一種具有延伸電極的磁敏器件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種具有延伸電極的磁敏器件。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有技術(shù)中的磁敏器件，包括由下而上依次設(shè)置的襯底層、銻化銦薄膜、電極，導(dǎo)線通過(guò)打線工藝連接在電極上。而由于銻化銦材料軟脆，在對(duì)電極進(jìn)行打線時(shí)，會(huì)使位于電極之下的銻化銦薄膜損壞。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]為克服上述缺點(diǎn)，本實(shí)用新型的目的在于提供一種具有延伸電極的磁敏器件。
[0004]為了達(dá)到以上目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是:一種具有延伸電極的磁敏器件，它包括基底、在基底之上的形成所需芯片圖案的InSb薄膜，具有延伸電極的磁敏器件還包括至少兩個(gè)電極，每個(gè)電極的一部分位于InSb薄膜上表面，另一部分延伸至基底上表面。
[0005]進(jìn)一步地，電極的所述另一部分通過(guò)打線工藝與導(dǎo)線連接。
[0006]進(jìn)一步地，電極材料采用金或鋁。
[0007 ] 進(jìn)一步地，基底材料為陶瓷、硅、鐵氧體或云母。
[0008]進(jìn)一步地，基底包括由下至上依次設(shè)置的襯底層、過(guò)渡層、絕緣層，過(guò)渡層材料為化合物，該化合物含有包括In在內(nèi)的與In同族的至少一種金屬元素，所述的化合物中至少含有Sb，化合物中除Sb外僅含有In所在族中的金屬元素。
[0009]更進(jìn)一步地，絕緣層材料為In2O3或Si〇2。
[0010]更進(jìn)一步地，若在具有延伸電極的磁敏器件制作過(guò)程中，對(duì)InSb進(jìn)行退火處理時(shí)的退火溫度低于InSb的熔點(diǎn)，則過(guò)渡層材料為InSb，若在具有延伸電極的磁敏器件制作過(guò)程中，對(duì)InSb進(jìn)行退火處理時(shí)的退火溫度高于InSb的熔點(diǎn)，則過(guò)渡層材料為除InSb外的其他化合物。
[0011 ]更進(jìn)一步地，襯底層材料為陶瓷、娃、鐵氧體或云母。
[0012]上述的一種具有延伸電極的磁敏器件的制造工藝，包括以下步驟:
[0013]A.在基底上表面生長(zhǎng)InSb薄膜層，并按照芯片圖案通過(guò)半導(dǎo)體光刻工藝形成InSb薄膜；
[00M] B.通過(guò)半導(dǎo)體光刻掩膜工藝，蒸發(fā)電極使電極的一部分位于InSb薄膜上表面，另一部分延伸至基底上表面。
[0015]進(jìn)一步地，通過(guò)打線工藝將導(dǎo)線連接至InSb薄膜的位于基底上表面的所述另一部分上。
[0016]由于采用了上述技術(shù)方案，本實(shí)用新型一種具有延伸電極的磁敏器件，通過(guò)將電極從InSb薄膜上延伸至基底的上表面，而打線時(shí)則在電極的位于基底上表面的那一部分上進(jìn)行打線，從而避免了在InSb薄膜上方打線而損壞InSb薄膜，保證了磁敏器件的質(zhì)量。
【附圖說(shuō)明】
[0017]附圖1為本實(shí)用新型【背景技術(shù)】中現(xiàn)有的磁敏器件的側(cè)剖結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]附圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例一中一種具有延伸電極的磁敏器件的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]附圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例一中一種具有延伸電極的磁敏器件的側(cè)剖結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]附圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例二中一種具有延伸電極的磁敏器件的側(cè)剖結(jié)構(gòu)示意圖。
[0021 ]圖中標(biāo)號(hào)為:
[0022 ]1、基底；11、襯底層；12、過(guò)渡層；13、絕緣層；
[0023]2、InSb 薄膜；
[0024]3、電極；
[0025]4、導(dǎo)線。
