本發(fā)明是大致有關(guān)于電子設(shè)備，并且更具體而言是有關(guān)于經(jīng)封裝的電子結(jié)構(gòu)以及形成電子結(jié)構(gòu)的方法。

相關(guān)申請(qǐng)案的交互參照：

此申請(qǐng)案是主張2015年11月3日申請(qǐng)的名稱為"具有整合的天線和鎖定結(jié)構(gòu)的經(jīng)封裝的電子裝置"的美國(guó)專利申請(qǐng)案號(hào)14/931,750的優(yōu)先權(quán)，該美國(guó)專利申請(qǐng)案的內(nèi)容是在此以其整體被納入作為參考。

背景技術(shù)：

無(wú)線及可攜的手持式通訊應(yīng)用市場(chǎng)是持續(xù)成長(zhǎng)及演進(jìn)的市場(chǎng)的例子，其中是更加努力來(lái)整合更多的電子功能到更小、更輕、更薄而且更低成本的解決方案中。針對(duì)于這些應(yīng)用的持續(xù)不斷的挑戰(zhàn)中之一是改善及整合有效的天線到各種產(chǎn)品平臺(tái)中。數(shù)種方式已經(jīng)用許多的形狀因素而被開(kāi)發(fā)及實(shí)施，但通常是使用較傳統(tǒng)的天線設(shè)計(jì)，例如是位在產(chǎn)品之內(nèi)或是產(chǎn)品外部的離散的箔片帶與個(gè)別的可收縮的雙極天線以及其的組合。此種天線包含槽孔天線、倒F天線("IFA")、平面倒F天線("PIFA")、以及各種微帶(micro-strip)天線(也以"貼片(patch)"天線著稱)的配置。

用在無(wú)線應(yīng)用中的天線已經(jīng)用個(gè)別且離散的構(gòu)件而被納入到產(chǎn)品的外殼內(nèi)，其是利用例如是導(dǎo)電的條帶的材料，而被設(shè)置到利用碳基的材料的產(chǎn)品殼體中以形成適當(dāng)?shù)奶炀€數(shù)組、或是被納入為一電連接至該裝置的RF區(qū)段的個(gè)別且離散的構(gòu)件。其它的方式已經(jīng)將天線作為一個(gè)別的構(gòu)件而被設(shè)置在系統(tǒng)的印刷電路板("PCB")上，其是利用該P(yáng)CB的特點(diǎn)以及在應(yīng)用中的其它天線組件來(lái)完成天線的功能。

這些先前的方式的每一種都增加裝置的成本。再者，這些先前的方式是難以設(shè)計(jì)的、由于效率差的操作而為耗能的、增加應(yīng)用的體積、以及限制應(yīng)用的絕對(duì)尺寸及/或形狀因子。此外，每一種解決方案或技術(shù)是其設(shè)計(jì)所針對(duì)的裝置特有的，此是最小化設(shè)計(jì)的再利用，并且增加裝置的設(shè)計(jì)周期的復(fù)雜度，此進(jìn)一步增加成本而且增長(zhǎng)產(chǎn)品問(wèn)市的時(shí)間。

電子封裝的裝置的另一項(xiàng)持續(xù)不斷的挑戰(zhàn)是在基板為基礎(chǔ)的封裝的電子裝置(例如，導(dǎo)線架封裝的電子裝置)中的模制化合物("EMC")的脫層。脫層是經(jīng)常在可靠度應(yīng)力測(cè)試期間遭遇到，因而限制這些封裝類型在某些應(yīng)用及市場(chǎng)中的使用。超過(guò)可接受的產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)限制(例如是那些界定在JEDEC標(biāo)準(zhǔn)中者)的脫層通常是被定義為一項(xiàng)可靠度的風(fēng)險(xiǎn)，并且導(dǎo)致該裝置未通過(guò)可靠度的合格測(cè)試。在過(guò)去，典型改正的動(dòng)作曾經(jīng)是改變?cè)撗b置的材料列表、及/或例如是基板的封裝層級(jí)的構(gòu)件的重新設(shè)計(jì)。

汽車產(chǎn)業(yè)已經(jīng)提出重新界定用于封裝層級(jí)的脫層的可接受的限制實(shí)質(zhì)為零。此所要的目標(biāo)正積極地為整個(gè)集成電路封裝及組裝產(chǎn)業(yè)所追求的。目前所追求及提出的解決方案已經(jīng)主要聚焦在模制化合物的結(jié)構(gòu)以及晶粒附接材料的改變上。再者，大量的發(fā)展已經(jīng)被應(yīng)用到具有粗糙化技術(shù)的形式的基板表面的處理，該兩者都可以化學(xué)及機(jī)械式地被施加。通常在此方式中，一粗糙化制程已經(jīng)被應(yīng)用到一基板的表面，并且已經(jīng)和所選的經(jīng)改良的模制化合物及晶粒附接材料結(jié)合。此方式已經(jīng)被展現(xiàn)在該模制化合物與基板之間的黏著上提供一些改善，藉此降低脫層。另一種方式曾經(jīng)是在基板及/或引線(lead)內(nèi)包含突出部或是半蝕刻的部分，其是作用以增加用于附著至該模制化合物的表面積。這些特點(diǎn)也已經(jīng)被用來(lái)提供引線的穩(wěn)定性。

然而，對(duì)于較大的主體裝置(例如，具有大于4毫米(mm)乘4mm的大的晶粒墊的裝置)、具有長(zhǎng)的聯(lián)結(jié)桿(tie bar)配置(例如，具有大于約3mm的長(zhǎng)度的聯(lián)結(jié)桿)的裝置、或是具有高度使用的晶粒至晶粒附接墊引線接合(通常以下方接合著稱)的裝置、以及其的組合而言，現(xiàn)有的解決方案尚未提供滿足需要的結(jié)果。

于是，所需的是提供改良的天線設(shè)計(jì)，以在其它方面之外，也支持對(duì)于更小、更輕、更薄以及更低成本的解決方案內(nèi)的增進(jìn)的電子功能的產(chǎn)業(yè)需求的結(jié)構(gòu)及方法。此外，將會(huì)有利的是，此種結(jié)構(gòu)及方法是通過(guò)利用例如是現(xiàn)有的組裝制程及技術(shù)以符合成本效益的。此外，用于降低在包含例如是在以下揭露的封裝結(jié)構(gòu)的電子封裝中的脫層的結(jié)構(gòu)及方法是所需的。再者，將會(huì)有利的是，此種結(jié)構(gòu)及方法是降低在該封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)的應(yīng)力以進(jìn)一步改善可靠度。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

大致而言，本發(fā)明實(shí)施例有關(guān)于一種具有一整合的天線的經(jīng)封裝的電子裝置，其包含一基板，該基板包括一第一導(dǎo)電的晶粒附接墊；以及一第一導(dǎo)電的引線，其和該第一導(dǎo)電的晶粒附接墊的一第一側(cè)邊間隔開(kāi)。一電子裝置電連接至該第一導(dǎo)電的引線，并且一封裝主體囊封該電子裝置而且進(jìn)一步至少囊封該第一導(dǎo)電的晶粒附接墊的部分、以及至少該第一引線的部分。在數(shù)個(gè)實(shí)施例中，該整合的天線包含一天線結(jié)構(gòu)，其包括該第一導(dǎo)電的晶粒附接墊以及一第二導(dǎo)電的引線中的一或多個(gè)；以及一細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)，其是被設(shè)置成接近該第一導(dǎo)電的晶粒附接墊的該第一側(cè)邊，該細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)是電耦接至第一導(dǎo)電的晶粒附接墊以及該電子裝置中的一或多個(gè)，其中該封裝主體囊封該細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)的至少部分。在一實(shí)施例中，該細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)是被配置以具有一大于該些導(dǎo)電的引線的長(zhǎng)度。在一實(shí)施例中，該細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)是具有一長(zhǎng)度是該些導(dǎo)電的引線的長(zhǎng)度的至少4倍。

在另一實(shí)施例中，一種具有一整合的天線的經(jīng)封裝的電子裝置結(jié)構(gòu)包括一第一晶粒墊，其具有一第一主要的表面以及一與該第一主要的表面相反的第二主要的表面。復(fù)數(shù)個(gè)導(dǎo)電的引線(也即，超過(guò)一個(gè)引線)系被設(shè)置成和該晶粒墊的外圍的邊緣區(qū)段間隔開(kāi)。一電子裝置是電連接至該多個(gè)導(dǎo)電的引線。一封裝主體囊封該電子裝置、該些導(dǎo)電的引線的至少部分、以及該第一晶粒墊的至少部分。一天線結(jié)構(gòu)是至少部分地內(nèi)嵌在該封裝主體之內(nèi)，其中該天線結(jié)構(gòu)包括一被配置以響應(yīng)于電性信號(hào)而諧振的導(dǎo)電的結(jié)構(gòu)。根據(jù)本揭露內(nèi)容，被配置以響應(yīng)于一電性信號(hào)而諧振的導(dǎo)電的結(jié)構(gòu)的非限制性的例子包括獨(dú)特地被配置的晶粒附接墊、細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)、螺旋的天線結(jié)構(gòu)、在導(dǎo)電的墊或細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)之內(nèi)的槽結(jié)構(gòu)、導(dǎo)電的回路結(jié)構(gòu)、波導(dǎo)、導(dǎo)電柱結(jié)構(gòu)以及其的組合。

在另一實(shí)施例中，一種具有一整合的天線的經(jīng)封裝的電子裝置結(jié)構(gòu)包含一導(dǎo)電的引線架，該導(dǎo)電的引線架包括一晶粒墊，其具有一第一主要的表面以及一與該第一主要的表面相反的第二主要的表面；以及多個(gè)導(dǎo)電的引線，其是被設(shè)置成和該晶粒墊的外圍的邊緣區(qū)段間隔開(kāi)；以及一聯(lián)結(jié)桿，其是附接至該晶粒墊。一電子裝置是電連接至該多個(gè)導(dǎo)電的引線，并且一模制的封裝主體囊封該電子裝置、每一個(gè)導(dǎo)電的引線的至少部分以及該晶粒墊的至少部分。一天線結(jié)構(gòu)是至少部分被囊封在該模制的封裝主體之內(nèi)，其中該天線結(jié)構(gòu)包括一被配置以響應(yīng)于一電性信號(hào)而諧振的導(dǎo)電的結(jié)構(gòu)，該導(dǎo)電的結(jié)構(gòu)包括該晶粒墊以及被設(shè)置在該晶粒墊之內(nèi)的一槽、一個(gè)別的導(dǎo)電的墊、一導(dǎo)電柱結(jié)構(gòu)、一細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的結(jié)構(gòu)、以及一具有一槽的細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)中的一或多個(gè)，其中該個(gè)別的導(dǎo)電的墊具有被設(shè)置在該個(gè)別的導(dǎo)電的墊的主要的表面之間的一孔。

附圖說(shuō)明

圖1是描繪根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的一種具有一整合的天線的電子裝置的俯視圖；

圖2是圖1的電子裝置沿著在圖1中的參考線2-2所取的橫截面圖；

圖3是描繪根據(jù)本發(fā)明的替代實(shí)施例的圖2的電子裝置的一部分的部分橫截面圖；

圖4是描繪根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種具有一整合的天線的電子裝置的俯視圖；

圖5是根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的圖4的電子裝置進(jìn)一步結(jié)合下一層級(jí)的組件沿著參考線5-5所取的橫截面圖；

圖6是描繪根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種具有一整合的天線的電子裝置的俯視圖；

圖7是描繪根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種具有一整合的天線的電子裝置的俯視圖；

圖8是描繪根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種具有一整合的天線的電子裝置的俯視圖；

圖9是描繪根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種具有一整合的天線的電子裝置的俯視圖；

圖10是描繪根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種具有一整合的天線的電子裝置的俯視圖；

圖11是描繪根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的一種具有一整合的天線的電子裝置的部分俯視圖；

圖12是描繪根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種具有一整合的天線的電子裝置的部分俯視圖；

圖13是描繪根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種具有一整合的天線的電子裝置的部分俯視圖；

圖14是描繪根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種具有一整合的天線的電子裝置的部分俯視圖；

圖15是描繪根據(jù)本發(fā)明的一種用于整合在一經(jīng)封裝的電子裝置之內(nèi)的天線結(jié)構(gòu)的部分橫截面圖；

圖16是描繪圖15的實(shí)施例的仰視圖；

圖17是描繪根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的一種具有一整合的天線的電子裝置的俯視圖；

圖18是描繪根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種具有一整合的天線的電子裝置的俯視圖；

圖19是描繪根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的一種具有一整合的天線的電子裝置的俯視圖；

圖20是描繪根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的槽孔天線的一替代實(shí)施例的俯視圖；

圖21是描繪根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的一種具有一整合的天線的電子裝置的俯視圖；

圖22A至22F是描繪根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于圖21的實(shí)施例的替代的槽配置的俯視圖；

圖23是描繪根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的一種具有一整合的天線的電子裝置的俯視圖；

圖24是描繪根據(jù)本發(fā)明的圖23的電子裝置在額外的制造之后的一部分的部分俯視圖；

圖25是描繪根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的一種具有一整合的天線的電子裝置的俯視圖；

圖26是描繪根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種具有一整合的天線的電子裝置的俯視圖；

圖27是描繪根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的一種具有一整合的天線的電子裝置的部分俯視圖；

圖28是描繪根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種具有一整合的天線的電子裝置的部分俯視圖；

圖29是描繪根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種具有一整合的天線的電子裝置的部分俯視圖；

圖30是描繪根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的一種具有一整合的天線的電子裝置的俯視圖；

圖31是描繪根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種具有一整合的天線的電子裝置的俯視圖；

圖32是描繪根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的具有一整合的天線的電子裝置的俯視圖；

圖33是描繪圖32的電子裝置的另一俯視圖；

圖34是描繪根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的具有一整合的天線的電子裝置的俯視圖；

圖35是描繪圖34的電子裝置沿著參考線35-35所取的橫截面圖；

圖36是描繪根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的一種具有一整合的天線的電子裝置的橫截面圖；

圖37是描繪根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的一內(nèi)嵌的天線的部分橫截面圖；以及

圖38是描繪根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種具有一整合的天線的經(jīng)封裝的電子裝置的部分切去的俯視立體圖；

圖39是描繪根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的一種基板結(jié)構(gòu)的仰視圖；

圖40是圖39的基板結(jié)構(gòu)的橫截面圖；

圖41是描繪根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種基板結(jié)構(gòu)的一部分的部分仰視圖；

圖42是描繪根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種基板結(jié)構(gòu)的一部分的部分仰視圖；

圖43是描繪根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種基板結(jié)構(gòu)的一部分的部分仰視圖；以及

圖44是描繪根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的一種基板結(jié)構(gòu)的一部分的部分仰視圖。

為了圖示的簡(jiǎn)化及清楚起見(jiàn)，在圖式中的組件并不一定按照比例繪制，并且在不同的圖中的相同的組件符號(hào)表示相同的組件。此外，眾所周知的步驟及組件的說(shuō)明及細(xì)節(jié)是為了該說(shuō)明的簡(jiǎn)化起見(jiàn)而被省略。熟習(xí)此項(xiàng)技術(shù)者將會(huì)體認(rèn)到的是，如同在此有關(guān)于電路操作所用的字詞"期間"、"同時(shí)"、以及"當(dāng)"并不是表示一動(dòng)作在一初始動(dòng)作之后立即發(fā)生的確定的術(shù)語(yǔ)，而是在通過(guò)該初始動(dòng)作而被起始的反應(yīng)之間可以有一些小的、但是合理的延遲，例如各種的傳遞延遲。此外，該術(shù)語(yǔ)"同時(shí)"是表示某一動(dòng)作是至少發(fā)生在該初始動(dòng)作的一持續(xù)期間的某個(gè)部分之內(nèi)。該些字詞"大約"、"大致或"實(shí)質(zhì)"的使用是表示一組件的一值是具有一參數(shù)是被預(yù)期的接近一所述的值或位置。然而，如同在此項(xiàng)技術(shù)中眾所周知的，總是有妨礙該值或位置是確切如同所述者的較小的變異。在權(quán)利要求書(shū)中或/及在圖式的詳細(xì)說(shuō)明中的術(shù)語(yǔ)第一、第二、第三與類似者(如同用在一組件的一名稱的一部分)是被使用于在類似的組件之間作區(qū)別，而且并不一定用于描述在時(shí)間上、空間上、在排行上、或是在任何其它方式上的一順序。將了解到的是，如此使用的術(shù)語(yǔ)在適當(dāng)?shù)那闆r下是可互換的，并且在此所述的實(shí)施例是能夠用和在此所敘述或描繪的不同的其它順序來(lái)操作。此外，將了解到的是，在此敘述的一層或區(qū)域是被形成或設(shè)置在一第二層或另一區(qū)域上的情況中，該第一層可被形成或設(shè)置在該第二層的正上方、或是在該第一層與該第二層之間可以有介于中間的層。再者，如同在此所用的，該術(shù)語(yǔ)"形成在…上"是被使用為具有和位在…上、或是設(shè)置在…上相同的意義，而且并不意謂是有關(guān)任何特定的制程的限制的。再者，該術(shù)語(yǔ)"主要的表面"當(dāng)結(jié)合一半導(dǎo)體區(qū)域、晶圓或基板而被使用時(shí)，其是表示該半導(dǎo)體區(qū)域、晶圓或基板的表面和另一種材料(例如，一介電質(zhì)、一絕緣體、一導(dǎo)體、或是一多晶半導(dǎo)體)形成一接口。該主要的表面可以具有一在x、y及z方向上改變的表面構(gòu)形。

