技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種薄膜電容器的制備方法，涉及電子元器件制作技術(shù)領(lǐng)域，包括蒸鍍金屬層、濺射法制備電極層和升溫/退火處理，在絕緣體薄膜表面蒸鍍一層金屬薄膜，并繞卷為薄膜卷；將薄膜卷放置在旋轉(zhuǎn)繞驅(qū)架上放進(jìn)真空腔室，并對真空腔室進(jìn)行抽真空，采用離子濺射法制備電極層，并利用激光刻蝕獲得圖案化電極圖層；將薄膜電容器放入電阻爐，在通入保護(hù)氣體的環(huán)境下進(jìn)行逐級升溫處理，然后，再進(jìn)行退火處理，待溫度達(dá)到常溫時，再將薄膜電容器從旋轉(zhuǎn)繞驅(qū)架上的取出，分切成薄膜電容所需的薄膜帶。本發(fā)明工藝簡單、易于工業(yè)化的特點(diǎn)，實(shí)際生產(chǎn)成本較小，這種方法制備的薄膜電容器具有較高的抗氧化性和延展性，同時還具有較大電容量，滿足產(chǎn)品輕量化的要求。

技術(shù)研發(fā)人員：羅文彬
受保護(hù)的技術(shù)使用者：合肥佳瑞林電子技術(shù)有限公司
文檔號碼：201610617283
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.01
技術(shù)公布日：2016.11.23