【具體實(shí)施方式】
[0026]下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)闡述，以使本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和特征能更易于被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解。
[0027]實(shí)施例一
[0028]參照附圖2和附圖3，本實(shí)施例中的一種具有延伸電極的磁敏器件，它包括基底1、在基底I之上的形成所需芯片圖案的InSb薄膜2。具有延伸電極的磁敏器件還包括至少兩個(gè)電極3，每個(gè)電極3的一部分位于InSb薄膜2上表面，另一部分延伸至基底I上表面。
[0029]電極3的所述另一部分通過(guò)打線工藝與導(dǎo)線4相連接。
[0030]附圖2示出了一種InSb薄膜形狀及電極3設(shè)置位置的實(shí)施例。
[0031]電極3材料采用金或鋁。
[0032]基底I材料為陶瓷、硅、鐵氧體或云母。
[0033]上述的具有延伸電極的磁敏器件的制造工藝，包括以下步驟:
[0034]A.在基底I上表面生長(zhǎng)InSb薄膜層，并按照芯片圖案通過(guò)半導(dǎo)體光刻工藝形成InSb薄膜2;
[0035]B.通過(guò)半導(dǎo)體光刻掩膜工藝，蒸發(fā)電極3使電極3的一部分位于InSb薄膜2上表面，另一部分延伸至基底I上表面。
[0036]通過(guò)打線工藝將導(dǎo)線4連接至InSb薄膜2的位于基底I上表面的另一部分上。
[0037]本實(shí)施例中的一種具有延伸電極的磁敏器件，通過(guò)將電極從InSb薄膜上延伸至基底的上表面，而打線時(shí)則在電極的位于基底上表面的那一部分上進(jìn)行打線，從而避免了在InSb薄膜上方打線而損壞InSb薄膜，保證了磁敏器件的質(zhì)量。
[0038]實(shí)施例二
[0039]參照附圖4，本實(shí)施例中的一種具有延伸電極的磁敏器件與實(shí)施例一的區(qū)別僅在于:本實(shí)施例中的基底I包括由下至上依次設(shè)置的襯底層11、過(guò)渡層12、絕緣層13。襯底層11厚度為10ym?ΙΟΟΟμπι，材料為陶瓷、硅、鐵氧體或云母。絕緣層13厚度為Ο.ΟΙμπι?ΙΟμπι，材料為In2O3或Si02。過(guò)渡層12材料為化合物，該化合物含有包括In在內(nèi)的與In同族的至少一種金屬元素，所述的化合物中至少含有Sb，化合物中除Sb外僅含有In所在族中的金屬元素。若在具有延伸電極的磁敏器件制作過(guò)程中，對(duì)InSb進(jìn)行退火處理時(shí)的退火溫度低于InSb的熔點(diǎn)，則過(guò)渡層12材料為InSb，若在具有延伸電極的磁敏器件制作過(guò)程中，對(duì)InSb進(jìn)行退火處理時(shí)的退火溫度高于InSb的熔點(diǎn)，則過(guò)渡層12材料為除InSb外的其他化合物，如二元材料Al Sb、GaSb，三元材料InGaSb、InAl Sb，四元材料InGaAl Sb等，這里不再--列舉。過(guò)渡層2
厚度為0.Iwii?20μηι。
[0040]本實(shí)施例中具有延伸電極的磁敏器件的制造工藝與實(shí)施例一中的區(qū)別僅在于:基底I的制造:1、取襯底層1，在真空條件下，分別通過(guò)氣相外延法使化合物中所含金屬元素的單體至襯底層I上表面形成所述的化合物，從而形成過(guò)渡層2;2、先在真空條件下通過(guò)氣相外延法使In單體至過(guò)渡層2上表面形成覆蓋層，再通入氧氣或空氣使覆蓋層至少部分氧化成In2O3而形成絕緣層3;在另一種實(shí)施方案中，本步驟中先在真空條件下通過(guò)氣相外延法使Si單體至過(guò)渡層2上表面形成覆蓋層，再通入氧氣或空氣使覆蓋層至少部分氧化成S12而形成絕緣層3。在一種更為優(yōu)選的實(shí)施方案中，步驟2中，通入氧氣或空氣使覆蓋層全部氧化成In2O3或S12而形成絕緣層3。上述的氣相外延法為熱蒸發(fā)法、金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法或分子束外延法。
[0041 ]完成基底I的制造后，再按照實(shí)施例一中的步驟A至B，制造本實(shí)施例中的具有延伸電極的磁敏器件。
