1.一種片式元器件的制備方法，包括以下步驟：
以陶瓷漿料為原料制備介質(zhì)層；
在所述介質(zhì)層表面形成內(nèi)電極得到具有內(nèi)電極的介質(zhì)層；
將多個(gè)所述具有內(nèi)電極的介質(zhì)層層疊得到層疊單元；
在所述層疊單元的兩個(gè)相對的表面分別層疊保護(hù)層，壓合后形成層疊基板；
對所述層疊基板進(jìn)行切割，形成層疊體；
對所述層疊體的兩端的端面進(jìn)行拋光；
在拋光后的所述端面電鍍制備端電極；
對制備有所述端電極的所述層疊體進(jìn)行燒結(jié)得到所述片式元器件。
2.如權(quán)利要求1所述的片式元器件的制備方法，其特征在于，所述對制備有所述端電極的所述層疊體進(jìn)行燒結(jié)的步驟之后還包括步驟：在所述端電極的表面電鍍形成錫層。
3.如權(quán)利要求1所述的片式元器件的制備方法，其特征在于，所述層疊體包括主體及自所述主體的兩端突出的凸起，所述端面為所述凸起的末端的端面。
4.如權(quán)利要求3所述的片式元器件的制備方法，其特征在于，所述主體的截面為梯形，所述凸起自所述梯形的兩個(gè)底邊凸出。
5.如權(quán)利要求1所述的片式元器件的制備方法，其特征在于，在拋光后的所述層疊體的所述端面電鍍制備端電極的步驟中，電鍍的時(shí)間為10分鐘～240分鐘。
6.如權(quán)利要求1所述的片式元器件的制備方法，其特征在于，對制備有所述端電極的所述層疊體進(jìn)行燒結(jié)的步驟中，所述燒結(jié)在保護(hù)性氣體氛圍下進(jìn)行，所述燒結(jié)的溫度為850℃～950℃，所述燒結(jié)的時(shí)間為30分鐘～120分鐘。
7.如權(quán)利要求2所述的片式元器件的制備方法，其特征在于，在所述端電極的表面電鍍形成錫層的步驟中，電鍍的時(shí)間為10分鐘～240分鐘。
8.如權(quán)利要求1所述的片式元器件的制備方法，其特征在于，對于所述層疊體的兩端的端面進(jìn)行拋光的步驟中，采用打磨的方式進(jìn)行拋光，拋光的時(shí)間為1分鐘～20分鐘。
9.如權(quán)利要求1～8任一項(xiàng)所述的片式元器件的制備方法制備得到的片式元器件。
10.如權(quán)利要求9所述的片式元器件，其特征在于，所述片式元器件為片式電卡、片式電容器、片式電阻器、片式電感器或片式電位器。