具體實(shí)施方式

在某些應(yīng)用中，例如是半導(dǎo)體晶粒的電子裝置是被包圍在塑料封裝中，該塑料封裝是提供保護(hù)以與惡劣的環(huán)境隔開(kāi)，并且致能在該半導(dǎo)體晶粒與例如是一印刷電路板(PCB)或主板的一下一層級(jí)的組件之間的電互連。此種封裝的組件通常包含一例如是金屬引線架的導(dǎo)電的基板、一集成電路或半導(dǎo)體晶粒、用以將該半導(dǎo)體晶粒附接至該引線架的接合材料、將在該半導(dǎo)體晶粒上的墊電連接至該引線架的個(gè)別的引線的互連結(jié)構(gòu)、以及一種硬質(zhì)塑膠囊封材料，其覆蓋其它構(gòu)件，并且形成半導(dǎo)體封裝的通常被稱為封裝主體的外部。

該引線架是此種封裝的中央支撐結(jié)構(gòu)，并且通常是通過(guò)化學(xué)蝕刻或是機(jī)械式?jīng)_壓一金屬帶來(lái)加以制造。該引線架的一部分是在該封裝的內(nèi)部，該部分完全被該塑膠囊封材料或封裝主體所圍繞。該引線架的引線的其它部分可以從該封裝主體延伸到外部、或是可以于其中部分被露出，以用于將該封裝電連接至另一構(gòu)件。

本說(shuō)明是針對(duì)于電子封裝結(jié)構(gòu)，其是具有整合的天線結(jié)構(gòu)、以及在某些實(shí)施例中的電子構(gòu)件，例如是半導(dǎo)體構(gòu)件及/或被動(dòng)構(gòu)件。相關(guān)于本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝的例子包含但不限于類型的封裝("MLF")，其包含雙列的MLF類型的封裝("DR-MLF")；四邊扁平無(wú)引線封裝("QFN")；小輪廓無(wú)引線封裝("SON")；雙平面無(wú)引線封裝("DFN")；四邊扁平封裝("QFP")；薄型基板芯片尺寸封裝("tsCSP")；先進(jìn)的QFN封裝("aQFN")；以及網(wǎng)格數(shù)組封裝("GQFN")。例如是前述的封裝是相關(guān)的，因?yàn)樗鼈儼瑢?dǎo)電的基板，例如是具有一晶粒附接結(jié)構(gòu)或墊的引線架，其可以被露出至外部、或是被囊封，并且它們是包含支持根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的天線設(shè)計(jì)的納入的材料性質(zhì)。例如，這些封裝是在被納入的引線架的構(gòu)成中包含導(dǎo)電材料，例如是銅、鎳、金、銀、鈀、鐵、以及其它，并且這些封裝包含例如是環(huán)氧樹(shù)脂模制化合物的絕緣材料。

此外，數(shù)種類型的天線設(shè)計(jì)可被配置在根據(jù)本實(shí)施例的一種經(jīng)封裝的基板設(shè)計(jì)之內(nèi)。這些是包含但不限于以下：環(huán)形天線、寬帶偶極、單極天線、折迭式偶極天線、微帶或貼片天線、平面倒F天線("PIFA")、倒F天線("IFA")、Vivaldi天線、開(kāi)槽的波導(dǎo)天線、半波以及四分之一波天線的變化。這些設(shè)計(jì)可被配置以利用被適當(dāng)配置及定向的晶粒附接墊、引線指狀物、聯(lián)結(jié)桿、以及額外的導(dǎo)電的組件，以形成被配置以用于應(yīng)用的天線，該些應(yīng)用包含但不限于需要一RF信號(hào)被發(fā)送及/或接收的無(wú)線手持式裝置，其例如但不限于智能型手機(jī)、雙向的通訊裝置、PC平板計(jì)算機(jī)、RF卷標(biāo)、傳感器、以及Wi-Fi裝置、物聯(lián)網(wǎng)("IoT")、居家防護(hù)、遙控裝置、以及其它。該些設(shè)計(jì)中的數(shù)個(gè)將會(huì)在以下加以描述，但是具有此項(xiàng)技術(shù)的通常知識(shí)者將會(huì)體認(rèn)到，本發(fā)明是相關(guān)于通過(guò)在此所述的組件及特點(diǎn)支持的任何天線設(shè)計(jì)。再者，該項(xiàng)技術(shù)中具有通常技能者將會(huì)體認(rèn)到，盡管以下的說(shuō)明是聚焦在各種無(wú)引線的引線架為基礎(chǔ)的實(shí)施例，但是相同的實(shí)施方式的原理可被應(yīng)用至有引線的引線架封裝。

盡管本說(shuō)明是趨向使用引線架類型的基板，但所了解的是本揭露內(nèi)容也可應(yīng)用到其它類型的基板，其包含但不限于積層基板以及該項(xiàng)技術(shù)中具有通常技能者已知的其它基板。此外，在整個(gè)本說(shuō)明中是參照到一電子構(gòu)件23、電子裝置23、或是電子芯片23，其可以是一例如為混合的信號(hào)IC的半導(dǎo)體集成電路("IC")、一微控制器、一例如是RF功率晶體管的功率半導(dǎo)體裝置、其它類型的邏輯及/或模擬裝置或是整合的功能、整合的被動(dòng)功能、特殊應(yīng)用IC("ASIC")、以及具有該技術(shù)的普通技能者已知的其它類型的類似的半導(dǎo)體裝置。電子構(gòu)件23可以提供控制、監(jiān)視、濾波、放大、供電以及其它功能給在以下敘述的整合的天線、或是電子構(gòu)件23可以與控制、監(jiān)視、供電、或者是和該整合的天線互動(dòng)或電性通訊所需的功能隔離及/或獨(dú)立的。然而，根據(jù)本揭露內(nèi)容，在某些實(shí)施例中，電子構(gòu)件23較佳的是和該整合的天線裝置電性通訊，以提供空間有效率的封裝的裝置。

圖1是描繪根據(jù)一第一實(shí)施例的一種具有一整合的天線11的經(jīng)封裝的電子裝置10或是電子裝置10的俯視圖。在本實(shí)施例中，整合的天線11是在一QFN或是MLF類型的封裝中被配置為一微帶或貼片天線的實(shí)施例。電子裝置10包含一基板12或是一導(dǎo)電的基板12，例如是一導(dǎo)電的引線架12或引線架12。在一實(shí)施例中，引線架12是包含一大致四邊形(例如，方形)晶粒焊盤(paddle)13或是晶粒墊13，其是界定四個(gè)外圍的邊緣區(qū)段以及多個(gè)第一導(dǎo)電的引線14或是引線14，該些引線14可以被分離成為四個(gè)(4)組，其中每一組的引線14和晶粒墊13間隔開(kāi)來(lái)加以設(shè)置，并且從晶粒墊13的外圍區(qū)段中的對(duì)應(yīng)的一個(gè)大致垂直地延伸。所了解的是，引線架12可包含比在本實(shí)施例中所描繪者更多或是較少的引線。

根據(jù)本實(shí)施例，引線架12進(jìn)一步包含一接地面結(jié)構(gòu)16，該接地面結(jié)構(gòu)16在本實(shí)施例中是具有一框架狀的結(jié)構(gòu)或是一環(huán)狀的結(jié)構(gòu)，其是實(shí)質(zhì)圍繞晶粒墊13并且被設(shè)置在晶粒墊13與引線14之間。在一實(shí)施例中，接地面結(jié)構(gòu)16是包含一被設(shè)置在接地面結(jié)構(gòu)16的一側(cè)邊中或是之內(nèi)的間隙17或空間17。在一實(shí)施例中，接地面結(jié)構(gòu)16可包含一或多個(gè)導(dǎo)電的指狀物19，其是從接地面結(jié)構(gòu)16的側(cè)表面朝向晶粒墊13大致垂直地延伸。如同稍后將會(huì)加以解說(shuō)的，導(dǎo)電的指狀物19可被設(shè)置在一或多個(gè)相關(guān)晶粒墊13的默認(rèn)的位置處，以提供根據(jù)本實(shí)施例的不同的天線配置。在某些實(shí)施例中，接地面結(jié)構(gòu)16可以連接至引線架12以作為一聯(lián)結(jié)桿配置(未顯示)的部分，并且此種至該聯(lián)結(jié)桿配置的連接可以在模制的封裝主體26被形成之后加以分開(kāi)。

根據(jù)本實(shí)施例，一細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)21、細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的主體21、或是導(dǎo)電的傳輸線21是被設(shè)置成連接至晶粒墊13的外圍的邊緣區(qū)段中之一，并且從該外圍的邊緣區(qū)段朝向電子裝置10的一外部的邊緣22大致垂直地延伸。在一較佳實(shí)施例中，細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)21被設(shè)置成從晶粒墊13的一中心線延伸，并且穿過(guò)接地面結(jié)構(gòu)16的間隙17而延伸至外部的邊緣22。在一實(shí)施例中，晶粒墊13及細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)21具有一不同于引線14及接地面結(jié)構(gòu)16的厚度。更具體而言，晶粒墊13及細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)21可以從其個(gè)別的下表面部分地被蝕刻，使得該些下表面是在一不同于引線14及接地面結(jié)構(gòu)16的下表面的平面上。此是在圖1中通過(guò)從右到左向下傾斜的密集的影線來(lái)加以指出。在某些實(shí)施例中，引線14的部分140也部分地被蝕刻，以提供一鎖定機(jī)構(gòu)或結(jié)構(gòu)給封裝主體26。所了解的是，在其它實(shí)施例中，接地面結(jié)構(gòu)16也可以部分地被蝕刻，以提供鎖定機(jī)構(gòu)或結(jié)構(gòu)。

電子裝置10進(jìn)一步包含一或多個(gè)被設(shè)置在晶粒墊13的一表面上的電子構(gòu)件23(例如是半導(dǎo)體裝置23)。在圖1中，電子構(gòu)件23是被描繪為一虛線，以便于不阻礙到被用來(lái)描繪晶粒墊13的部分的蝕刻的橫斜的影線。在數(shù)個(gè)實(shí)施例中，電子構(gòu)件23包含覆蓋電子構(gòu)件23的一表面的焊墊24，以用于將電子構(gòu)件23電連接至引線14、晶粒墊13、及/或接地面結(jié)構(gòu)16。例如，焊墊24是利用導(dǎo)電的結(jié)構(gòu)27，例如是引線接合27、導(dǎo)電夾、或是該項(xiàng)技術(shù)中具有通常技能者已知的其它導(dǎo)電的結(jié)構(gòu)來(lái)電連接至引線14。

電子裝置10進(jìn)一步包含一種囊封材料，其被施加至該電子構(gòu)件、導(dǎo)電的結(jié)構(gòu)、引線14的部分、接地面結(jié)構(gòu)16的部分、晶粒墊13、以及細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)21，以形成封裝主體26。在本實(shí)施例中，引線14的下方及外部的端面是在封裝主體26中被露出；接地面結(jié)構(gòu)16的下表面是在封裝26的下表面中被露出；并且細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)21的一端部分是在封裝主體26的一側(cè)表面中被露出。在某些實(shí)施例中，封裝主體26包括一種絕緣材料，例如是一種環(huán)氧樹(shù)脂模制化合物("EMC")、或是該項(xiàng)技術(shù)中具有通常技能者已知的其它材料。在某些實(shí)施例中，封裝主體26是利用包覆模制技術(shù)來(lái)加以形成。在其它實(shí)施例中，注入模制技術(shù)是被用來(lái)形成封裝主體26。

根據(jù)本實(shí)施例，整合的天線11包括細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)21、接地面結(jié)構(gòu)16、以及晶粒墊13。更具體而言，在一實(shí)施例中，整合的天線11是被配置為四分之一波(λ/4)類型的天線結(jié)構(gòu)，其是和引線14及電子構(gòu)件23一起內(nèi)含在封裝主體26之內(nèi)。在一實(shí)施例中，引線架12可被蝕刻或是沖壓，以提供具有整合的天線11的電子裝置10的組件。根據(jù)本發(fā)明，被用來(lái)形成引線架12的蝕刻制程是便利地提供或是致能用于引線架12的設(shè)計(jì)以及天線設(shè)計(jì)整合的強(qiáng)化的彈性。此外，所了解的是，蝕刻及沖壓技術(shù)的一組合可被利用在其中該晶粒墊是被配置為非穿過(guò)封裝主體26的一或多個(gè)表面露出的實(shí)施例中。

圖2是具有整合的天線11的電子裝置10沿著在圖1中的參考線2-2所取的橫截面圖。圖2是進(jìn)一步描繪一導(dǎo)電的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子，例如是將覆蓋電子構(gòu)件23的一表面的焊墊24電連接至一引線14的引線接合27。圖2也描繪電子裝置10進(jìn)一步結(jié)合一例如是印刷電路板20的下一層級(jí)的組件。在一實(shí)施例中，印刷電路板20是包含多個(gè)導(dǎo)電線路，例如是導(dǎo)電的接地面31以及接點(diǎn)32及33。

在一實(shí)施例中，導(dǎo)電的接地面31電連接至接地面結(jié)構(gòu)16，以補(bǔ)充用于天線結(jié)構(gòu)11的接地面結(jié)構(gòu)。在一實(shí)施例中，細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)21可以利用一例如是引線接合27的導(dǎo)電的連接結(jié)構(gòu)來(lái)電連接至接點(diǎn)33。在替代的實(shí)施例中，細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)21'可被配置以具有一全厚度的遠(yuǎn)程部分，該遠(yuǎn)程部分可以利用例如是一焊料層34或是一導(dǎo)電的黏著層34來(lái)直接附接至接點(diǎn)33，即如同在圖3中所繪者。

如同在圖2的圖示中所示，晶粒墊13并未被焊接或是電連接至印刷電路板20，而是通過(guò)封裝主體26來(lái)和印刷電路板20分開(kāi)的。有利的是，在本實(shí)施例中，被提供為一環(huán)狀的結(jié)構(gòu)的接地面結(jié)構(gòu)16有助于將電子裝置10固定到印刷電路板20，并且通過(guò)沿著晶粒墊13的側(cè)表面來(lái)延伸該接地面，以進(jìn)一步改善整合的天線11的效能。

根據(jù)本實(shí)施例，整合的天線11被配置為一貼片或是微帶天線，其中晶粒墊13提供該貼片天線部分，并且細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)21提供饋入或供應(yīng)該貼片天線部分的傳輸線。于是，晶粒墊13具有一長(zhǎng)度36以及寬度37，并且被圍繞(至少部分)在一具有一厚度38以及一所選的介電系數(shù)的介電材料(也即，封裝主體26)之內(nèi)。在本實(shí)施例中，用于封裝主體26的介電材料可被選擇以提供優(yōu)化用于一所選的設(shè)計(jì)的阻抗的一介電系數(shù)。在一較佳實(shí)施例中，晶粒墊13、接地面結(jié)構(gòu)16、以及細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)21包括一種高導(dǎo)電度的金屬，例如是銅、一種銅合金、或是類似的材料。

在一實(shí)施例中，整合的天線11具有一長(zhǎng)度36等于如同在被選擇用于封裝主體26的介電媒體之內(nèi)所決定的一波長(zhǎng)的一半。在一實(shí)施例中，整合的天線11的操作頻率是通過(guò)作為寬度37的一函數(shù)的長(zhǎng)度36來(lái)加以決定。更具體而言，寬度37是一決定整合天線11的輸入阻抗的因子。例如，通過(guò)增加寬度37，整合的天線11的阻抗可被降低。在其它實(shí)施例中，根據(jù)用于封裝主體26的介電材料或絕緣材料的介電系數(shù)的相互作用的效應(yīng)，一小于寬度37的長(zhǎng)度36是趨向增加整合的天線11的帶寬。例如，一方形晶粒墊13將會(huì)具有一大約300奧姆的輸入阻抗。

在一用于例如是標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)線手持式應(yīng)用、移動(dòng)電話收發(fā)器應(yīng)用、應(yīng)用、RF標(biāo)簽應(yīng)用、或是其它無(wú)線或是類無(wú)線的應(yīng)用的應(yīng)用的實(shí)施例中，引線架12可以具有一大約200微米(大約8密耳)的厚度。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)到在這些類型的應(yīng)用中，此厚度大約是一波長(zhǎng)的0.05，此是提供用于整合的天線11的可接受的操作。進(jìn)一步被觀察到的是，整合的天線11的本實(shí)施例具有一大約5-7dB的方向性，并且該些電場(chǎng)是適當(dāng)?shù)鼐€性極化而且是在該水平的方向上，其中晶粒墊13的寬度37是等于其長(zhǎng)度36而等于0.5λ。

根據(jù)本實(shí)施例，進(jìn)一步觀察到的是，整合的天線11的帶寬通常是小的，其中一大約3％的大小是典型的。例如，被配置以操作在100MHz的整合的天線11的一典型的設(shè)計(jì)將會(huì)諧振在大約96MHz之處。據(jù)信此損失是在整合的天線11的結(jié)構(gòu)周圍的邊緣電場(chǎng)的一結(jié)果，此是整合的天線11諧振的一原因。