[0042]本實(shí)施例中的一種具有延伸電極的磁敏器件，除了具有實(shí)施例一中所述優(yōu)點(diǎn)之夕卜，還具有以下優(yōu)點(diǎn):1、通過(guò)過(guò)渡層，屏蔽了摻雜效應(yīng)，保證了 InSb薄膜的電學(xué)性質(zhì);2、過(guò)渡層選用與InSb薄膜同類材料，二者熱膨脹系數(shù)差異很小，降低了因熱膨脹系數(shù)不同而對(duì)InSb薄膜的影響;3、當(dāng)襯底層材料選用陶瓷時(shí)，由于過(guò)渡層設(shè)置，避免了陶瓷上孔洞對(duì)InSb薄膜的影響;4、而過(guò)渡層與InSb薄膜均為導(dǎo)電層，二者之間增加絕緣層起到了絕緣的作用。
[0043]以上實(shí)施方式只為說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn)，其目的在于讓熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人了解本實(shí)用新型的內(nèi)容并加以實(shí)施，并不能以此限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍，凡根據(jù)本實(shí)用新型精神實(shí)質(zhì)所做的等效變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種具有延伸電極的磁敏器件，它包括基底(I)、在所述基底(I)之上的形成所需芯片圖案的InSb薄膜(2)，其特征在于:所述的具有延伸電極的磁敏器件還包括至少兩個(gè)電極(3)，每個(gè)所述電極(3)的一部分位于所述InSb薄膜(2)上表面，另一部分延伸至所述基底(I)上表面。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有延伸電極的磁敏器件，其特征在于:所述電極(3)的所述另一部分通過(guò)打線工藝與導(dǎo)線(4)連接。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有延伸電極的磁敏器件，其特征在于:所述的電極(3)材料采用金或鋁。4.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的一種具有延伸電極的磁敏器件，其特征在于:所述的基底(I)材料為陶瓷、硅、鐵氧體或云母。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有延伸電極的磁敏器件，其特征在于:所述的基底(I)包括由下至上依次設(shè)置的襯底層(11)、過(guò)渡層(12)、絕緣層(13)，所述過(guò)渡層(12)材料為化合物，該化合物含有包括In在內(nèi)的與In同族的至少一種金屬元素，所述的化合物中至少含有Sb，化合物中除Sb外僅含有In所在族中的金屬元素。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種具有延伸電極的磁敏器件，其特征在于:所述的絕緣層(13)材料為 In2O3 或 Si02。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種具有延伸電極的磁敏器件，其特征在于:若在所述具有延伸電極的磁敏器件制作過(guò)程中，對(duì)所述InSb進(jìn)行退火處理時(shí)的退火溫度低于InSb的熔點(diǎn)，則所述過(guò)渡層(12)材料為InSb，若在所述具有延伸電極的磁敏器件制作過(guò)程中，對(duì)所述InSb進(jìn)行退火處理時(shí)的退火溫度高于InSb的熔點(diǎn)，則所述過(guò)渡層(12)材料為除InSb外的其他所述化合物。8.根據(jù)權(quán)利要求5中所述的一種具有延伸電極的磁敏器件，其特征在于:所述的襯底層(II)材料為陶瓷、硅、鐵氧體或云母。
【專利摘要】<b>本實(shí)用新型公開了一種具有延伸電極的磁敏器件</b><b>，</b><b>通過(guò)將電極從</b><b>InSb</b><b>薄膜上延伸至基底的上表面，而打線時(shí)則在電極的位于基底上表面的那一部分上進(jìn)行打線，從而避免了在InSb薄膜上方打線而損壞InSb薄膜，保證了磁敏器件的質(zhì)量。</b>
【IPC分類】H01L27/22, H01L43/00, H01L43/02
【公開號(hào)】CN205248317
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201521137548
【發(fā)明人】馬可軍, 俞振中, 鄭律
【申請(qǐng)人】江蘇森尼克電子科技有限公司
【公開日】2016年5月18日
【申請(qǐng)日】2015年12月31日