本發(fā)明涉及電子元器件制作
技術領域:
,特別是涉及一種薄膜電容器的制備方法。
背景技術:
:電容器依著介質(zhì)的不同,它的種類很多,例如:電解質(zhì)電容、紙質(zhì)電容、薄膜電容、陶瓷電容、云母電容、空氣電容等。但是在音響器材中使用最頻繁的,當屬電解電容器和薄膜(Film)電容器。電解電容大多被使用在需要電容量很大的地方,例如主電源部分的濾波電容,除了濾波之外,并兼做儲存電能之用。而薄膜電容則廣泛被使用在模擬信號的交連,電源噪聲的旁路(反交連)等地方。薄膜電容器由于具有很多優(yōu)良的特性,因此是一種性能優(yōu)秀的電容器。它的主要等性如下:無極性,絕緣阻抗很高,頻率特性優(yōu)異(頻率響應寬廣),而且介質(zhì)損失很小?;谝陨系膬?yōu)點,所以薄膜電容器被大量使用在模擬電路上。尤其是在信號交連的部份,必須使用頻率特性良好,介質(zhì)損失極低的電容器,方能確保信號在傳送時,不致有太大的失真情形發(fā)生。技術實現(xiàn)要素:本發(fā)明提供了一種薄膜電容器的制備方法,包括配料、球磨、篩選、造粒、壓制成型、燒結和冷卻。一種薄膜電容器的制備方法,包括蒸鍍金屬層、濺射法制備電極和升溫/退火處理,薄膜電容器的制備方法如下:(1)蒸鍍金屬層:在絕緣體薄膜表面蒸鍍一層金屬薄膜,并繞卷為薄膜卷;(2)濺射法制備電極層:將薄膜卷放置在旋轉(zhuǎn)繞驅(qū)架上放進真空腔室,并對真空腔室進行抽真空,采用離子濺射法制備電極層,并利用激光刻蝕獲得圖案化電極圖層;(3)升溫/退火處理:將薄膜電容器放入電阻爐,在通入保護氣體的環(huán)境下進行逐級升溫處理,然后,再進行退火處理,待溫度達到常溫時,再將薄膜電容器從旋轉(zhuǎn)繞驅(qū)架上的取出,分切成薄膜電容所需的薄膜帶。優(yōu)選的,所述步驟(1)中金屬薄膜的金屬包括Ni、Ag、Cu、Ti、Au或Pt的純金屬或其復合金屬。優(yōu)選的,所述步驟(2)中真空腔室內(nèi)的真空度為105-100Pa。優(yōu)選的,所述步驟(2)中電極層厚度為10-30nm。優(yōu)選的,所述步驟(3)中升溫溫度為600-800℃,保溫時間為30-60min;退火溫度為90-100℃,時間為200-210min。優(yōu)選的,所述步驟(3)中保護氣體為Ne、Xe、Ar或者它們的混合氣體。有益效果:本發(fā)明提供了一種薄膜電容器的制備方法,涉及電子元器件制作
技術領域:
,包括蒸鍍金屬層、濺射法制備電極層和升溫/退火處理,在絕緣體薄膜表面蒸鍍一層金屬薄膜,并繞卷為薄膜卷;將薄膜卷放置在旋轉(zhuǎn)繞驅(qū)架上放進真空腔室,并對真空腔室進行抽真空,采用離子濺射法制備電極層,并利用激光刻蝕獲得圖案化電極圖層;將薄膜電容器放入電阻爐,在通入保護氣體的環(huán)境下進行逐級升溫處理,然后,再進行退火處理,待溫度達到常溫時,再將薄膜電容器從旋轉(zhuǎn)繞驅(qū)架上的取出,分切成薄膜電容所需的薄膜帶。本發(fā)明工藝簡單、易于工業(yè)化的特點,實際生產(chǎn)成本較小,這種方法制備的薄膜電容器具有較高的抗氧化性和延展性,同時還具有較大電容量,滿足產(chǎn)品輕量化的要求。具體實施方式為使本發(fā)明實現(xiàn)的技術手段、創(chuàng)作特征、達成目的與功效易于明白了解,下面結合具體實施方式,進一步闡述本發(fā)明。實施例1:一種薄膜電容器的制備方法,包括蒸鍍金屬層、濺射法制備電極和升溫/退火處理,薄膜電容器的制備方法如下:(1)蒸鍍金屬層:在絕緣體薄膜表面蒸鍍一層金屬薄膜,并繞卷為薄膜卷;(2)濺射法制備電極層:將薄膜卷放置在旋轉(zhuǎn)繞驅(qū)架上放進真空腔室,并對真空腔室進行抽真空,采用離子濺射法制備電極層,并利用激光刻蝕獲得圖案化電極圖層;(3)升溫/退火處理:將薄膜電容器放入電阻爐,在通入保護氣體的環(huán)境下進行逐級升溫處理,然后,再進行退火處理,待溫度達到常溫時,再將薄膜電容器從旋轉(zhuǎn)繞驅(qū)架上的取出,分切成薄膜電容所需的薄膜帶。