感工作回路內(nèi)，電感工作回路與磁片組成電感單元。

可選的，如圖4所示，在第一PCB多層板20鉆孔，形成第一通孔301，將非導(dǎo)電樹(shù)脂塞入第一通孔301中，并且固化塞入的樹(shù)脂，形成樹(shù)脂孔401，本實(shí)施例中樹(shù)脂為泛指，可包括一切不導(dǎo)電的樹(shù)脂類(lèi)產(chǎn)品；如圖5所示，對(duì)樹(shù)脂孔401進(jìn)行鉆孔處理，得到第二通孔501，使用的鉆頭直徑小于樹(shù)脂孔401的直徑，而且第二通孔501處于樹(shù)脂孔401的內(nèi)部；如圖6所示，對(duì)第二通孔501進(jìn)行金屬化處理，形成第一導(dǎo)通孔601；如圖7所示，在第一PCB 多層板20的表面設(shè)置光阻層，對(duì)光阻層進(jìn)行曝光和顯影，定義出孔連接線(xiàn)路701，以光阻層為防蝕保護(hù)層，對(duì)第一PCB多層板20進(jìn)行蝕刻，形成的孔連接線(xiàn)路701與第一導(dǎo)通孔601連接，形成電感工作回路。

S3：對(duì)第一PCB多層板進(jìn)行外層圖形加工，形成第一外層線(xiàn)路，第一外層線(xiàn)路與電感工作回路連接；

S4、將IC芯片設(shè)置于第一PCB多層板；

本步驟中，將IC芯片通過(guò)焊接或者打線(xiàn)方式貼裝到第一PCB多層板上。

可選的，將IC芯片通過(guò)焊接或者打線(xiàn)方式貼裝到第一PCB多層板的表面。

可選的，如圖8所示，預(yù)先在第一PCB板20的表面開(kāi)設(shè)凹槽，將IC芯片80通過(guò)打線(xiàn)方式貼裝在凹槽中，如圖9所示，預(yù)先在第一PCB板20的表面開(kāi)設(shè)凹槽901，將IC芯片80通過(guò)焊接方式貼裝在凹槽901中。

可選的，如圖10所示，對(duì)貼裝有IC芯片80的第一PCB多層板20的表面層疊外層芯板1001，并進(jìn)行壓合，形成第二PCB多層板，IC芯片80埋入第二PCB多層板中。

需要說(shuō)明的是，PCB多層板的總層數(shù)及芯片埋入到的具體層次不做規(guī)定，不限定磁片電感工作回路與芯片的相對(duì)位置，本實(shí)施例還可以包括磁片、芯片、電容和電阻等多種器件共同組合，可全部埋入，也可部分埋入及部分貼裝于表面。

S5、連接IC芯片與電感工作回路，IC芯片通過(guò)第一外層線(xiàn)路與電感工作回路連接。

本步驟中，將貼裝好的IC芯片與第一外層線(xiàn)路連接，IC芯片通過(guò)第一外層線(xiàn)路與電感工作回路連接。

可選的，如圖10所示，在IC芯片80的焊盤(pán)的位置進(jìn)行激光鉆孔，形成孔底抵達(dá)焊盤(pán)的激光盲孔1002，并對(duì)激光盲孔1002進(jìn)行金屬化，對(duì)第二PCB多層板的表面進(jìn)行外層圖形加工，形成第二外層線(xiàn)路，IC芯片80的焊盤(pán)通過(guò)金屬化的激光盲孔1002與第二外層線(xiàn)路連接，在第二PCB多層板上加工第二導(dǎo)通孔1003，用于連接第二外層線(xiàn)路與電感工作回路。

綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)將電感工作回路與磁片組成電感單元埋入PCB多層板內(nèi)部，以及IC芯片設(shè)置于PCB多層板的方案，取得了以下技術(shù) 效果：

本發(fā)明中利用導(dǎo)通孔與孔連接線(xiàn)路形成電感工作回路，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)的手工繞線(xiàn)的方式，不需要額外的繞線(xiàn)和塑封，可以提高加工效率；將磁片埋入PCB多層板的內(nèi)部，電感工作回路與磁片組成電感單元，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)不需要將磁芯線(xiàn)圈貼裝在PCB多層板的表面，提高了集成電路結(jié)構(gòu)的集成度，有利于集成電路板的小型化。

下面以一個(gè)具體場(chǎng)景實(shí)施例對(duì)一種扁平化集成電路結(jié)構(gòu)的加工方法進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，具體如下：