整合的天線11的設(shè)計(jì)、以及在以下敘述的其它貼片天線設(shè)計(jì)的行為通常像是一開(kāi)路的傳輸線，因而就此而論，該電壓反射系數(shù)可被假設(shè)為大約-1。因此，和天線饋源相關(guān)的電壓將會(huì)是和該天線電路中的電流路徑反相的。因此，在晶粒墊13的最遠(yuǎn)程之處(也即，進(jìn)一步遠(yuǎn)離細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)21的端)，該電壓是處于一最大值。在晶粒墊13的相對(duì)端(大約λ/2)之處，該電壓是最小的。

圖4是描繪根據(jù)一第二實(shí)施例的一種具有一整合的天線41的經(jīng)封裝的電子裝置40或是電子裝置40的俯視圖。在本實(shí)施例中，整合的天線41是一微帶或是一貼片天線的另一實(shí)施例。電子裝置40類似于電子裝置10，并且整合的天線41類似于整合的天線11，因而只有在該些結(jié)構(gòu)中的差異才會(huì)在以下加以描述。在本實(shí)施例中，電子裝置40包含一具有一在厚度上被降低的邊緣部分430的晶粒焊盤43或是晶粒墊43。在一實(shí)施例中，邊緣部分430沿著晶粒墊43的每一個(gè)外圍的邊緣區(qū)段延伸。此外，電子裝置40包含細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)21'、細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的主體21'、或是導(dǎo)電的傳輸線21'，其是被設(shè)置成連接至晶粒墊43的外圍的邊緣區(qū)段中之一，并且從該外圍的邊緣區(qū)段大致垂直地朝向電子裝置40的一外部的邊緣22延伸。再者，在電子裝置40中，接地面結(jié)構(gòu)46是被配置為一聯(lián)結(jié)桿結(jié)構(gòu)的一部分，其最初在組裝期間是作用以利用部分49來(lái)支撐晶粒墊43，并且接著在部分49實(shí)際和晶粒墊43分開(kāi)之后，例如是在封裝主體26被形成之后被使用作為一接地面。此外，部分49的其余的部分可被利用作為導(dǎo)電的指狀物19(如同在圖1中所繪)，以作為天線結(jié)構(gòu)41的部分。

圖5是進(jìn)一步結(jié)合一印刷電路板50的電子裝置40沿著圖4的參考線5-5所取的橫截面圖。在本實(shí)施例中，印刷電路板50是包括一內(nèi)嵌在其之內(nèi)的絕緣的接地面結(jié)構(gòu)56，該接地面結(jié)構(gòu)56是透過(guò)接點(diǎn)51來(lái)電連接至接地面結(jié)構(gòu)46。如同在圖5中所繪的，晶粒墊43的下表面的一部分是透過(guò)封裝主體26的下表面而被露出，并且可以利用例如是如同該項(xiàng)技術(shù)中具有通常技能者已知的一絕緣的黏著劑或其它材料來(lái)附接至印刷電路板50。細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)21'是利用例如是如同該項(xiàng)技術(shù)中具有通常技能者已知的一導(dǎo)電的黏著劑或是其它材料來(lái)電連接至接點(diǎn)53。再者，引線14可以用一種類似的方式來(lái)電連接至接點(diǎn)52。在一替代實(shí)施例中，晶粒墊43可被接地到在印刷電路板50上被設(shè)置成鄰接其的另一接觸墊，以用于例如是需要一接地的貼片及/或用于改善的傳熱的應(yīng)用。

圖6是描繪根據(jù)另一實(shí)施例的一種具有一整合的天線61的經(jīng)封裝的電子裝置60或是電子裝置60的部分橫截面圖。電子裝置60類似于電子裝置10及40，因而只有差異才會(huì)在此加以描述。在本實(shí)施例中，電子裝置60包含一晶粒焊盤63或是一晶粒墊63；以及一細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)64、細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的主體64、或是導(dǎo)電的傳輸線64，其是被設(shè)置成連接至晶粒墊63的外圍的邊緣區(qū)段中之一。在一實(shí)施例中，細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)64是從晶粒墊63的該外圍的邊緣區(qū)段大致垂直地朝向電子裝置60的一外部的邊緣22延伸。根據(jù)本實(shí)施例，細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)64是用一種下移安置(down-set)的配置來(lái)加以設(shè)置，因而細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)64是透過(guò)封裝主體26的和接地面結(jié)構(gòu)66相同的表面而被露出。再者，晶粒墊63是透過(guò)封裝主體26的一相反的表面而被露出，以作為一種頂端露出的墊("TEP")配置的一個(gè)例子。在本實(shí)施例中，整合的天線61可被配置為一微帶或是一貼片天線，并且包含晶粒墊63、細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)64、以及接地面結(jié)構(gòu)66。

圖7是描繪根據(jù)另一實(shí)施例的一種具有一整合的天線71的經(jīng)封裝的電子裝置70或是電子裝置70的部分橫截面圖。電子裝置70類似于電子裝置60，因而只有差異才會(huì)在此加以描述。在本實(shí)施例中，電子裝置70包含一晶粒焊盤73或是一晶粒墊73；以及一細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)74、細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的主體74、或是導(dǎo)電的傳輸線74，其是被設(shè)置成連接至晶粒墊73的外圍的邊緣區(qū)段中之一。在一實(shí)施例中，細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)74是從晶粒墊73的該外圍的邊緣區(qū)段大致垂直地朝向電子裝置70的一外部的邊緣22延伸。根據(jù)本實(shí)施例，晶粒墊73以及細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)74是透過(guò)封裝主體26的相同的表面而被露出。再者，接地面結(jié)構(gòu)76是透過(guò)封裝主體26的一相反的表面而被露出。電子裝置70是一種頂端露出的墊配置的另一個(gè)例子。在本實(shí)施例中，整合的天線71可被配置一微帶或是一貼片天線，并且包含晶粒墊73、細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)74、以及接地面層76。

圖8是描繪根據(jù)另一實(shí)施例的一種具有一整合的天線81的經(jīng)封裝的電子裝置80或是電子裝置80的部分橫截面圖。電子裝置80類似于電子裝置60，因而只有差異才會(huì)在此加以描述。在本實(shí)施例中，電子裝置80包含一晶粒焊盤83或是一晶粒墊83；以及一聯(lián)結(jié)桿85，其附接至晶粒墊83。在一實(shí)施例中，聯(lián)結(jié)桿85是用一種下移安置的配置來(lái)加以設(shè)置，并且在封裝主體26的和引線14相同的表面中被露出。晶粒墊83是透過(guò)封裝主體26的一相反的表面而被露出。電子構(gòu)件23是在一與晶粒墊83的側(cè)邊相反的透過(guò)封裝主體26而被露出的側(cè)邊上附接至晶粒墊83。在本實(shí)施例中，聯(lián)結(jié)桿85并未從晶粒墊83加以切斷，因而在電子裝置80中進(jìn)一步被配置為一細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)84、細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的主體84、導(dǎo)電柱結(jié)構(gòu)84、或是導(dǎo)電的傳輸線84，其是被設(shè)置成連接至晶粒墊83的外圍的邊緣區(qū)段中之一，并且朝向電子裝置80的一外部的邊緣22延伸。根據(jù)本實(shí)施例，晶粒墊83以及細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)84是透過(guò)封裝主體26的相反的表面而被露出。在一實(shí)施例中，細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)從晶粒墊83的一角落延伸。電子裝置80是一種頂端露出的墊配置的另一例子。在本實(shí)施例中，整合的天線81可被配置成一微帶或是貼片天線，其中在一印刷電路板的組合中，例如是在圖5中描繪的印刷電路板50，一個(gè)別的接地面例如是被設(shè)置在電子裝置80的外部。根據(jù)本實(shí)施例，該露出的晶粒墊配置(其包含但不限于在圖5、6、7及8中描繪的配置)可以使得根據(jù)特定的應(yīng)用需求，將該晶粒墊接地至一印刷電路板變得容易。

四分之一波長(zhǎng)的貼片天線在配置及設(shè)計(jì)上類似于先前敘述的微帶或貼片天線11、41、61、71及81。圖9是描繪根據(jù)一實(shí)施例的一種具有一被配置為四分之一波長(zhǎng)的天線的整合的天線91的經(jīng)封裝的電子裝置90或是電子裝置90的俯視圖。電子裝置90類似于電子裝置10及40，因而只有差異將會(huì)在以下加以描述。根據(jù)本實(shí)施例，整合的天線91是被配置成使得晶粒墊13的遠(yuǎn)程130或是末端130(也即，被設(shè)置成與細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)21相反的端)是短路至接地面結(jié)構(gòu)16。在本實(shí)施例中，否則接地面結(jié)構(gòu)16是在其它所有地方通過(guò)封裝主體26來(lái)與晶粒墊13實(shí)際分開(kāi)的。在一實(shí)施例中，一從接地面結(jié)構(gòu)16朝向晶粒墊13延伸的導(dǎo)電的指狀物191以及一例如是短路導(dǎo)線92的導(dǎo)電的連接結(jié)構(gòu)92將晶粒墊13電連接至接地面結(jié)構(gòu)16。根據(jù)本實(shí)施例，因?yàn)榫Я|13(或是整合的天線91的貼片部分)是在遠(yuǎn)程130短路至接地面結(jié)構(gòu)16，因此在該整合的天線91的遠(yuǎn)程130的電流將不會(huì)被強(qiáng)制為零，而先前敘述的整合的微帶天線設(shè)計(jì)的情形則是為零。根據(jù)本實(shí)施例，整合的天線91包括晶粒墊13、接地面結(jié)構(gòu)16、細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)21、以及短路接腳92。

根據(jù)本實(shí)施例的配置產(chǎn)生一類似半波貼片天線的電流-電壓分布。然而，本實(shí)施例的一項(xiàng)功能差異是負(fù)責(zé)整合的天線91的輻射的邊緣電場(chǎng)是在晶粒墊13(也即，該貼片)的遠(yuǎn)程130(也即，與傳輸線21相反的端)短路的，并且因此只有最接近細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)21的電場(chǎng)會(huì)輻射或是為主動(dòng)的。此外，在電子裝置90中，該增益被降低；然而，出乎意料發(fā)現(xiàn)到的是，整合的天線91是維持和在半波貼片設(shè)計(jì)中呈現(xiàn)的相同的操作的基本性質(zhì)，同時(shí)縮減該天線的尺寸至少50％(λ/4，也即四分之一波)。在電子裝置90的替代的實(shí)施例中，晶粒墊13可以是具有一種底部露出的配置(例如，類似于電子裝置40)、可以是具有一種非露出的配置(例如，類似于電子裝置10)、且/或可以是具有一種頂端露出的配置(例如，類似于電子裝置60或70)。

圖10是描繪根據(jù)一實(shí)施例的一種具有一被配置為半波長(zhǎng)天線的整合的天線101的經(jīng)封裝的電子裝置100或是電子裝置100的俯視圖。該半波長(zhǎng)貼片天線是該四分之一波長(zhǎng)的貼片天線的一變化。電子裝置100是類似于電子裝置10、40及90，因而只有差異將會(huì)在以下加以描述。根據(jù)本實(shí)施例，整合的天線101是被配置成使得晶粒墊13的一相鄰的側(cè)邊131(也即，被設(shè)置成相鄰晶粒墊13的連接至細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)21的側(cè)邊的側(cè)邊；或是相鄰整合的天線結(jié)構(gòu)101的貼片部分的饋入或是饋源端)是短路至接地面結(jié)構(gòu)16。在本實(shí)施例中，否則接地面結(jié)構(gòu)16是在其它所有地方都通過(guò)封裝主體26來(lái)與晶粒墊13實(shí)際分開(kāi)的。

在一實(shí)施例中，一從接地面結(jié)構(gòu)16朝向晶粒墊13延伸的導(dǎo)電的指狀物192以及一例如是短路導(dǎo)線93的導(dǎo)電的連接結(jié)構(gòu)93是將晶粒墊13電連接至接地面結(jié)構(gòu)16。根據(jù)本實(shí)施例，接地導(dǎo)線93是被配置以將一平行的電感引入至整合的天線101的阻抗，該阻抗是該貼片天線設(shè)計(jì)以及該應(yīng)用的頻率的一結(jié)果。更具體而言，所產(chǎn)生的平行的電感是位移整合的天線101的諧振頻率。根據(jù)本實(shí)施例，通過(guò)一起改變短路導(dǎo)線93的位置以及整合的天線101的導(dǎo)納及電抗，該諧振頻率可以針對(duì)于一特定的應(yīng)用來(lái)加以修改及優(yōu)化(也即，調(diào)諧)。被配置為半波長(zhǎng)天線的整合的天線101可被利用在包含但不限于需要操作在大于或等于約1GHz的頻率的應(yīng)用的應(yīng)用中。根據(jù)本實(shí)施例，整合的天線101包括晶粒墊13、接地面結(jié)構(gòu)16、細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)21、以及短路接腳93。在電子裝置100的替代的實(shí)施例中，晶粒墊13可以是具有一種底部露出的配置(例如，類似于電子裝置40)、可以是非露出的(例如，類似于電子裝置10)、且/或可以是頂端露出的(例如，類似于電子裝置60或70)。

圖11是描繪根據(jù)一種平面倒F天線("PIFA")的配置的一第一實(shí)施例的一種具有一整合的天線111的經(jīng)封裝的電子裝置110或是電子裝置110的部分俯視圖。該P(yáng)IFA是平面天線的另一種類型，其可被利用在例如包含像是移動(dòng)電話的行動(dòng)無(wú)線手持式裝置、平板計(jì)算機(jī)、Wi-Fi卡、RF標(biāo)簽、以及其它的數(shù)個(gè)應(yīng)用中。PIFA是薄型的設(shè)計(jì)、全向的、可配置成為許多不同的形狀因素、以及諧振在一四分之一波長(zhǎng)(λ/4)之處。因此，根據(jù)本實(shí)施例，PIFA可以被做成小的，用不同的形狀因素來(lái)加以配置，并且被整合在根據(jù)本說(shuō)明的一種經(jīng)封裝的電子裝置之中或是之內(nèi)。

根據(jù)本實(shí)施例，電子裝置110是包含一例如是引線架112的導(dǎo)電的基板112，其具有一晶粒附接墊113、晶粒焊盤113、或是晶粒墊113；一細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的主體121、細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)121、導(dǎo)電的熔融的引線結(jié)構(gòu)121、或是細(xì)長(zhǎng)的接地回路部分121；以及多個(gè)引線114。在一實(shí)施例中，細(xì)長(zhǎng)的接地回路部分121是被配置為一u形構(gòu)件，其中該u形的一開(kāi)放的部分是被設(shè)置成背對(duì)晶粒墊113。所了解的是，電子裝置110可包含額外的引線114，其是包含被設(shè)置成接近晶粒墊113的其它外圍側(cè)表面的額外的引線。

在一實(shí)施例中，晶粒墊113是被配置成類似于在圖3中描繪的晶粒墊43。在一實(shí)施例中，晶粒墊113是包含在厚度上被降低的邊緣部分430，并且在一實(shí)施例中，其是環(huán)繞晶粒墊113的外圍側(cè)表面來(lái)延伸。該降低的厚度在圖11中，通過(guò)從右到左向下傾斜的密集的影線來(lái)加以描繪。根據(jù)本實(shí)施例，晶粒墊113是被配置為一用于整合的天線111的貼片部分或是貼片結(jié)構(gòu)。更具體而言，晶粒墊113是具有例如是針對(duì)于一四分之一波長(zhǎng)所選的寬度37以及高度36。

在本實(shí)施例中，細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的接地回路部分121具有一長(zhǎng)度大于或等于晶粒墊113的高度36，并且在電子裝置110的一側(cè)邊115上部分地封入引線114。細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的接地回路部分121包含一類似于晶粒墊113的邊緣部分430而部分地被蝕刻的部分1210。細(xì)長(zhǎng)的接地回路部分121包含在一端上的一第一接合部分1211、以及一被設(shè)置在一相對(duì)的端處的第二接合部分1212。第一接合部分1211以及第二接合部分1212可以具有一完整的厚度，以使得附接至一例如是印刷電路板的下一層級(jí)的組件變得容易。整合的天線111也包含一導(dǎo)電的連接結(jié)構(gòu)116、導(dǎo)電的接腳116、或是短路接腳116，其將細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的接地回路部分121電連接至晶粒墊113的一端。整合的天線111進(jìn)一步包含一導(dǎo)電的連接結(jié)構(gòu)117、導(dǎo)電的接腳117、饋源接腳117、或是探針饋入接腳117，其將晶粒墊113電連接至引線114中的一被標(biāo)明為一探針饋入引線1140或是饋源引線1140的引線。

根據(jù)本實(shí)施例，整合的天線111是通過(guò)在晶粒墊113的一端設(shè)置短路接腳116，以諧振在一四分之一波長(zhǎng)之處。在一實(shí)施例中，短路接腳116是被設(shè)置在晶粒墊113的一與晶粒墊113的相鄰第一接合部分1211的端相反的端之處。探針饋入接腳117的設(shè)置是介于細(xì)長(zhǎng)的接地回路部分121的一開(kāi)放端1213與通過(guò)短路接腳116短路的端之間。根據(jù)本實(shí)施例，整合的天線111的輸入阻抗是(至少部分)通過(guò)短路接腳116的設(shè)置來(lái)加以決定的。例如，探針饋入引線1140越靠近短路接腳116，則該輸入阻抗將會(huì)是越低的，并且輸入阻抗的變化將會(huì)在一稍后的實(shí)施例中加以描繪。通過(guò)進(jìn)一步舉例，若所要的是為了調(diào)諧目的而增加輸入阻抗，則此例如可以通過(guò)將探針引線1140設(shè)置成與短路接腳116更加隔開(kāi)來(lái)加以完成。

