技術(shù)編號(hào):12820563
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的實(shí)施例涉及集成電路結(jié)構(gòu)及其形成方法。背景技術(shù)在半導(dǎo)體晶圓上形成諸如晶體管的集成電路器件。該器件通過(guò)金屬線和通孔互連以形成功能電路,其中,在后段制程工藝中形成金屬線和通孔。為了減小金屬線和通孔的寄生電容,在低k介電層中形成金屬線和通孔。在低k介電層中的金屬線和通孔的形成中,首先蝕刻低k介電層以形成溝槽和通孔開(kāi)口。低k介電層的蝕刻可以涉及在低k介電材料上方形成圖案化的硬掩模,并且使用圖案化的硬掩模作為蝕刻掩模以形成溝槽。同樣形成與溝槽基本對(duì)準(zhǔn)的通孔開(kāi)口。之后,用可以包括銅的金屬化材料填充溝槽...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。