提供兩塊芯板和一塊磁片，芯板和磁片的大小一致，磁片的厚度在0.3mm左右，具體厚度數(shù)值及磁片材料不做限定，在芯板的一個(gè)表面進(jìn)行內(nèi)層圖形的加工，在芯板具有內(nèi)層圖形的一面形成絕緣粘結(jié)層，粘結(jié)層為常見(jiàn)的環(huán)氧樹(shù)脂和丙烯酸類(lèi)等絕緣類(lèi)粘結(jié)材料，磁片通過(guò)粘結(jié)層夾合在兩塊芯板之間，進(jìn)行壓合之后，形成如圖2所示的第一PCB多層板20，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)的磁芯，磁片更加薄，可以使PCB多層板更薄。

在第一PCB多層板20上利用直徑為5mm的鉆頭進(jìn)行鉆孔，形成如圖3所示的兩個(gè)第一通孔301；對(duì)兩個(gè)第一通孔301進(jìn)行樹(shù)脂塞孔處理，將非導(dǎo)電的樹(shù)脂填滿(mǎn)兩個(gè)第一通孔301，等樹(shù)脂固化后，進(jìn)行平整化處理，形成如圖4所示的兩個(gè)樹(shù)脂孔401；利用直徑為3mm的鉆頭對(duì)兩個(gè)樹(shù)脂孔401進(jìn)行鉆孔，并對(duì)鉆孔后的樹(shù)脂壁進(jìn)行孔化，形成如圖5所示的兩個(gè)第二通孔501，形成第二通孔的鉆頭直徑比形成第一通孔鉆頭的直徑小了2mm，因此第二通孔是處于樹(shù)脂孔的環(huán)形樹(shù)脂壁內(nèi)的；使用化學(xué)鍍或電鍍的方式對(duì)兩個(gè)第二通孔進(jìn)行金屬化，形成如圖6所示的兩個(gè)第一導(dǎo)通孔601；制作磁片使用的磁性材料為錳鋅鐵氧體或鎳鋅鐵氧體等磁性材料，具有一定導(dǎo)電性，金屬化與磁片接觸，會(huì)產(chǎn)生微短現(xiàn)象，用樹(shù)脂孔壁將導(dǎo)通孔和磁片隔開(kāi)可以避免微短現(xiàn)象，提高了性能。

在第一PCB多層板的表面進(jìn)行外層圖形加工，形成如圖7所示的孔連接線(xiàn)路701，孔連接線(xiàn)路701與兩個(gè)第一導(dǎo)通孔601連接，形成電感工作回路，電感工作回路起到的作用相當(dāng)于現(xiàn)有技術(shù)中在磁芯上面的繞線(xiàn)，因此減少了 手工繞線(xiàn)的步驟，而且不需要進(jìn)行塑封，提高了加工的效率；電感工作回路和磁片形成的電感結(jié)構(gòu)處于PCB板的內(nèi)部，因此提高了集成電路結(jié)構(gòu)的集成度，有利于集成電路板的小型化。

將IC芯片貼裝在第一PCB多層板上，將IC芯片和電感工作回路連接，IC芯片可以通過(guò)焊接或者打線(xiàn)的方式貼裝在第一PCB多層板的表面；或者，在第一PCB多層板上預(yù)先開(kāi)設(shè)和IC芯片相應(yīng)大小的凹槽，如圖8所示將IC芯片80放置在凹槽，再打線(xiàn)進(jìn)行電連接，或如圖9所示將凹槽901底部開(kāi)設(shè)至磁片202，IC芯片80焊接在磁片202上，將IC芯片貼裝在凹槽，減少了集成電路板表面的器件數(shù)，有利于小型化；或者，在第一PCB多層板的結(jié)構(gòu)之上進(jìn)行增層，形成第二PCB多層板，如圖10所示，在第一PCB多層板20的表面形成粘結(jié)層203，將IC芯片80埋入粘結(jié)層203中，將外層芯板1001通過(guò)粘結(jié)層壓合在第一PCB多層板20之上，形成第二PCB多層板，通過(guò)激光打孔技術(shù)在IC芯片80的焊盤(pán)位置打孔，對(duì)形成的激光盲孔1002進(jìn)行金屬化操作，在第二PCB多層板的表面進(jìn)行外層圖形加工，形成第二外層線(xiàn)路，鉆孔形成第二導(dǎo)通孔1003并金屬化，IC芯片80的焊盤(pán)通過(guò)金屬化的激光盲孔1002與第二外層線(xiàn)路連接，第二外層線(xiàn)路通過(guò)第二導(dǎo)通孔1003與電感工作回路連接，在實(shí)施過(guò)程中，IC芯片貼裝的位置不受限制。