在一實(shí)施例中，引線114類似于引線14，并且可被配置以具有部分被蝕刻的部分140，以提供一用于封裝主體26的鎖定機(jī)構(gòu)。電子裝置110是進(jìn)一步被描繪為具有電子構(gòu)件23，該電子構(gòu)件23是進(jìn)一步被描繪為具有被設(shè)置在電子構(gòu)件23的一表面之上的焊墊24。電子裝置110也被描繪為具有封裝主體26，該封裝主體26如同先前敘述地可以具有預(yù)先選擇的材料特征。在一實(shí)施例中，晶粒墊113、引線114以及細(xì)長(zhǎng)的群組回路部分121的部分1211及1212的下表面是透過(guò)封裝主體的表面而被露出。根據(jù)本實(shí)施例，封裝主體26是囊封、完全地覆蓋、或是封入短路接腳116以及探針饋入接腳117，此可以強(qiáng)化電場(chǎng)效應(yīng)，并且有助于頻率調(diào)諧。盡管未被描繪，電性構(gòu)件23可以利用導(dǎo)電的連接結(jié)構(gòu)，例如是引線接合27或是該項(xiàng)技術(shù)中具有通常技能者已知的其它導(dǎo)電的結(jié)構(gòu)，來(lái)電連接至引線1140、其它引線、及/或晶粒墊113。

圖12是描繪根據(jù)一PIFA配置的另一實(shí)施例的一種具有一整合的天線126的經(jīng)封裝的電子裝置120或是電子裝置120的部分俯視圖。電子裝置120類似于電子裝置110，因而只有差異將會(huì)在以下加以描述。根據(jù)本實(shí)施例，電子裝置120包含一細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的主體122、細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)122、或是細(xì)長(zhǎng)的接地回路部分122，其只有部分地沿著晶粒墊113的一外圍側(cè)表面延伸。在一實(shí)施例中，相較于在圖11中描繪的細(xì)長(zhǎng)的接地回路部分121，細(xì)長(zhǎng)的接地回路部分122是被配置為一較小或是較緊密的群組回路。在一實(shí)施例中，細(xì)長(zhǎng)的接地回路部分122是被配置為一u形構(gòu)件，其中該開(kāi)放的部分是被設(shè)置成與晶粒墊113相反的。在某些實(shí)施例中，細(xì)長(zhǎng)的接地回路部分122只有至少部分地封入(例如，在一或多個(gè)側(cè)邊上部分地封入)或是部分地包含探針饋入引線1140，而其它引線114則并未被細(xì)長(zhǎng)的接地回路部分122所封入或是圍繞。在其它實(shí)施例中，細(xì)長(zhǎng)的接地回路部分122可以至少部分地封入一或多個(gè)引線114，而在電子裝置120內(nèi)的其它引線114可被設(shè)置在細(xì)長(zhǎng)的接地回路部分122的外部。根據(jù)本實(shí)施例，細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)122是被配置以具有兩個(gè)相對(duì)的端，該些端是終端在沿著封裝主體26的一邊緣被設(shè)置的導(dǎo)電的引線結(jié)構(gòu)1211及1212中。在本實(shí)施例中，整合的天線126包括晶粒墊113、細(xì)長(zhǎng)的接地回路部分122、短路接腳116、探針饋入接腳、以及探針饋入引線1140。根據(jù)本實(shí)施例，整合的天線126適合用于較小的主體封裝、以及用于其中輸入阻抗是(通過(guò)設(shè)計(jì)或操作)被預(yù)期是最小的應(yīng)用或設(shè)計(jì)。

在根據(jù)本發(fā)明的PIFA配置的替代的實(shí)施例中，可能所期望的是加載該P(yáng)IFA天線。當(dāng)該天線組件是非常小的，而且并不視需要地諧振時(shí)，此可能是有用的。根據(jù)一實(shí)施例，該P(yáng)IFA配置可以通過(guò)加入一例如是電容器的被動(dòng)裝置，以抵消或是對(duì)抗該天線結(jié)構(gòu)的電感而被加載。圖13是一種具有一整合的天線131的經(jīng)封裝的電子裝置130或是電子裝置130的部分俯視圖。電子裝置130類似于電子裝置110，因而只有差異將會(huì)在以下加以描述。在本實(shí)施例中，一被動(dòng)構(gòu)件133(例如，一電容器133或是一加載電容器133)是被設(shè)置成電連接至細(xì)長(zhǎng)的接地回路部分121以及晶粒墊113。根據(jù)一較佳實(shí)施例，電容器133是被設(shè)置成遠(yuǎn)離(也即，不相鄰)探針饋入接腳117。在一實(shí)施例中，如同大致在圖13中所描繪的，電容器133被設(shè)置成接近細(xì)長(zhǎng)的接地回路部分121的開(kāi)放端1213。

根據(jù)本實(shí)施例，電容器133被設(shè)置在電子裝置130內(nèi)的距離可以通過(guò)操作的頻率、該芯片電容器所用的尺寸、細(xì)長(zhǎng)的接地回路部分121的特征(例如，材料厚度及寬度)、以及該設(shè)計(jì)中所用的路徑來(lái)加以決定。再者，電容器133的值可以根據(jù)封裝主體26的尺寸以及晶粒墊113的尺寸來(lái)加以決定。用于封裝主體26的材料也影響到電容器133的值，特別是在小的主體裝置中。在一實(shí)施例中，電容器133的值可以是在一從2微微法拉到大約100微微法拉的范圍中。應(yīng)注意的是在某些實(shí)施例中，若該電容值過(guò)大，則其將會(huì)降低該整合的天線的有效的輻射并且影響其效率。根據(jù)一實(shí)施例，整合的天線131是包括晶粒墊113、細(xì)長(zhǎng)的接地回路部分121、短路接腳116、探針饋入接腳117、探針饋入引線1140、以及被動(dòng)構(gòu)件133。根據(jù)本實(shí)施例，細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)121是被配置以具有兩個(gè)相對(duì)的端，該些端是終端在沿著封裝主體26的一邊緣而被設(shè)置的導(dǎo)電的引線結(jié)構(gòu)1211及1212中。

圖14是描繪根據(jù)另一實(shí)施例的一種具有一整合的天線141的經(jīng)封裝的電子裝置140或是電子裝置140的部分俯視圖。電子裝置140類似于電子裝置120及130，因而只有差異將會(huì)在以下加以描述。根據(jù)本實(shí)施例，電子裝置140進(jìn)一步包含被動(dòng)構(gòu)件133(例如，電容器133或是加載電容器133)，其是被設(shè)置成將一引線1141電連接至晶粒墊113。在一實(shí)施例中，引線1141是被設(shè)置成接近晶粒墊113的一與晶粒墊113的其中探針饋入接腳117是被設(shè)置的端相對(duì)的端。根據(jù)本實(shí)施例，整合的天線141包括晶粒墊113、細(xì)長(zhǎng)的接地回路結(jié)構(gòu)122、短路接腳116、探針饋入接腳117、探針饋入引線1140、被動(dòng)構(gòu)件133、以及電連接至被動(dòng)構(gòu)件133的引線1141。根據(jù)本實(shí)施例，細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)122是被配置以具有兩個(gè)相對(duì)的端，該些端是終端在沿著封裝主體26的一邊緣而被設(shè)置的導(dǎo)電的引線結(jié)構(gòu)1211及1212中。

圖15是描繪一適合用于整合在一經(jīng)封裝的電子裝置內(nèi)的天線結(jié)構(gòu)151的部分橫截面圖，其是包含一基板153或是一積層基板153，例如是一個(gè)多層的積層基板153。在本實(shí)施例中，天線結(jié)構(gòu)151是被配置成一PIFA結(jié)構(gòu)，以用于整合在一經(jīng)封裝的電子裝置(例如，一或多個(gè)半導(dǎo)體構(gòu)件及/或一或多個(gè)被動(dòng)構(gòu)件以及一例如是模制的封裝主體的封裝主體)之內(nèi)。在一實(shí)施例中，積層基板153包括多個(gè)導(dǎo)電層，例如是通過(guò)絕緣材料156或是一或多個(gè)絕緣層156分開(kāi)的導(dǎo)電線路154。在一實(shí)施例中，導(dǎo)電線路154可以利用例如是導(dǎo)電的貫孔結(jié)構(gòu)157來(lái)加以電性互連的。例如是焊料結(jié)構(gòu)158的導(dǎo)電的結(jié)構(gòu)158是被設(shè)置在基板153的一側(cè)邊上，并且一導(dǎo)電的貼片層159是被設(shè)置在基板153的一相對(duì)的側(cè)邊上。

根據(jù)本實(shí)施例，焊料結(jié)構(gòu)158包含多個(gè)接地結(jié)構(gòu)1581，其是電連接至一被設(shè)置在基板153內(nèi)之內(nèi)嵌的接地面161。在一實(shí)施例中，接地結(jié)構(gòu)1581是利用延伸到基板153中至內(nèi)嵌的接地面161的接地接腳162或是導(dǎo)電的接地貫孔162來(lái)電連接至內(nèi)嵌的接地面161。在一實(shí)施例中，焊料結(jié)構(gòu)158進(jìn)一步包含信號(hào)結(jié)構(gòu)1582，其電連接至在基板153之內(nèi)的導(dǎo)電線路154。在一實(shí)施例中，信號(hào)結(jié)構(gòu)1582利用導(dǎo)電貫孔157來(lái)電連接至導(dǎo)電線路154。在一實(shí)施例中，貼片層159利用一導(dǎo)電的貫孔163或是導(dǎo)電的接腳163來(lái)電連接或是電性短路至內(nèi)嵌的接地面161。焊料結(jié)構(gòu)158進(jìn)一步包含一饋入結(jié)構(gòu)1583或是饋源結(jié)構(gòu)1583，其是利用一導(dǎo)電的貫孔164或是導(dǎo)電的接腳164來(lái)電連接至貼片層159。根據(jù)本實(shí)施例，導(dǎo)電的接腳164延伸穿過(guò)基板153，并且例如是通過(guò)在內(nèi)嵌的接地面161中的一開(kāi)口165或間隙165。

圖16是描繪天線結(jié)構(gòu)151的仰視圖，其是包含被設(shè)置在貼片層159(以一虛線加以描繪)之下或是重迭貼片層159的接地結(jié)構(gòu)1581、信號(hào)結(jié)構(gòu)1582、以及饋入結(jié)構(gòu)1583。在一實(shí)施例中，饋入結(jié)構(gòu)1583以及接地結(jié)構(gòu)1581可以相對(duì)該封裝主體尺寸的中心對(duì)稱地加以設(shè)置。在其它實(shí)施例中，饋入結(jié)構(gòu)1583以及接地結(jié)構(gòu)1581可以根據(jù)設(shè)計(jì)需求而被設(shè)置在基板153上及/或之內(nèi)的其它位置。此外，天線結(jié)構(gòu)151可以利用例如是一或多個(gè)被動(dòng)構(gòu)件來(lái)加以調(diào)諧，以達(dá)成所選的效率及效能。

圖17是描繪根據(jù)一倒F天線("IFA")的實(shí)施例的一種具有一整合的天線171的經(jīng)封裝的電子裝置170或是電子裝置170的俯視圖。根據(jù)本實(shí)施例，電子裝置170是包含一基板172或是導(dǎo)電的基板172，例如是一導(dǎo)電的引線架172或是引線架172。在一實(shí)施例中，引線架172是包含一界定四個(gè)外圍的邊緣區(qū)段的大致矩形的晶粒焊盤173或是晶粒墊173、以及多個(gè)第一引線174或是引線174。在一實(shí)施例中，引線174可以被分離成為四個(gè)(4)組，其中每一組的引線174是被設(shè)置成和晶粒墊173間隔開(kāi)，并且從晶粒墊173的外圍的邊緣區(qū)段中的對(duì)應(yīng)的一個(gè)大致垂直地延伸。所了解的是，引線架172可包含比在本實(shí)施例中所描繪者更多或是較少的引線，其例如是包含額外的列的引線。

根據(jù)本實(shí)施例，晶粒墊173是被配置以接收電子構(gòu)件23來(lái)作為電子封裝170的部分，并且被配置為一用于整合的天線171的接地面結(jié)構(gòu)。根據(jù)本實(shí)施例，整合的天線171進(jìn)一步包括一細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)176、細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的主體176、導(dǎo)電的臂176、導(dǎo)電的傳輸線176、或是平面矩形的導(dǎo)電的組件176。在一實(shí)施例中，導(dǎo)電的臂176可以利用一細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)177或是導(dǎo)電的短路臂177來(lái)附接至晶粒墊173。所了解的是，導(dǎo)電的臂176以及導(dǎo)電的短路臂177可以整體被稱為一細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)，其是具有兩個(gè)垂直于彼此被定向的部分。在一實(shí)施例中，導(dǎo)電的短路臂177是與晶粒墊173附接及整合，并且從晶粒墊173的該些外圍的邊緣區(qū)段中的一大致垂直地并且接近一角落向外延伸。更具體而言，晶粒墊173、導(dǎo)電的短路臂177、以及導(dǎo)電的臂176是構(gòu)成單一的主體。

在一實(shí)施例中，導(dǎo)電的臂176是從導(dǎo)電的短路臂177的一端部分大致垂直地延伸，并且進(jìn)一步大致平行于晶粒墊173的其中導(dǎo)電的臂176附接至晶粒墊173的相同的外圍的邊緣區(qū)段來(lái)延伸。在一實(shí)施例中，整合的天線171進(jìn)一步包含一導(dǎo)電的饋入178或是導(dǎo)電的饋源引線178，其是從導(dǎo)電的臂176大致垂直而且向外的朝向封裝主體26的一外部的邊緣延伸。一間隙179是被設(shè)置在導(dǎo)電的臂176與晶粒墊173的相鄰的外圍的邊緣區(qū)段之間。在一實(shí)施例中，間隙179被填入絕緣材料，例如是被用來(lái)形成封裝主體26的模制化合物。

注意到的是，在某些實(shí)施例中，較佳的是相對(duì)于導(dǎo)電的臂176的遠(yuǎn)程，導(dǎo)電的饋源引線178是被設(shè)置成較接近導(dǎo)電的短路臂177。更具體而言，根據(jù)本實(shí)施例，導(dǎo)電的饋源引線178的位置是被選擇以使得在導(dǎo)電的臂177的遠(yuǎn)程與導(dǎo)電的饋源引線178之間的電容、以及在導(dǎo)電的短路臂177以及導(dǎo)電的饋源引線178之間的電感實(shí)質(zhì)無(wú)效。在該電容及電感被抵消、或是其效應(yīng)被降低之下，只有輻射電阻是保留在整合的天線171中。

由于其小的尺寸(例如，λ/4)，具有該IFA配置的整合的天線171可被利用在例如是無(wú)線手持式裝置的數(shù)種應(yīng)用中。整合的天線171是包括被設(shè)置在晶粒墊173之上、或是和晶粒墊173間隔開(kāi)的導(dǎo)電的臂176，該晶粒墊173是被配置為該接地面；導(dǎo)電的短路臂177，其是將導(dǎo)電的臂176接地至晶粒墊173；以及一導(dǎo)電的饋入源178，其是電連接至導(dǎo)電的上方的臂176。在某些實(shí)施例中，導(dǎo)電的臂176是具有一長(zhǎng)度是對(duì)應(yīng)于一波長(zhǎng)的大約四分之一。該IFA配置是一單極配置的一種變化，其中該頂端區(qū)段已經(jīng)折向下(也即，導(dǎo)電的上方的臂176)，以便于與該接地面(也即，晶粒墊173)平行的。此是被完成以例如是降低整合的天線171的高度，同時(shí)維持一諧振的線路長(zhǎng)度。在某些實(shí)施例中，導(dǎo)電的上方的臂176可能會(huì)引入電容至整合的天線171的輸入阻抗，此可以通過(guò)導(dǎo)電的短路臂177來(lái)加以補(bǔ)償。導(dǎo)電的短路臂177可以根據(jù)應(yīng)用而用不同的配置來(lái)加以形成；該配置的一個(gè)此種變化將會(huì)結(jié)合圖18來(lái)加以描述。

在本實(shí)施例中，整合的天線171的極化是垂直的，并且該輻射圖案大致是圓環(huán)狀的，其中該圓環(huán)的軸是在一大致平行于導(dǎo)電的饋入178的方向上。在一實(shí)施例中，為了更佳的輻射，晶粒墊173是被配置以具有一寬度1730是至少和導(dǎo)電的臂176的長(zhǎng)度1760一樣寬的；并且晶粒墊173在高度1731上應(yīng)該是至少λ/4。若該晶粒墊173的高度1731是較小的，則帶寬及效率將會(huì)減低。導(dǎo)電的短路臂177的高度1770是被配置為整合的天線171的一波長(zhǎng)的一小的分?jǐn)?shù)。然而，整合的天線171的有效的輻射以及阻抗性質(zhì)被發(fā)現(xiàn)并不是高度1770的一強(qiáng)函數(shù)。