其中,所述步驟(1)中金屬薄膜的金屬包括Ni、Ag、Cu、Ti、Au或Pt的純金屬或其復合金屬;所述步驟(2)中真空腔室內(nèi)的真空度為10Pa;所述步驟(2)中電極層厚度為10nm;所述步驟(3)中升溫溫度為600℃,保溫時間為30min;退火溫度為90℃,時間為200min;所述步驟(3)中保護氣體為Ne。實施例2:一種薄膜電容器的制備方法,包括蒸鍍金屬層、濺射法制備電極和升溫/退火處理,薄膜電容器的制備方法如下:(1)蒸鍍金屬層:在絕緣體薄膜表面蒸鍍一層金屬薄膜,并繞卷為薄膜卷;(2)濺射法制備電極層:將薄膜卷放置在旋轉(zhuǎn)繞驅(qū)架上放進真空腔室,并對真空腔室進行抽真空,采用離子濺射法制備電極層,并利用激光刻蝕獲得圖案化電極圖層;(3)升溫/退火處理:將薄膜電容器放入電阻爐,在通入保護氣體的環(huán)境下進行逐級升溫處理,然后,再進行退火處理,待溫度達到常溫時,再將薄膜電容器從旋轉(zhuǎn)繞驅(qū)架上的取出,分切成薄膜電容所需的薄膜帶。其中,所述步驟(1)中金屬薄膜的金屬包括Ni、Ag、Cu、Ti、Au或Pt的純金屬或其復合金屬;所述步驟(2)中真空腔室內(nèi)的真空度為1000Pa;所述步驟(2)中電極層厚度為10nm;所述步驟(3)中升溫溫度為700℃,保溫時間為50min;退火溫度為95℃,時間為205min;所述步驟(3)中保護氣體為Xe。實施例3:一種薄膜電容器的制備方法,包括蒸鍍金屬層、濺射法制備電極和升溫/退火處理,薄膜電容器的制備方法如下:(1)蒸鍍金屬層:在絕緣體薄膜表面蒸鍍一層金屬薄膜,并繞卷為薄膜卷;(2)濺射法制備電極層:將薄膜卷放置在旋轉(zhuǎn)繞驅(qū)架上放進真空腔室,并對真空腔室進行抽真空,采用離子濺射法制備電極層,并利用激光刻蝕獲得圖案化電極圖層;(3)升溫/退火處理:將薄膜電容器放入電阻爐,在通入保護氣體的環(huán)境下進行逐級升溫處理,然后,再進行退火處理,待溫度達到常溫時,再將薄膜電容器從旋轉(zhuǎn)繞驅(qū)架上的取出,分切成薄膜電容所需的薄膜帶。其中,所述步驟(1)中金屬薄膜的金屬包括Ni、Ag、Cu、Ti、Au或Pt的純金屬或其復合金屬;所述步驟(2)中真空腔室內(nèi)的真空度為100Pa;所述步驟(2)中電極層厚度為30nm;所述步驟(3)中升溫溫度為800℃,保溫時間為60min;退火溫度為100℃,時間為210min;所述步驟(3)中保護氣體為Ne和Ar的混合氣體??寡趸匝诱剐噪娙萘繉嵤├?90%80%73%實施例298%95%88%實施例385%90%76%現(xiàn)有的技術參數(shù)75%78%66%根據(jù)上述表格數(shù)據(jù)可知,實施例2中采用本發(fā)明薄膜電容器的制備工藝和現(xiàn)有的技術參數(shù)比較,具有較高的抗氧化性和延展性,同時還具有較大電容量,滿足產(chǎn)品輕量化的要求。本發(fā)明提供了一種薄膜電容器的制備方法,涉及電子元器件制作
技術領域:
,包括蒸鍍金屬層、濺射法制備電極層和升溫/退火處理,在絕緣體薄膜表面蒸鍍一層金屬薄膜,并繞卷為薄膜卷;將薄膜卷放置在旋轉(zhuǎn)繞驅(qū)架上放進真空腔室,并對真空腔室進行抽真空,采用離子濺射法制備電極層,并利用激光刻蝕獲得圖案化電極圖層;將薄膜電容器放入電阻爐,在通入保護氣體的環(huán)境下進行逐級升溫處理,然后,再進行退火處理,待溫度達到常溫時,再將薄膜電容器從旋轉(zhuǎn)繞驅(qū)架上的取出,分切成薄膜電容所需的薄膜帶。本發(fā)明工藝簡單、易于工業(yè)化的特點,實際生產(chǎn)成本較小,這種方法制備的薄膜電容器具有較高的抗氧化性和延展性,同時還具有較大電容量,滿足產(chǎn)品輕量化的要求。以上所述僅為本發(fā)明的實施例,并非因此限制本發(fā)明的專利范圍,凡是利用本發(fā)明說明書內(nèi)容所作的等效結構或等效流程變換,或直接或間接運用在其他相關的
技術領域:
,均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內(nèi)。當前第1頁1 2 3