如圖12所示，是在第一PCB多層板20之上疊加一塊磁片和一塊芯板，形成兩個(gè)電感工作回路，IC芯片80的上下均有電感結(jié)構(gòu)，可以起到屏蔽作用，有效防止外界電磁波對(duì)芯片的影響。如果PCB多層板中的磁片有多塊，芯片及磁片的相對(duì)位置也不做具體規(guī)定，芯片可以在磁片回路的左右，也可以設(shè)計(jì)到磁片的上方，芯片位于電感結(jié)構(gòu)中間，回路更短，數(shù)據(jù)傳輸更加穩(wěn)定。

實(shí)施例二、

請(qǐng)參閱圖11所示，本發(fā)明實(shí)施例提供一種扁平化集成電路結(jié)構(gòu)的表面的示意圖，包括埋入有磁片的第一PCB多層板20，第一PCB多層板20中的IC芯片80，以及樹(shù)脂孔401和第一導(dǎo)通孔501與孔連接線(xiàn)路701組成的電感工作回路，第一PCB多層板20表面具有第一外層線(xiàn)路1101，IC芯片80通過(guò)第一外層線(xiàn)路1101與電感工作回路連接，磁片的部分或者全部位于電感工作回 路內(nèi)。

可選的，如圖11所示，扁平化集成電路結(jié)構(gòu)還包括第一PCB多層板20表面的第一外層線(xiàn)路1101，IC芯片20貼裝在第一PCB多層板20的表面，或者，如圖8和圖9所示，貼裝在第一PCB多層板20的表面的凹槽內(nèi)，IC芯片80通過(guò)第一外層線(xiàn)路1101與電感工作回路連接。

可選的，扁平化集成電路結(jié)構(gòu)還包括層疊結(jié)構(gòu)，圖10中，如圖10中所示，層疊結(jié)構(gòu)為外層芯板1001，IC芯片80埋設(shè)在第二PCB多層板的內(nèi)部，IC芯片80通過(guò)激光盲孔1002與第二PCB多層板上的第二外層線(xiàn)路連接，第二外層線(xiàn)路通過(guò)第二導(dǎo)通孔1003與電感工作回路連接；如圖12中所示，層疊結(jié)構(gòu)為外層磁片1201和外層芯板1202，將IC芯片80與磁片201在第二PCB多層板加工過(guò)程中同時(shí)埋入到第二PCB多層板內(nèi)部，并將IC芯片80埋入到兩層或多層磁片中間，形成夾心結(jié)構(gòu)，通過(guò)在磁片鉆孔電鍍結(jié)合PCB走線(xiàn)形成磁片回路，PCB多層板的總層數(shù)及芯片埋入到的具體層次不做規(guī)定，IC芯片80及磁片的相對(duì)位置也不做具體規(guī)定，IC芯片80可以在磁片回路的左右，也可以設(shè)計(jì)到上方。

需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例還可以包括磁片、芯片、電容和電阻等多種器件，可全部埋入，也可部分埋入及部分貼裝于表面。

綜上，本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)將電感工作回路與磁片組成電感單元埋入PCB多層板內(nèi)部，以及IC芯片設(shè)置于PCB多層板的方案，取得了以下技術(shù)效果：

本發(fā)明中利用導(dǎo)通孔與孔連接線(xiàn)路形成電感工作回路，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)的手工繞線(xiàn)的方式，不需要額外的繞線(xiàn)和塑封，可以提高加工效率；將磁片埋入PCB多層板的內(nèi)部，電感工作回路與磁片組成電感單元，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)不需要將磁芯線(xiàn)圈貼裝在PCB多層板的表面，提高了集成電路結(jié)構(gòu)的集成度，有利于集成電路板的小型化。

在上述實(shí)施例中，對(duì)各個(gè)實(shí)施例的描述都各有側(cè)重，某個(gè)實(shí)施例中沒(méi)有詳細(xì)描述的部分，可以參見(jiàn)其它實(shí)施例的相關(guān)描述。

需要說(shuō)明的是，對(duì)于前述的各方法實(shí)施例，為了簡(jiǎn)單描述，故將其都表述為一系列的動(dòng)作組合，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該知悉，本發(fā)明并不受所描 述動(dòng)作順序的限制，因?yàn)橐罁?jù)本發(fā)明，某些步驟可以采用其它順序或者同時(shí)進(jìn)行。其次，本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該知悉，說(shuō)明書(shū)中所描述的實(shí)施例均屬于優(yōu)選實(shí)施例，所涉及的動(dòng)作和模塊并不一定是本發(fā)明所必須的。

以上對(duì)本發(fā)明實(shí)施例所提供的扁平化集成電路結(jié)構(gòu)及其加工方法進(jìn)行了詳細(xì)介紹，但以上實(shí)施例的說(shuō)明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想，不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。