在電子裝置170的某些實(shí)施例中，晶粒墊173是被設(shè)置在導(dǎo)電的饋源引線178的平面(λ/4)之上。換言之，在某些實(shí)施例中，晶粒墊173以及導(dǎo)電的饋源引線178是被設(shè)置在不同、但是實(shí)質(zhì)平行的平面上。例如，電子裝置170可被配置成具有一種頂端露出的墊的經(jīng)封裝的裝置，類似于在圖6中所描繪的電子裝置60；或是被配置成具有一種偏移的非露出的晶粒墊配置，類似于在圖2中的電子裝置10，其中導(dǎo)電的饋源引線178是相關(guān)于晶粒墊173而被向上或是向下偏移的。例如，該密集的影線代表晶粒墊173，并且至少導(dǎo)電的饋源引線178是被設(shè)置在不同的水平的平面上。

在一實(shí)施例中，電子裝置170進(jìn)一步包含多個(gè)聯(lián)結(jié)桿1701，其是從晶粒墊173的角落部分大致對(duì)角地朝向封裝主體26的角落部分延伸。在一實(shí)施例中，聯(lián)結(jié)桿1702是從導(dǎo)電的短路臂177的一角落朝向封裝主體26的另一角落部分延伸。例如是引線接合27的導(dǎo)電的連接結(jié)構(gòu)27是將電子構(gòu)件23上的焊墊24電連接至引線174，并且在某些實(shí)施例中是電連接至晶粒墊173。根據(jù)本實(shí)施例，導(dǎo)電的饋源引線178是被設(shè)置在一對(duì)引線174之間，并且被配置以用于將整合的天線171電連接至一外部的饋入源。有利的是，類似于引線174，導(dǎo)電的饋源引線178是被配置在引線架172之內(nèi)，以終端在封裝主體26的一邊緣或側(cè)邊處。

圖18是描繪根據(jù)一IFA配置的天線的另一實(shí)施例的一種具有一整合的天線181的經(jīng)封裝的電子裝置180或是電子裝置180的俯視圖。電子裝置180是類似于電子裝置170，因而只有差異將會(huì)在以下加以描述。尤其，整合的天線181包括晶粒墊173；一細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)186、細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的主體186、導(dǎo)電的臂186、導(dǎo)電的傳輸線186、或是平面矩形的導(dǎo)電的組件186；以及一導(dǎo)電的饋入188或是導(dǎo)電的饋源引線188，其是從導(dǎo)電的臂186朝向封裝主體26的一外部的邊緣大致垂直且向外的延伸。并非是一短路臂，整合的天線181包含一或多個(gè)導(dǎo)電的連接結(jié)構(gòu)187，例如是引線接合187或夾187，其將導(dǎo)電的臂186電性短路至晶粒墊173。在一較佳實(shí)施例中，引線接合187是包括具有一直徑大于或等于約20微米(大于或等于約0.8密耳)的金線。

圖19是描繪根據(jù)一整合的槽孔天線的實(shí)施例的一種具有一整合的天線191的經(jīng)封裝的電子裝置190或是電子裝置190的俯視圖。根據(jù)本實(shí)施例，電子裝置190是包括一基板或是導(dǎo)電的基板192，例如是一導(dǎo)電的引線架192或是引線架192。在一實(shí)施例中，引線架192是包括一界定四個(gè)外圍的邊緣區(qū)段的大致矩形的晶粒焊盤193、晶粒墊193、或是第一晶粒墊193；以及多個(gè)引線194或是引線194。在一實(shí)施例中，引線194可以被分離成為兩個(gè)(2)組，其中每一組的引線194是被設(shè)置成和晶粒墊193間隔開(kāi)，并且從晶粒墊193的相對(duì)的外圍的邊緣區(qū)段中的對(duì)應(yīng)的一個(gè)大致垂直地延伸。所了解的是，引線架192可包含比在本實(shí)施例中所描繪者更多或是較少的引線。

根據(jù)本實(shí)施例，引線架192進(jìn)一步包括一細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)196、一細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的主體196、一導(dǎo)電板196、導(dǎo)電的墊196、或是導(dǎo)電的焊盤196，其是包含一延伸穿過(guò)導(dǎo)電的墊196的槽197、矩形開(kāi)口197、或是孔197。在一較佳實(shí)施例中，槽197是位在導(dǎo)電的墊196之內(nèi)的實(shí)質(zhì)中心處，使得槽197的端及側(cè)邊和導(dǎo)電的墊196的邊緣間隔開(kāi)的距離是實(shí)質(zhì)相等或是均勻的。在一實(shí)施例中，導(dǎo)電的墊196是具有一界定四個(gè)外圍的邊緣區(qū)段的大致矩形的形狀，其是包含一相鄰、但是和晶粒墊193間隔開(kāi)的外圍的邊緣區(qū)段，以在兩者之間提供間隙。在某些實(shí)施例中，引線架192進(jìn)一步包含一或多個(gè)聯(lián)結(jié)桿198，其是從例如晶粒墊193以及導(dǎo)電的墊196的部分朝向封裝主體26的側(cè)表面延伸。在一實(shí)施例中，一饋源或是饋入結(jié)構(gòu)199是將電子構(gòu)件23(其是附接至第一晶粒墊193)電連接至導(dǎo)電的墊196。根據(jù)本實(shí)施例，整合的天線191是包含具有一種槽孔天線配置的帶有槽197的導(dǎo)電的墊196以及饋源結(jié)構(gòu)199。槽197包含一長(zhǎng)度1970以及一高度1971。

槽孔天線是普遍使用在介于約300MHz到約20GHz之間的頻率。在本實(shí)施例中，例如是半導(dǎo)體芯片23的電子構(gòu)件23附接至晶粒墊193，該晶粒墊193是與被用來(lái)形成該槽孔天線的導(dǎo)電的墊196隔離開(kāi)。在一實(shí)施例中，饋入199是相對(duì)于槽197偏離中心地加以設(shè)置。為了使得槽孔天線191諧振，饋入導(dǎo)線199的如同在圖19中所繪的位置是變成一項(xiàng)主要的考慮。更具體而言，較佳的是饋入199并非位在槽197的任一端上或是在任一端之處、或是在槽197的任何側(cè)邊的中心。為了致能該天線組件的輻射，在某些實(shí)施例中，饋入199可被設(shè)置在槽197的中心與一端之間。根據(jù)本實(shí)施例，所選的位置是整合的天線191的阻抗相對(duì)于操作頻率的一函數(shù)。更具體而言，若該天線至饋入199的左邊的阻抗是>λ/4，則饋入199的性質(zhì)就如同其是為一電感器；并且至饋入199的右邊，饋入199是呈現(xiàn)一電容器的特性。當(dāng)饋入199的位置是根據(jù)可應(yīng)用的設(shè)計(jì)需求而被設(shè)計(jì)及施加時(shí)，該電感以及該電容應(yīng)該實(shí)質(zhì)上抵消。此只剩下輻射電阻來(lái)考慮到相關(guān)于用以使得整合的天線191諧振所需的功率。

通常，槽孔天線是被設(shè)計(jì)成使得該阻抗大約是50Ω。在某些實(shí)施例中，此是被視為用于該天線的有效率的輻射的最佳的阻抗，但實(shí)際上可能是用以達(dá)成每一個(gè)情形或應(yīng)用的一項(xiàng)挑戰(zhàn)。在該槽孔天線是利用一種例如是引線架QFM或QFP的基板類型的裝置來(lái)加以配置的情形中，該饋入(饋源)的定位也可能會(huì)影響該天線的帶寬效能。在大多數(shù)的設(shè)計(jì)中，對(duì)于該槽孔天線的中心頻率效能的預(yù)期大約是被設(shè)計(jì)的操作頻率的7％。例如，對(duì)于一個(gè)1GHz的操作中心頻率(一用于例如是及RF卷標(biāo)的許多無(wú)線裝置的常見(jiàn)的操作頻率)而言，該槽輻射被觀察到是大約1GHz±3.5％。

在某些實(shí)施例中，槽197是沒(méi)有材料的(也即，材料并不存在)。在其它實(shí)施例中，槽197可被填入空氣或是一種惰性氣體。考慮一種包覆模制的封裝層級(jí)的整合，槽197可被填入EMC。由于該EMC以及空氣的介電常數(shù)是實(shí)質(zhì)相同的，因此被觀察到的是整合的天線191仍然會(huì)諧振。若由于頻率需求、帶寬需要、及/或封裝層級(jí)的實(shí)施方式的限制，保持槽197沒(méi)有EMC是所期望的、或者是相關(guān)于該應(yīng)用，則此可以通過(guò)利用一種膜輔助的模制("FAM")的模制制程來(lái)加以達(dá)成。

在電子裝置190的一實(shí)施例中，封裝主體26可被設(shè)置為一種包覆模制的封裝配置。在一實(shí)施例中，用于封裝主體26所選的模制化合物可以具有一大于空氣的介電常數(shù)，并且在用于晶粒附接以及引線接合的組裝步驟中是在典型的變異內(nèi)，該兩者是影響?zhàn)伻?99的精確的設(shè)置，整合的天線191的帶寬效能被觀察到是在所要的中心操作頻率的10％之內(nèi)。例如：若所要的目標(biāo)頻率是1GHz，則該槽輻射或是帶寬可以是1GHz±5％。

根據(jù)本實(shí)施例，用于整合的天線191的槽可以是任意尺寸及形狀，只要槽197是由一連續(xù)的金屬平面或是接地處所圍繞即可。此外，該饋入(也即，饋入199)可被設(shè)置以有效地形成所要的電場(chǎng)，因此產(chǎn)生該槽的諧振。例如，圖20是描繪槽197的一替代實(shí)施例的俯視圖，其是被設(shè)計(jì)成具有一彎曲的形狀以增加該槽的內(nèi)部面積，同時(shí)維持適合于電子封裝190的可利用的面積的長(zhǎng)度1970及高度1971。槽197的形狀是被配置成使得該形狀的周長(zhǎng)等于一所選的波長(zhǎng)，但是該形狀并不必是對(duì)稱的、或是具有一特定的尺寸或特定的相對(duì)形狀。

圖21是描繪一種具有被配置為一槽孔天線的另一實(shí)施例的一整合的天線211的經(jīng)封裝的電子裝置210或是電子裝置210的俯視圖。在本實(shí)施例中，電子裝置210是被配置為一QFN或QFP封裝的裝置。電子裝置210包含一基板212、一導(dǎo)電的基板212，例如是一導(dǎo)電的引線架212或引線架212。在一實(shí)施例中，引線架212包含一大致四邊形的晶粒墊213、以及多個(gè)被設(shè)置成和晶粒墊213間隔開(kāi)的引線214。根據(jù)本實(shí)施例，引線架212進(jìn)一步包括被設(shè)置在引線214與該晶粒墊213之間的一細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)216或是一細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的主體216，其在一實(shí)施例中是完全地圍繞晶粒墊213。根據(jù)本實(shí)施例，細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)216是被配置成環(huán)狀的形狀并且包含一槽297，其也可以完全地圍繞晶粒墊213。在一實(shí)施例中，導(dǎo)電的饋入299將電子構(gòu)件23電連接至細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)216。在一實(shí)施例中，導(dǎo)電的饋入299是連接至細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)216的一內(nèi)部或是在內(nèi)的部分。

封裝主體26是囊封各種的構(gòu)件，因而例如是晶粒墊213以及細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)216的某些構(gòu)件可能是未透過(guò)封裝主體26的一或多個(gè)表面而被露出的。在其它實(shí)施例中，晶粒墊213及/或細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)216可以透過(guò)封裝主體26的一或多個(gè)表面而被露出。根據(jù)本實(shí)施例，槽297可被配置成不同的形狀及/或長(zhǎng)度，其中周長(zhǎng)長(zhǎng)度是加到用于所選的應(yīng)用的所要的波長(zhǎng)。圖22A-22F是分別描繪不同形狀的配置2971至2976的例子，其是適合用于細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)216的替代的槽。

圖23是描繪一種具有被配置為一槽孔天線的一替代實(shí)施例的一整合的天線231的經(jīng)封裝的電子裝置230或是電子裝置230的俯視圖。電子裝置230包括一基板232、一導(dǎo)電的基板232，例如是一導(dǎo)電的引線架232或是引線架232。在一實(shí)施例中，引線架232包含一大致矩形的晶粒墊233、以及多個(gè)被設(shè)置成和晶粒墊233間隔開(kāi)的引線234。根據(jù)本實(shí)施例，晶粒墊233是進(jìn)一步被配置具有一槽237，該槽237是根據(jù)本實(shí)施例而被設(shè)置在電子構(gòu)件23與一組的引線234以及封裝主體26的一側(cè)邊之間。槽237的長(zhǎng)度及高度如同先前敘述地加以決定，使得其周長(zhǎng)對(duì)應(yīng)于整合的天線231的所要的波長(zhǎng)。根據(jù)本實(shí)施例，整合的天線231進(jìn)一步包括一波導(dǎo)239，該波導(dǎo)239是將一在電子構(gòu)件23上的焊墊24電連接至該些引線234中之一。

根據(jù)本實(shí)施例，波導(dǎo)239是橫越、重迭、或是延伸橫跨槽237的一部分，并且某些實(shí)施例包括一引線接合，例如是一金、銀或銅的引線接合。再者，波導(dǎo)239是具有一被選擇以具有一相關(guān)于整合的天線231的所要的操作頻率的降低的電阻的直徑。被觀察到的是，若波導(dǎo)239的電阻過(guò)大，則來(lái)自封裝主體26的電容以及該導(dǎo)線電阻的組合可能會(huì)具有一感應(yīng)效應(yīng)，此是降低整合的天線231的輻射效率。然而，若該電阻過(guò)小，則整合的天線231的帶寬可能會(huì)受到限制，并且操作頻率可能會(huì)難以穩(wěn)定化。根據(jù)某些實(shí)施例，波導(dǎo)239的直徑可以是介于約20微米到約26微米(大約0.8密耳到約1密耳)之間。根據(jù)本實(shí)施例，如同在先前的槽孔天線實(shí)施例中所敘述的，波導(dǎo)239的位置較佳的是被設(shè)置成偏離槽237的中心。在一實(shí)施例中，波導(dǎo)239是被設(shè)置在槽237的中心與一端之間。

根據(jù)本實(shí)施例，波導(dǎo)239的引線接合回路的高度可以通過(guò)設(shè)計(jì)模擬來(lái)加以決定。在一實(shí)施例中，在該導(dǎo)線回路的頂點(diǎn)產(chǎn)生λ/4的一目標(biāo)的最大引線接合回路高度是被觀察到，以提供更佳的輻射并且致能槽237諧振。在某些實(shí)施例中，引線架232的厚度是被選擇以支持更佳的諧振特性，并且進(jìn)一步結(jié)合槽237的尺寸以及波導(dǎo)239的頂點(diǎn)高度來(lái)加以決定。被選擇用于封裝主體26的材料可能對(duì)于整合的天線231的整體效能有所影響，例如是若槽237在該模制制程期間被填入模制化合物時(shí)。在其中該模制化合物的電容效應(yīng)并不利地影響整合的天線231的諧振特性的某些實(shí)施例中，F(xiàn)AM模制技術(shù)可被利用以保持槽237沒(méi)有模制化合物。然而，根據(jù)一利用波導(dǎo)239的實(shí)施例，如同在圖24中所繪的，利用該FAM方法將會(huì)開(kāi)放槽237，此只有部分地讓波導(dǎo)239被囊封在封裝主體26之內(nèi)。如同在圖24中所繪的，封裝主體26包含一橋接部分261，其是橫越槽237并且囊封波導(dǎo)239。所了解的是，如同大致通過(guò)在圖23中的密集的影線來(lái)加以表示的，晶粒墊233的一部分可以在厚度上被降低。

圖25是描繪在一Vivaldi天線配置的一第一實(shí)施例中的一種具有一整合的天線251的經(jīng)封裝的電子裝置250或是電子裝置250的俯視圖。電子裝置250是包含一基板252、一導(dǎo)電的基板252，例如是導(dǎo)電的引線架252或是引線架252。在一實(shí)施例中，引線架252是包含一大致四邊形晶粒墊253、以及多個(gè)被設(shè)置成和晶粒墊253間隔開(kāi)的引線254。在一實(shí)施例中，晶粒墊253是進(jìn)一步被配置成具有一或多個(gè)聯(lián)結(jié)桿198，如同大致在圖25中描繪的，可以從該晶粒墊253的角落部分朝向封裝主體26的角落部分延伸。

根據(jù)本實(shí)施例，整合的天線251是被配置為一Vivaldi天線，其是一種在其操作上具有一寬帶的平面天線類型。一般而言，整合的天線251是被配置成具有一天線饋入259，其是電連接至電子構(gòu)件23以及晶粒墊253。根據(jù)本實(shí)施例，晶粒墊253是進(jìn)一步被配置成具有一槽257，該槽257是被設(shè)置成從晶粒墊253的外圍的邊緣區(qū)段向內(nèi)延伸。在一實(shí)施例中，如同大致在圖25中描繪的，槽257是位在沿著一外圍的邊緣區(qū)段的實(shí)質(zhì)中心處。槽257是被配置以提供整合的天線251一低的諧振成分以及一寬的高頻諧振成分。根據(jù)本實(shí)施例，槽257是被配置成具有一致能整合的天線251諧振的彎曲的形狀、以及一接近晶粒墊253的邊緣的槽寬度2571。根據(jù)本實(shí)施例，整合的天線251的諧振頻率是通過(guò)一導(dǎo)電的饋入259的設(shè)置來(lái)加以控制。例如，饋入259被設(shè)置成越接近槽257的外部的邊緣，則該諧振頻率越高。在某些實(shí)施例中，在槽257之內(nèi)的區(qū)域可被填入模制化合物而作為封裝主體26的部分。在其它實(shí)施例中，在槽257之內(nèi)的區(qū)域在一降低的電容配置中可以是空孔、或是沒(méi)有模制化合物(通過(guò)虛線形的空孔或凹處255來(lái)加以表示)。在實(shí)施例中，F(xiàn)AM制程技術(shù)可被利用以提供空孔255。整合的天線251進(jìn)一步包含一接地接腳258或是接地導(dǎo)線258，其是被配置以將晶粒墊253電連接至接地。

圖26是描繪根據(jù)一Vivaldi天線的另一實(shí)施例的一種具有一整合的天線261的經(jīng)封裝的電子裝置260或是電子裝置260的俯視圖。電子裝置260類似于電子裝置250，因而只有差異將會(huì)在以下加以描述。根據(jù)本實(shí)施例，整合的天線261進(jìn)一步包括一第二導(dǎo)電的饋入2590，其是將晶粒墊253電連接至引線254中之一。在某些實(shí)施例中，第二饋入2590可以從一例如是印刷電路板的下一層級(jí)的組件而被饋源或是饋入。

圖27是描繪在一折迭式偶極天線的一第一實(shí)施例中的一種具有一整合的天線271的經(jīng)封裝的電子裝置270或是電子裝置270的部分俯視圖。根據(jù)本實(shí)施例，在以下敘述的折迭式偶極天線是被配置成使得該天線結(jié)構(gòu)的端以一種將該饋源或是饋入相鄰接地的方式折回，藉此形成一回路。包含該天線設(shè)計(jì)的閉回路結(jié)構(gòu)的回路是類似于平行短路的傳輸線來(lái)加以配置，每一個(gè)傳輸線是具有該總天線長(zhǎng)度的一半長(zhǎng)度，其中每一個(gè)傳輸線是通過(guò)被置放在該天線回路的大約中點(diǎn)處的饋入來(lái)加以分開(kāi)的。根據(jù)該某些實(shí)施例，該折迭式偶極天線的長(zhǎng)度遠(yuǎn)大于其寬度。考慮到該折迭的設(shè)計(jì)，在該天線中的電流彼此加強(qiáng)，而不是彼此抵消。

該折迭式偶極天線是諧振的，并且在一半波長(zhǎng)的奇數(shù)的整數(shù)倍數(shù)(例如，-0.5λ、1.5λ、2.5λ、等等)下更佳的輻射。此是依據(jù)該饋入的位置而定，并且例如是當(dāng)該饋入被設(shè)置在該回路的中心的情形。再者，該折迭式偶極天線可被調(diào)諧以諧振在一半波長(zhǎng)的偶數(shù)倍數(shù)(例如，-1.0λ、2.0λ、3.0λ、等等)下。此例如可以通過(guò)將該饋入(饋源)定位成從該回路的中心點(diǎn)偏移的(例如，較接近該回路的折迭的端中之一)來(lái)加以達(dá)成。以此種方式，該折迭式偶極可以擴(kuò)大到在一較寬的帶寬下輻射，以強(qiáng)化該天線設(shè)計(jì)的用處、改善效率、以及增進(jìn)效用。

電子裝置270包括一導(dǎo)電的基板272，例如是一導(dǎo)電的引線架272或是引線架272。在一實(shí)施例中，引線架272包含一晶粒墊273、以及多個(gè)沿著晶粒墊273的外圍邊緣被設(shè)置的引線274(只有一組引線274被描繪)。根據(jù)本實(shí)施例，引線架272進(jìn)一步包含一分開(kāi)的回路結(jié)構(gòu)276、一兩件式的細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的主體276或是細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)276，其是具有通過(guò)一間隙或空孔2762分開(kāi)的一接地部分2760以及一饋入部分2761。根據(jù)一實(shí)施例，分開(kāi)的回路結(jié)構(gòu)276的其余的部分2763(用虛線輪廓展示的)可被設(shè)置在一例如是印刷電路板2764的下一層級(jí)的組件上。整合的天線271進(jìn)一步包括饋入或饋源279，其是在一實(shí)施例中將饋入部分2761電連接至電子構(gòu)件23；以及接地接腳278或接地導(dǎo)線278，其是將電子構(gòu)件23電連接至接地部分2760。在一替代實(shí)施例中，饋入部分2761可以透過(guò)印刷電路板2764來(lái)電連接至另一饋源。根據(jù)本實(shí)施例，細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)2760及2761是被配置以具有兩個(gè)相對(duì)的端，其是終端在沿著封裝主體26的一邊緣而被設(shè)置的導(dǎo)電的引線結(jié)構(gòu)中。

圖28是描繪根據(jù)一折迭式偶極天線的一第二實(shí)施例的一種具有一整合的天線281的經(jīng)封裝的電子裝置280或是電子裝置280的部分俯視圖。電子裝置280類似于電子裝置270，因而只有差異將會(huì)在以下加以描述。在本實(shí)施例中，整合的天線281是包括一分開(kāi)的回路結(jié)構(gòu)286或是細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)286，其是被配置為一囊封在封裝主體26之內(nèi)的完全整合的雙極天線281。在一實(shí)施例中，分開(kāi)的回路結(jié)構(gòu)286是包含一饋入2741或是一饋源引線2741，其可以透過(guò)選配的引線接合279以從電子構(gòu)件23而被饋入、或是從電子構(gòu)件280的外部而被饋入；以及一接地饋入2742，其可以透過(guò)選配的引線接合278而被饋入、或是從電子裝置280的外部而被接地。根據(jù)本實(shí)施例，電子裝置280的引線274中的兩個(gè)(也即，引線2741及2742)是分別作用為用于整合的天線281的饋入及接地。根據(jù)本實(shí)施例，細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)286是被配置以具有兩個(gè)相對(duì)的端，其是終端在沿著封裝主體26的一邊緣而被設(shè)置的導(dǎo)電的引線結(jié)構(gòu)2741及2742中。

圖29是描繪根據(jù)一折迭式偶極天線的另一實(shí)施例的一種具有一整合的天線291的經(jīng)封裝的電子裝置290或是電子裝置290的部分俯視圖。電子裝置290類似于電子裝置270，因而只有差異將會(huì)在以下加以論述。在本實(shí)施例中，整合的天線291是包括一細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)296，其是形成用于該折迭式偶極天線的回路的一部分。更具體而言，整合的天線291是為了調(diào)諧目的而偏移饋入2741或饋源引線2741、以及接地引線2742。在一實(shí)施例中，該分開(kāi)的回路配置可以是利用在一印刷電路板2964內(nèi)的部分2963及2965，以便于例如是延伸效能以及改善整合的天線291的輻射及諧振的特性。根據(jù)本實(shí)施例，細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)296是被配置以具有兩個(gè)相對(duì)的端，其是終端在沿著封裝主體26的一邊緣而被設(shè)置的導(dǎo)電的引線結(jié)構(gòu)2742及2744中。

圖30是描繪根據(jù)另一實(shí)施例的一種具有一整合的天線301的經(jīng)封裝的電子裝置300或是電子裝置300的俯視圖。在本實(shí)施例中，整合的天線301是被配置為一螺旋的天線實(shí)施例。電子裝置300包含基板302、一導(dǎo)電的基板302，例如是一導(dǎo)電的引線架302或是引線架302。在一實(shí)施例中，引線架302是包含一第一晶粒焊盤3031或第一晶粒墊3031；一第二晶粒焊盤3032或第二晶粒墊3032；以及多個(gè)引線304，其是被設(shè)置成和至少第一晶粒墊3031間隔開(kāi)。所理解到的是，電子裝置300可以具有較所描繪者更多或是較少的引線304。在本實(shí)施例中，電子構(gòu)件23附接至第一晶粒墊3031，并且例如是引線接合27的導(dǎo)電的連接結(jié)構(gòu)27可被利用以將電子構(gòu)件23上的焊墊24電連接至引線23。在電子裝置300的一實(shí)施例中，電子構(gòu)件23是被配置為一控制器晶粒，其例如可包含邏輯、模擬、以及電源功能。根據(jù)本實(shí)施例，電子裝置300進(jìn)一步包括一附接至第二晶粒墊3032的螺旋的天線裝置323，該第二晶粒墊3032是和第一晶粒墊3031間隔開(kāi)，以隔離螺旋的天線裝置323與電子構(gòu)件23。根據(jù)一實(shí)施例，螺旋的天線裝置323可以被制造為一個(gè)別的構(gòu)件，例如是整合的被動(dòng)裝置("IPD")。

在某些實(shí)施例中，螺旋的天線裝置323是為了改善的操作效能而被配置成具有一金屬化的背表面，以強(qiáng)化螺旋的天線裝置323的底板接地。此外，根據(jù)本實(shí)施例的分開(kāi)的晶粒墊3031及3032是具有一項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)在于螺旋的天線裝置323可以在不影響到電子構(gòu)件23的尺寸及其效能，而且在不需要使用電子構(gòu)件23的昂貴的屏蔽技術(shù)之下，根據(jù)應(yīng)用而用多種尺寸及形狀來(lái)加以配置。根據(jù)本實(shí)施例，電子構(gòu)件23是被設(shè)置成有一平衡-不平衡轉(zhuǎn)換器(balun)裝置2301，其是利用一饋入309或是饋源導(dǎo)線309來(lái)電連接至螺旋的天線裝置的一端。螺旋的天線裝置323的一相對(duì)的端是利用接地接腳308或是接地導(dǎo)線308來(lái)電連接至第二晶粒墊3032。類似于在此所述的其它裝置，引線架302可包含一或多個(gè)聯(lián)結(jié)桿198。所了解的是，螺旋的天線裝置323可以具有其它形狀，其是包含一八邊形螺旋的形狀、一六角形螺旋的形狀、一方形螺旋的形狀、一圓形的形狀、以及該項(xiàng)技術(shù)中具有通常技能者已知的其它形狀。

在一實(shí)施例中，螺旋的天線裝置323可以利用半導(dǎo)體沉積(例如，電鍍)以及圖案化技術(shù)(例如，微影及蝕刻技術(shù))來(lái)加以形成。整合的天線301是適合用于其中需要一寬帶天線或是一操作在一寬帶的頻譜之內(nèi)的天線的應(yīng)用。在某些實(shí)施例中，整合的天線301是適合用于具有介于約1GHz到約18GHz之間的操作頻率的應(yīng)用。此種應(yīng)用的例子是包含但不限于GPS、Zigbee、Z-Wave、RF標(biāo)簽、物聯(lián)網(wǎng)、或是具有該項(xiàng)技術(shù)的普通技能者已知的類似的應(yīng)用。

圖31是根據(jù)另一實(shí)施例的一種具有一整合的天線311的經(jīng)封裝的電子裝置310或是電子裝置310的俯視圖。在本實(shí)施例中，整合的天線311是被配置為另一螺旋的天線實(shí)施例。電子裝置310類似于電子裝置300，因而只有差異才會(huì)在此加以描述。在電子裝置310中，引線架312具有一不同的晶粒墊3033，其是被制作尺寸以容納一離散的平衡-不平衡轉(zhuǎn)換器裝置2032以及螺旋的天線裝置323。在本實(shí)施例中，饋源導(dǎo)線309是將電子構(gòu)件23電連接至平衡-不平衡轉(zhuǎn)換器裝置2032，并且一例如是引線接合315的導(dǎo)電的結(jié)構(gòu)315是將平衡-不平衡轉(zhuǎn)換器裝置2031電連接至螺旋的天線裝置323的一端。

在一替代實(shí)施例中，一平衡-不平衡轉(zhuǎn)換器裝置可被整合在螺旋的天線裝置323之內(nèi)，此是降低在電子裝置310中的晶粒數(shù)目，并且降低該系統(tǒng)設(shè)計(jì)的復(fù)雜度以及整體系統(tǒng)的成本。也可能從此配置導(dǎo)出有操作效能的益處。作為一獨(dú)立的平衡-不平衡轉(zhuǎn)換器或是被整合到該螺旋的天線晶粒中，并且位在一隔離晶粒墊上，其可以通過(guò)降低信號(hào)損失、噪聲注入、以及天線阻抗而具有額外的益處。此方法可以對(duì)于某些應(yīng)用提供改善的效能、降低的功率消耗、較容易的調(diào)諧、以及改善的整體系統(tǒng)成本。

圖32是描繪根據(jù)另一實(shí)施例的一種具有一整合的天線321的經(jīng)封裝的電子裝置320或是電子裝置320的俯視圖。根據(jù)本實(shí)施例，整合的天線321是一螺旋的天線的另一實(shí)施例。電子裝置320是包括一基板322、一導(dǎo)電的基板322、導(dǎo)電的引線架322、或是引線架322。在一實(shí)施例中，引線架322是包含一晶粒焊盤323或是晶粒墊323、多個(gè)被設(shè)置成和晶粒墊323的至少某些外圍側(cè)表面間隔開(kāi)的引線324、以及一或多個(gè)聯(lián)結(jié)桿328。所了解的是，電子裝置320可以具有較所描繪者更多或是較少的引線。在本實(shí)施例中，整合的天線321是包括具有一螺旋的形狀的一細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)、或是細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的主體，并且和晶粒墊323間隔開(kāi)地被設(shè)置于電子封裝320。在一實(shí)施例中，整合的天線321是利用蝕刻及/或沖壓技術(shù)，用所要的形狀而被形成在引線架322之內(nèi)。在一實(shí)施例中，電子裝置320是包括一頂端露出的墊結(jié)構(gòu)，其中如同大致在圖33中描繪的，晶粒墊323的一表面是透過(guò)封裝主體26的一主要的表面而被露出，圖33是電子封裝320的俯視圖。在一實(shí)施例中，類似于晶粒墊323，整合的天線321是進(jìn)一步透過(guò)封裝主體26的相同的主要的表面而被露出。在其它實(shí)施例中，晶粒墊323可以通過(guò)封裝主體26而被囊封(也即，并未在封裝主體26的一主要的表面中被露出)、或是在封裝主體26的一與從其中整合的天線321被露出的主要的表面相反的主要的表面中被露出。在其它實(shí)施例中，整合的天線321的主要的表面可以通過(guò)封裝主體26而完全地被囊封(也即，并未在封裝主體26的一主要的表面中被露出)。

在本實(shí)施例中，電子構(gòu)件23(以虛線的輪廓展示)是附接至晶粒墊323的表面，并且通過(guò)封裝主體26而被囊封(也即，并未被露出于其中)。電子構(gòu)件23可以如同在先前的實(shí)施例中地利用導(dǎo)電的結(jié)構(gòu)27來(lái)電連接至引線324、及/或電連接至整合的天線321。在替代的實(shí)施例中，至整合的天線321的電連接可以透過(guò)一例如是印刷電路板的下一層級(jí)的組件來(lái)加以完成。在一實(shí)施例中，在該模制步驟以形成封裝主體26之后，一移除步驟(例如，一研磨步驟及/或一蝕刻步驟)可被利用以移除該模制化合物的部分，以露出晶粒墊323的一表面以及整合的天線321的一或多個(gè)表面。如同在先前的實(shí)施例中，被用來(lái)形成引線架322的材料、引線架322的尺寸、以及封裝主體26的材料性質(zhì)是根據(jù)特定的天線需求來(lái)加以選擇。

圖34是根據(jù)另一實(shí)施例的一種具有整合的天線341的經(jīng)封裝的電子裝置340或是電子裝置340的俯視圖。根據(jù)本實(shí)施例，整合的天線341是包含被設(shè)置在封裝主體26的一外表面上的一第一細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)3411或是第一細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的主體3411。如同將會(huì)在圖35中進(jìn)一步加以解說(shuō)的，電子裝置340是包含多個(gè)引線344以及電子裝置23，該兩者在基于俯視圖的圖34中是以虛線描繪的。在一實(shí)施例中，第一細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的主體3411可以通過(guò)沉積一覆蓋封裝主體26的一主要的表面的導(dǎo)電層來(lái)加以形成。在另一實(shí)施例中，第一細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的主體3411可以是被附接或設(shè)置在封裝主體26的外部表面上的一金屬箔、一金屬膜、或是金屬結(jié)構(gòu)。在一實(shí)施例中，該導(dǎo)電層可以是一種例如是銅的金屬、一種銅合金、金、多個(gè)層的金屬、或是該項(xiàng)技術(shù)中具有通常技能者已知的其它天線材料。之后，屏蔽及蝕刻技術(shù)可被利用以圖案化第一細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的主體3411成為一所要的圖案，以提供第一細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的主體3411。在一實(shí)施例中，第一細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的主體3411可被設(shè)置成具有一貼片天線的形狀、具有一螺旋的天線的形狀、如同在此所述的其它天線形狀、或是該項(xiàng)技術(shù)中具有通常技能者已知的其它類似的形狀。在其它實(shí)施例中，一屏蔽層是加以沉積，并且第一細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的主體3411是被形成在封裝主體26的未被該屏蔽層覆蓋的部分上。該屏蔽層接著可被移除、或是在一替代實(shí)施例中被保留在適當(dāng)?shù)牡胤讲⑶沂褂米鳛橐唤^緣層。

圖35是電子裝置340沿著在圖34中的參考線35-35所取的橫截面圖。電子裝置340進(jìn)一步包括一基板342或是一導(dǎo)電的基板342，例如是導(dǎo)電的引線架342或是引線架342。在一實(shí)施例中，引線架342包含一晶粒焊盤343或是晶粒墊343；多個(gè)被設(shè)置成和晶粒墊343間隔開(kāi)的引線344；以及一第二細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)3412、第二細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的主體3412、或是導(dǎo)電的天線柱結(jié)構(gòu)3412。在一實(shí)施例中，導(dǎo)電的天線柱結(jié)構(gòu)3412包括一引線部分3444，其是在和引線344相同的平面上；一接點(diǎn)部分3414，其是用于電連接至第一細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的主體3411；以及一連接部分3416，其是延伸在引線部分3444與接點(diǎn)部分3414之間。在一實(shí)施例中，導(dǎo)電的天線柱結(jié)構(gòu)3412是在封裝主體26的至少兩個(gè)表面(其包含其中第一細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的主體3411被設(shè)置的主要的表面2600)中被露出。

在一實(shí)施例中，導(dǎo)電的天線柱結(jié)構(gòu)3412可被配置為一用于整合的天線341的傳輸線，并且可被利用以將整合的天線341電連接至一例如是印刷電路板的下一層級(jí)的組件、或是將整合的天線341電連接至電子構(gòu)件23。在一實(shí)施例中，電子構(gòu)件23是利用例如是引線接合27的導(dǎo)電的連接結(jié)構(gòu)27來(lái)附接至晶粒墊323并且電連接至引線344。在一實(shí)施例中，引線部分3444、晶粒墊323、以及引線344的下表面是在封裝主體26的一下表面中被露出。根據(jù)本實(shí)施例，整合的天線341是包括第一細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的主體3411以及導(dǎo)電的天線柱結(jié)構(gòu)3412。在某些實(shí)施例中，一保護(hù)層可被設(shè)置成覆蓋第一細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的主體3411。

圖36是根據(jù)另一實(shí)施例的一種具有一整合的天線361的經(jīng)封裝的電子裝置360或是電子裝置360的橫截面圖。電子裝置360類似于電子裝置340，因而只有差異將會(huì)在此加以敘述。根據(jù)本實(shí)施例，電子裝置360是被設(shè)置成具有一種頂端露出的墊配置，其中晶粒墊363是被設(shè)置成相鄰封裝主體26的主要的表面2600，并且多個(gè)引線344是被設(shè)置在封裝主體26的相反的主要的表面上。

圖37是在一替代實(shí)施例中的封裝主體26的部分橫截面圖，以描繪其中第一細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的主體3411被嵌入在封裝主體26之內(nèi)的一實(shí)施例。在一實(shí)施例中，第一細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的主體3411的外部的露出的表面是實(shí)質(zhì)平面的、或是與封裝主體26的主要的表面2600實(shí)質(zhì)齊平的。在一實(shí)施例中，在封裝主體26被形成之后，用于整合的天線341的所要的圖案可被蝕刻到封裝主體26中，并且該蝕刻的圖案之后被填入一種導(dǎo)電材料，以形成第一細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的主體3411。在一實(shí)施例中，平坦化技術(shù)可被利用以移除該導(dǎo)電材料的部分，以提供在封裝主體26與第一細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的主體部分3411之間的一種共平面的配置。第一細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的主體3411可以直接連接至在封裝主體26之內(nèi)的導(dǎo)電柱3412、或是通過(guò)露出在封裝主體26的主要的表面2600中的接點(diǎn)部分3414，并且利用一導(dǎo)電的連接橋3417來(lái)電連接該兩個(gè)結(jié)構(gòu)。

圖38是根據(jù)另一實(shí)施例的一種具有一整合的天線381的經(jīng)封裝的電子裝置380或是電子裝置380的部分切去的頂端立體圖。在本實(shí)施例中，整合的天線381是被配置成一螺旋的天線形狀，并且是一內(nèi)嵌在例如是封裝主體26的模制的封裝主體中的整合的天線的一范例實(shí)施例。在一實(shí)施例中，電子裝置380包括一基板，例如是導(dǎo)電的基板382、導(dǎo)電的引線架382、或是引線架382。在一實(shí)施例中，引線架382包含一晶粒焊盤383或是一晶粒墊383；多個(gè)被設(shè)置成和晶粒墊383間隔開(kāi)的引線384；以及一或多個(gè)導(dǎo)電柱結(jié)構(gòu)386，其是從封裝主體26的一主要的表面延伸至一相反的主要的表面，并且可以是與晶粒墊383一體的。根據(jù)本實(shí)施例，導(dǎo)電柱結(jié)構(gòu)386是被配置以支持晶粒墊383(例如，在組裝期間)，并且提供和整合的天線381的電性通訊。在一實(shí)施例中，電子裝置380進(jìn)一步包括附接至晶粒墊383的一面對(duì)引線384的相對(duì)的表面的電子構(gòu)件23。如先前所述的，電子構(gòu)件23可以利用例如是引線接合27的導(dǎo)電的連接結(jié)構(gòu)27來(lái)電連接至引線384。

在一實(shí)施例中，一絕緣層(未顯示)可被設(shè)置在晶粒墊383的一主要的表面上，并且天線部分3811或是螺旋的天線部分3811可以利用例如是沉積、屏蔽、以及蝕刻技術(shù)而被形成在該絕緣層上。在封裝主體26被形成之后，封裝主體26的部分可被移除以形成主要的表面2600，并且在主要的表面2600中露出天線部分3811的一部分。例如，研磨、拋光、及/或蝕刻技術(shù)可被利用以移除封裝主體26的部分。根據(jù)本實(shí)施例，整合的天線381可包含天線部分3811、一或多個(gè)導(dǎo)電柱結(jié)構(gòu)386、以及晶粒墊383。

在替代的實(shí)施例中，一第二晶粒墊可被利用以在封裝主體26的和引線384相同的主要的表面上支撐電子構(gòu)件23。在一實(shí)施例中，天線部分3811是在封裝主體26的主要的表面2600中被露出，并且該第二晶粒墊可以在封裝主體26的相對(duì)的主要的表面中被露出。在另一實(shí)施例中，天線部分3811可以在封裝主體26被形成之后加以形成，其是通過(guò)以一所要的溝槽圖案來(lái)移除封裝主體26的部分，并且接著利用一種導(dǎo)電材料來(lái)填充該溝槽圖案而成為天線部分3811。例如是研磨及/或蝕刻技術(shù)的移除技術(shù)可被利用以移除該導(dǎo)電材料的部分，因而在一實(shí)施例中，天線部分3811的上表面以及封裝主體26的表面2600是彼此實(shí)質(zhì)共平面或是齊平的。在一實(shí)施例中，天線部分3811是被形成以電連接至一或多個(gè)導(dǎo)電柱386。

現(xiàn)在轉(zhuǎn)到圖39-46，基板結(jié)構(gòu)的各種實(shí)施例被描述，其是具有被配置以改善在例如是環(huán)氧樹(shù)脂模制化合物的模制材料與基板結(jié)構(gòu)之間的黏著的鎖定特點(diǎn)。在以下的說(shuō)明中，該些基板結(jié)構(gòu)是利用導(dǎo)電的引線架基板結(jié)構(gòu)而被描繪及敘述，但所了解的是所述特點(diǎn)及組件是相關(guān)于其它類型的基板結(jié)構(gòu)，因而并不只限于引線架類型的基板。以下的實(shí)施例可以結(jié)合在此所述的整合的天線結(jié)構(gòu)的任一個(gè)來(lái)加以利用、或是可被利用在并不包含整合的天線的封裝電子裝置中。

根據(jù)本實(shí)施例，該些鎖定特點(diǎn)是被設(shè)置成完全穿過(guò)該引線架的所選的部分(也即，從一表面延伸至另一表面以使得該模制材料能夠流過(guò)這些區(qū)域)。在一較佳實(shí)施例中，該些鎖定特點(diǎn)是被設(shè)置在該基板結(jié)構(gòu)的在厚度上相較于基板結(jié)構(gòu)的其它部分而被降低的部分中。在某些實(shí)施例中，該些具有被降低厚度的部分是利用例如是蝕刻技術(shù)的移除技術(shù)來(lái)加以制備。

根據(jù)本實(shí)施例，該些鎖定特點(diǎn)在該特定的基板結(jié)構(gòu)中可以在尺寸、形狀、數(shù)量、間隔、以及位置上變化。這些變量可以依據(jù)數(shù)個(gè)設(shè)計(jì)限制而定，其是包含但不限于下方接合的存在、半導(dǎo)體芯片尺寸相對(duì)晶粒附接墊尺寸的比例、該封裝主體的尺寸、該基板的材料類型及厚度、引線間距、聯(lián)結(jié)桿設(shè)計(jì)及位置、以及用于模制的模制化合物的性質(zhì)。例如，在一模制化合物中的填充物尺寸是被選擇成使得該模制化合物可以在模制期間流過(guò)該些鎖定特點(diǎn)，此至少部分將會(huì)決定在該模制化合物與該基板結(jié)構(gòu)之間的接口將會(huì)有多穩(wěn)固。

圖39是描繪根據(jù)一第一實(shí)施例的一例如是引線架390的基板結(jié)構(gòu)390的仰視圖。圖40是描繪被納入一電子封裝的裝置400中的引線架390的截面圖。在一實(shí)施例中，引線架390是包括一大致四邊形(例如，方形)晶粒墊391或是晶粒焊盤391，其是界定四個(gè)外圍的邊緣區(qū)段。此外，當(dāng)從圖40中所描繪的橫截面觀之時(shí)，晶粒墊391是分別界定相對(duì)的大致平面的上表面及下表面3910及3911。如同在圖40中明顯可見(jiàn)的，晶粒墊391并不具有均勻的厚度。而是，下表面3911的一外圍部分是部分被移除、或是部分被蝕刻(例如，一半被蝕刻)，以界定一蝕刻的部分3912。蝕刻的部分3912是進(jìn)一步在圖39中通過(guò)從右到左向下傾斜的密集的影線來(lái)加以描繪。在某些實(shí)施例中，相對(duì)于晶粒墊391的下表面3911的其余部分凹陷的蝕刻的部分3912是完全延伸在晶粒墊391的外圍的邊緣區(qū)段的周圍。

在一實(shí)施例中，引線架390進(jìn)一步包括多個(gè)一體連接至晶粒墊391的聯(lián)結(jié)桿392。在一實(shí)施例中，引線架390是包含四個(gè)從通過(guò)晶粒墊391所界定的四個(gè)角落區(qū)域的個(gè)別的角落區(qū)域大致對(duì)角地延伸至一阻擋棒(dam bar，未顯示)的聯(lián)結(jié)桿392，聯(lián)結(jié)桿392是在電子封裝裝置400的制造期間有效地支撐晶粒墊391。在某些實(shí)施例中，聯(lián)結(jié)桿392是具有一類似于蝕刻的部分3912的降低的厚度。引線架390進(jìn)一步包括多個(gè)被設(shè)置成和晶粒墊391間隔開(kāi)的引線393，并且在一實(shí)施例中，包括沿著晶粒墊391的四個(gè)外圍的邊緣區(qū)段的每一個(gè)被設(shè)置的四個(gè)組。在某些實(shí)施例中，每一個(gè)引線393的厚度并非均勻的，其中一外圍部分3931是半蝕刻的。在某些實(shí)施例中，如同在圖40中所繪的，引線393的上表面可包含一引線接合墊或部分3932。

根據(jù)本實(shí)施例，引線架390進(jìn)一步包括多個(gè)被設(shè)置在引線架390的所選的部分中的鎖定特點(diǎn)394。在一實(shí)施例中，鎖定特點(diǎn)394是包括被設(shè)置在晶粒墊391的蝕刻的部分3912中的槽3941或是鎖定槽3941；以及圓形的孔洞3942或鎖定孔洞3942，其是被設(shè)置成接近聯(lián)結(jié)桿392與晶粒墊391交叉、接合或是交會(huì)之處。根據(jù)本實(shí)施例，槽3941以及圓形的孔洞3942是被設(shè)置成完全穿過(guò)在引線架390之內(nèi)的個(gè)別的位置。在某些實(shí)施例中，槽3941是包括沿著晶粒墊391的外圍的邊緣區(qū)段間隔開(kāi)的細(xì)長(zhǎng)的矩形形狀。在一實(shí)施例中，至少四個(gè)槽3941是沿著晶粒墊391的每一個(gè)外圍的邊緣區(qū)段而被設(shè)置，并且至少一圓形的孔洞3942是接近晶粒墊391的每一個(gè)角落部分而被設(shè)置。根據(jù)本實(shí)施例，槽3941以及圓形的孔洞3942是被制作尺寸，以使得在被用來(lái)形成封裝主體26的所選的模制化合物之內(nèi)的填充物可以填入其中，并且容許該模制化合物在該模制制程期間流過(guò)其。此配置是提供在引線架391與封裝主體26之間強(qiáng)化的黏著。

經(jīng)封裝的電子裝置400進(jìn)一步包括利用例如是一附接層401來(lái)附接至晶粒墊391的上表面3910的電子構(gòu)件23。例如是引線接合27的導(dǎo)電的連接結(jié)構(gòu)27是將電子構(gòu)件23的一上表面上的焊墊24電連接至在引線393上的引線接合部分3932。封裝主體26囊封電子構(gòu)件23、導(dǎo)電的連接結(jié)構(gòu)27、引線393的部分、以及晶粒墊391的部分。在一實(shí)施例中，晶粒墊391的一外部表面3916以及引線393的部分是透過(guò)封裝主體26的下表面而被露出。根據(jù)本實(shí)施例，具有槽3942及圓形的孔洞3943的蝕刻的部分3912以及聯(lián)結(jié)桿392是被囊封在封裝主體26之內(nèi)。

圖41是描繪根據(jù)另一實(shí)施例的一基板結(jié)構(gòu)410或是引線架410的部分仰視圖。引線架410類似于引線架390，因而只有差異將會(huì)在以下加以描述。根據(jù)本實(shí)施例，引線架410進(jìn)一步包括額外的鎖定特點(diǎn)，其是包含被設(shè)置在一或多個(gè)聯(lián)結(jié)桿392之內(nèi)的多個(gè)聯(lián)結(jié)桿槽3946以及一或多個(gè)聯(lián)結(jié)桿的圓形孔洞3947。在一較佳實(shí)施例中，每一個(gè)聯(lián)結(jié)桿392是被配置成具有聯(lián)結(jié)桿槽3946以及一或多個(gè)聯(lián)結(jié)桿的圓形孔洞3947。在一實(shí)施例中，一第一聯(lián)結(jié)桿槽3946A是被設(shè)置成相鄰圓形的孔洞3943，并且一第一聯(lián)結(jié)桿的圓形孔洞3947A是被設(shè)置在聯(lián)結(jié)桿392的一遠(yuǎn)程與第一聯(lián)結(jié)桿槽3946A之間。在一實(shí)施例中，一第二聯(lián)結(jié)桿槽3946B是被設(shè)置在該遠(yuǎn)程與第一聯(lián)結(jié)桿的圓形孔洞3947A之間。在一實(shí)施例中，一第二聯(lián)結(jié)桿的圓形孔洞3947B是被設(shè)置在該遠(yuǎn)程與第二聯(lián)結(jié)桿槽3946B之間。在一實(shí)施例中，一第三聯(lián)結(jié)桿槽3946C是被設(shè)置在該遠(yuǎn)程與第二聯(lián)結(jié)桿的圓形孔洞3947B之間。在一實(shí)施例中，第二聯(lián)結(jié)桿槽3946B可以是比第一聯(lián)結(jié)桿槽3946A以及第三聯(lián)結(jié)桿槽3946C中的一或多個(gè)較長(zhǎng)的。所了解的是在其它實(shí)施例中，更多或較少的聯(lián)結(jié)桿的圓形孔洞及/或聯(lián)結(jié)桿槽可被利用，而且不同的聯(lián)結(jié)桿槽形狀也可被使用。

圖42是描繪根據(jù)另一實(shí)施例的一基板結(jié)構(gòu)420或是引線架420的部分仰視圖。引線架420類似于引線架390及410，因而只有差異將會(huì)在以下加以描述。根據(jù)本實(shí)施例，引線架410是包括一Y形槽結(jié)構(gòu)3948，其是被設(shè)置在引線架410的其中聯(lián)結(jié)桿392交叉晶粒墊391的一角落部分的部分中。根據(jù)本實(shí)施例，Y形槽結(jié)構(gòu)3948是被設(shè)置在晶粒墊391的蝕刻的部分3912之內(nèi)，并且是沿著聯(lián)結(jié)桿392的半蝕刻的部分的部分。在一實(shí)施例中，兩個(gè)槽3948A及3948B是被設(shè)置成完全延伸穿過(guò)蝕刻的部分3912，并且第三槽3948C是被設(shè)置成完全延伸穿過(guò)聯(lián)結(jié)桿392。換言之，通過(guò)Y形槽結(jié)構(gòu)3948的槽3948A及3948B所界定的V形部分是主要被設(shè)置在蝕刻的部分3912中，并且通過(guò)Y形槽結(jié)構(gòu)3948的槽3948C所界定的I形部分主要被設(shè)置在聯(lián)結(jié)桿392中。在某些實(shí)施例中，聯(lián)結(jié)桿392可包含一或多個(gè)聯(lián)結(jié)桿槽3946以及一或多個(gè)聯(lián)結(jié)桿的圓形孔洞3947。在一較佳實(shí)施例中，晶粒墊391的每一個(gè)角落部分以及每一個(gè)聯(lián)結(jié)桿392是類似地被配置。根據(jù)本實(shí)施例，Y形槽結(jié)構(gòu)3948有利的是提供在封裝主體26與引線架420之間強(qiáng)化的黏著，其也被配置以互鎖聯(lián)結(jié)桿392及蝕刻的部分3912，以在高應(yīng)力的區(qū)域中，特別是在大的主體裝置中提供改善的穩(wěn)定性及強(qiáng)度。此特定實(shí)施例例如是有利于利用較厚的引線架(例如，≥約200微米(≥8密耳)的封裝裝置、以及利用該些封裝裝置的應(yīng)用(例如是高熱的裝置)中。Y形槽結(jié)構(gòu)3948是降低金屬質(zhì)量在晶粒墊391的角落部分中的量，此是降低熱膨脹系數(shù)("CTE")。此和該模制化合物與聯(lián)結(jié)桿/晶粒墊區(qū)域的互鎖一起降低可能發(fā)生在模制或是模制后的固化制程期間的翹曲。

圖43是描繪根據(jù)另一實(shí)施例的一基板結(jié)構(gòu)430或是引線架430的部分仰視圖。引線架430類似于引線架390、410及420，因而只有差異將會(huì)在以下加以描述。再者，所了解的是，引線架430的特點(diǎn)可以結(jié)合其它在此所述的實(shí)施例以及其它實(shí)施例來(lái)加以利用。引線架430包括施加一具有非線性形狀的邊緣431到晶粒墊391的蝕刻的部分3912以及聯(lián)結(jié)桿392。在一實(shí)施例中，邊緣431是包括波浪形的邊緣，其包含一齒狀的邊緣、一鋸齒狀的邊緣、一圓波的邊緣、或是一被配置以增加晶粒墊391及聯(lián)結(jié)桿392的邊緣部分的表面積的邊緣。此在表面積上的增加是增進(jìn)該模制化合物的黏著至引線架430的功效。具有一非線性形狀的邊緣431可以單獨(dú)、或是結(jié)合在此所述的鎖定特點(diǎn)中的一或多個(gè)來(lái)加以利用。再者，邊緣431可被設(shè)置在晶粒墊391的小于全部的外圍的邊緣區(qū)段上。在一實(shí)施例中，蝕刻的部分3912可進(jìn)一步包含一或多個(gè)圓形的孔洞3949，也即被設(shè)置成完全穿過(guò)蝕刻的部分3912并且被設(shè)置在蝕刻的部分3912的所選的位置處的鎖定特點(diǎn)。在一實(shí)施例中，圓形的孔洞3949可被設(shè)置在兩個(gè)槽3946之間、或是被設(shè)置在Y形槽結(jié)構(gòu)3948與一槽3946之間。

圖44是描繪根據(jù)另一實(shí)施例的一基板結(jié)構(gòu)440或是引線架440的部分仰視圖。引線架440類似于引線架390、410、420及430，因而只有差異將會(huì)在以下加以描述。根據(jù)本實(shí)施例，引線架440包括邊緣441及442，其是非線性的，以提供一偏移開(kāi)槽的突片鎖定結(jié)構(gòu)443。在一實(shí)施例中，邊緣442是具有一與邊緣441不同的形狀或邊緣輪廓。在一實(shí)施例中，鎖定結(jié)構(gòu)443是包括多個(gè)以一種非連續(xù)的方式彼此偏移的突片443A、443B及443C。突片443A、443B及443C的尺寸及形狀可以變化。在一實(shí)施例中，每一個(gè)突片是包含一被設(shè)置成完全穿過(guò)其個(gè)別的槽的槽444。在某些實(shí)施例中，當(dāng)也包含Y形槽結(jié)構(gòu)3948時(shí)，槽444是被設(shè)置成大致垂直于槽3948C。在另一實(shí)施例中，鎖定結(jié)構(gòu)443可以進(jìn)一步沿著晶粒墊391的外圍的邊緣區(qū)段來(lái)加以設(shè)置。類似于邊緣431，鎖定結(jié)構(gòu)443是被配置以增加引線架440的表面積，藉此改進(jìn)在引線架440與被用來(lái)形成封裝26的模制化合物之間的黏著。

從前述的所有內(nèi)容，熟習(xí)此項(xiàng)技術(shù)者可以判斷根據(jù)一實(shí)施例，一種經(jīng)封裝的電子裝置是包括一引線架，其具有一晶粒墊、至少一與該晶粒墊一體的聯(lián)結(jié)桿以及多個(gè)被設(shè)置成和該晶粒墊間隔開(kāi)的引線。一電子構(gòu)件電連接至該些引線。該晶粒墊包含一在外圍的邊緣區(qū)段的至少一部分的周圍的蝕刻的部分。第一多個(gè)鎖定特點(diǎn)是被設(shè)置成延伸穿過(guò)該蝕刻的部分。一模制的封裝主體囊封該電子構(gòu)件以及該引線架的部分，并且被設(shè)置在該些鎖定特點(diǎn)之內(nèi)。

在一實(shí)施例中，該第一多個(gè)鎖定特點(diǎn)包括一具有非線性的邊緣，其是被設(shè)置成圍繞該蝕刻的部分的至少一部分。在另一實(shí)施例中，該第一多個(gè)鎖定特點(diǎn)是包括槽。在另一實(shí)施例中，該第一多個(gè)鎖定特點(diǎn)是包括圓形的孔洞。在另一實(shí)施例中，第一多個(gè)鎖定特點(diǎn)可包括偏移開(kāi)槽的突片。在另一實(shí)施例中，第二多個(gè)鎖定特點(diǎn)是被設(shè)置成延伸穿過(guò)該聯(lián)結(jié)桿。在一實(shí)施例中，該第二多個(gè)鎖定特點(diǎn)是包括一具有非線性的邊緣，其是沿著該聯(lián)結(jié)桿的邊緣部分來(lái)加以設(shè)置。在另一實(shí)施例中，該第二多個(gè)鎖定特點(diǎn)是包括槽。在另一實(shí)施例中，該第二多個(gè)鎖定特點(diǎn)是包括圓形的孔洞。在另一實(shí)施例中，該第二多個(gè)鎖定特點(diǎn)可包括偏移開(kāi)槽的突片。

尤其是包含鎖定特點(diǎn)431的上述的鎖定特點(diǎn)是導(dǎo)致經(jīng)封裝的電子裝置符合濕度靈敏等級(jí)1("MSL 1")的要求。此是有利的，因?yàn)橥ㄟ^(guò)MSL 1的測(cè)試是容許制造商能夠消除昂貴的預(yù)防處理，例如是烘烤制程以及干燥包裝的儲(chǔ)存。此也消除監(jiān)視利用在此的實(shí)施例的封裝電子構(gòu)件的保存限期的必要性，甚至在該干燥包裝被開(kāi)啟之后也是如此。相較之下，一種并未通過(guò)該MSL 1要求的經(jīng)封裝的電子裝置則必須在被使用某一時(shí)間量后，必須使用額外的烘烤制程。

從前述的所有內(nèi)容，熟習(xí)此項(xiàng)技術(shù)者可以判斷根據(jù)一實(shí)施例，一種制造一具有一整合的天線的電子封裝的裝置的方法是包括設(shè)置一導(dǎo)電的基板，該導(dǎo)電的基板是包括：一第一導(dǎo)電的晶粒附接墊；一第一導(dǎo)電的引線，其是和該第一導(dǎo)電的晶粒附接墊的一第一側(cè)邊間隔開(kāi)；以及一細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)，其是被設(shè)置成接近該第一導(dǎo)電的晶粒附接墊的該第一側(cè)邊，該細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)電耦接第一導(dǎo)電的晶粒附接墊以及該電子裝置中的一或多個(gè)，其中該細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)以及該第一導(dǎo)電的晶粒附接墊以及一第二導(dǎo)電的引線中的一或多個(gè)是被配置為一天線結(jié)構(gòu)。該方法包含耦接一電子裝置至該第一導(dǎo)電的引線；以及形成一封裝主體，其囊封該電子裝置并且囊封該第一導(dǎo)電的晶粒附接墊的至少部分、該第一引線的至少部分以及該細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)的至少部分。

從前述的所有內(nèi)容，熟習(xí)此項(xiàng)技術(shù)者可以判斷根據(jù)另一實(shí)施例，在具有一整合的天線的經(jīng)封裝的電子裝置中，該導(dǎo)電的接地面結(jié)構(gòu)可以在該封裝主體的一主要的表面中被露出，并且該第一導(dǎo)電的晶粒附接墊是在該封裝主體的一相反的主要的表面中被露出。在另一實(shí)施例中，該導(dǎo)電的接地面結(jié)構(gòu)可以沿著該第一導(dǎo)電的晶粒附接墊的一第二側(cè)邊來(lái)電連接至該第一導(dǎo)電的晶粒附接墊。在又一實(shí)施例中，該經(jīng)封裝的電子裝置可進(jìn)一步包括一第三導(dǎo)電的引線，其是利用一被動(dòng)裝置來(lái)電耦接至該第一導(dǎo)電的晶粒附接墊。在另一實(shí)施例中，該細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)可以利用一接近該細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)的一第一端的被動(dòng)結(jié)構(gòu)來(lái)電連接至該第一導(dǎo)電的晶粒附接墊，并且利用一導(dǎo)電的連接結(jié)構(gòu)來(lái)在接近一相對(duì)的端電連接至該第一導(dǎo)電的晶粒附接墊。

從前述的所有內(nèi)容，熟習(xí)此項(xiàng)技術(shù)者可以判斷根據(jù)另一實(shí)施例，在具有一整合的天線的經(jīng)封裝的電子裝置中，該天線結(jié)構(gòu)可進(jìn)一步包括一導(dǎo)電的短路臂結(jié)構(gòu)，其是將該細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)的一端電連接至該導(dǎo)電的晶粒附接墊的一部分；該第二導(dǎo)電的引線可以在該細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)的一與該導(dǎo)電的晶粒附接墊相反的側(cè)邊上，連接至該細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)；該第一導(dǎo)電的晶粒附接墊可被配置為一接地面結(jié)構(gòu)；該細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)具有一第一長(zhǎng)度；該第一導(dǎo)電的晶粒墊具有大于或等于該第一長(zhǎng)度的一第一寬度；并且該天線結(jié)構(gòu)被配置為一種倒F天線的結(jié)構(gòu)。

從前述的所有內(nèi)容，熟習(xí)此項(xiàng)技術(shù)者可以判斷根據(jù)另一實(shí)施例，在具有一整合的天線的經(jīng)封裝的電子裝置中，該基板可包括一具有一降低的厚度的蝕刻的部分；該經(jīng)封裝的電子裝置進(jìn)一步包括一鎖定特點(diǎn)，其是被設(shè)置成延伸穿過(guò)該蝕刻的部分；并且該鎖定特點(diǎn)包括一非線性的邊緣、一槽、一圓形的孔洞、一Y形槽結(jié)構(gòu)或是一偏移開(kāi)槽的突片結(jié)構(gòu)中的一或多個(gè)。

從前述的所有內(nèi)容，熟習(xí)此項(xiàng)技術(shù)者可以判斷根據(jù)另一實(shí)施例，在具有一整合的天線的經(jīng)封裝的電子裝置中，該天線結(jié)構(gòu)可包括一細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁部分，其是從該第一晶粒墊的一外圍的邊緣區(qū)段延伸；以及一和該晶粒墊間隔開(kāi)的接地面，其中該天線結(jié)構(gòu)是被配置為一貼片天線。在又一實(shí)施例中，該天線結(jié)構(gòu)可以進(jìn)一步包括一和該第一晶粒墊間隔開(kāi)的第二晶粒墊，該第二晶粒墊是具有一被設(shè)置在該第二晶粒墊之內(nèi)并且延伸穿過(guò)該第二晶粒墊的槽；以及一導(dǎo)電的連接結(jié)構(gòu)，其是將該電子裝置電連接至該第二晶粒墊，其中該導(dǎo)電的連接結(jié)構(gòu)是被設(shè)置在該槽的一端與該槽的一中央部分之間。在另一實(shí)施例中，該天線可以進(jìn)一步包括一電耦接至該電子裝置以及一導(dǎo)電的引線的波導(dǎo)，其中：該波導(dǎo)是重迭該槽；該封裝主體是囊封該波導(dǎo)；以及該槽的部分并沒(méi)有該封裝主體。

從前述的所有內(nèi)容，熟習(xí)此項(xiàng)技術(shù)者可以判斷根據(jù)又一實(shí)施例，在具有一整合的天線的經(jīng)封裝的電子裝置中，該天線結(jié)構(gòu)可包括一細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)，其是被設(shè)置在該第一晶粒墊的一外圍的邊緣區(qū)段與該封裝主體的一第一邊緣之間；一導(dǎo)電的短路臂結(jié)構(gòu)，其是將該細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)的一端電連接至該第一晶粒墊的一角落；一導(dǎo)電的引線，其是在該細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)的一與該第一晶粒附接墊相反的側(cè)邊上連接至該細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)，并且沿著該封裝主體的該第一邊緣來(lái)終端，其中：該第一導(dǎo)電的晶粒附接墊是被配置為一接地面結(jié)構(gòu)；并且該天線結(jié)構(gòu)是被配置為一倒F天線的結(jié)構(gòu)。在另一實(shí)施例中，該天線結(jié)構(gòu)可包括一細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)，其是至少部分在該封裝主體的一主要的表面中被露出；以及一導(dǎo)電柱結(jié)構(gòu)，其是內(nèi)嵌在該封裝主體之內(nèi)并且電耦接至該細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁結(jié)構(gòu)的一端。在另一實(shí)施例中，該天線結(jié)構(gòu)可包括一和該第一晶粒墊間隔開(kāi)的第二晶粒墊，該第二晶粒墊是被配置成具有一種響應(yīng)于一饋源信號(hào)來(lái)諧振的結(jié)構(gòu)。

考慮到以上全部的內(nèi)容，明顯的是新穎的具有整合的天線結(jié)構(gòu)的經(jīng)封裝的電子裝置已經(jīng)被揭露。除了其它特點(diǎn)外，內(nèi)含的是電子裝置是包含導(dǎo)電的引線架，該導(dǎo)電的引線架是獨(dú)特地納入在此所述的特點(diǎn)中的一或多個(gè)，其包含但不限于傳輸線組件、接地面組件、接地環(huán)組件、貼片組件、接地組件、饋源組件、波導(dǎo)組件、細(xì)長(zhǎng)的導(dǎo)電的梁組件、導(dǎo)電柱組件、槽組件、導(dǎo)電的螺旋的組件、調(diào)諧組件、隔離組件、內(nèi)嵌的封裝主體組件以及其它構(gòu)件至所提出的整合的天線結(jié)構(gòu)。這些組件的某些組件是有利地和其它引線架構(gòu)件一起被內(nèi)含在導(dǎo)電的引線架結(jié)構(gòu)之內(nèi)，以簡(jiǎn)化整合。在此所述的組件以及其的實(shí)施例是獨(dú)特地在電子裝置封裝之內(nèi)致能整合的天線結(jié)構(gòu)，其是提供靠近電子芯片來(lái)設(shè)置該天線的非所預(yù)期的優(yōu)點(diǎn)，藉此改進(jìn)效能、致能最佳的諧振、降低信號(hào)損失、并且因此改進(jìn)輻射、降低噪聲注入、降低操作阻抗、降低功率消耗。此外，出乎意料地發(fā)現(xiàn)到利用用于該封裝主體的模制材料的電容可以用一種加載一天線組件的方式來(lái)加以使用。再者，在此所述的結(jié)構(gòu)是利用可利用的制程，此是節(jié)省資本投入以及其它的制造成本。最后，在此所述的整合的天線實(shí)施例是在一小覆蓋區(qū)中提供增進(jìn)的功能，并且消除對(duì)于在某些應(yīng)用中的外部的離散的天線的需求，其是支持目前以及未來(lái)的使用者要求。

進(jìn)一步考慮到以上的內(nèi)容，明顯的是新穎的鎖定結(jié)構(gòu)已經(jīng)被揭露。除了其它特點(diǎn)外，所包含的是開(kāi)槽的、圓形的、扁平的以及不規(guī)則的邊緣的鎖定結(jié)構(gòu)是被設(shè)置在引線架組件的所選的部分中以改善模制化合物至該引線架的黏著，以減低引線架組件的非所要的移動(dòng)，并且降低引線架組件的翹曲。

盡管本發(fā)明的標(biāo)的是利用特定的較佳實(shí)施例以及范例實(shí)施例而被描述，但是先前的圖式以及其的說(shuō)明只描繪該標(biāo)的的典型的實(shí)施例而已，并且因此并不被視為限制其范疇的。明顯的是，許多替換物及變化對(duì)于熟習(xí)此項(xiàng)技術(shù)者而言都將會(huì)是明顯的。例如，在此所述的結(jié)構(gòu)及組件可被利用于包含積層基板以及其它具有一晶粒附接墊而且使用模制的主體結(jié)構(gòu)的基板的基板。盡管本說(shuō)明在所敘述的實(shí)施例中主要是利用一QFN/MLF或QFP引線架基板，但所了解的是，所揭露的組件及概念可被應(yīng)用到其它具有一晶粒附接墊的引線架裝置。這些其它實(shí)施例是包含但不限于：DFN、SOC、SOIC、QFP、aQFN、tsCSP、GQFN、DR-MLF等等類型的電子封裝。

如同在以下的權(quán)利要求書(shū)所反映的，本發(fā)明的特點(diǎn)可以是在于少于單一先前揭露的實(shí)施例的所有特點(diǎn)。因此，在以下所陳述的權(quán)利要求是藉此明確地被納入到圖式的此詳細(xì)說(shuō)明中，其中每一項(xiàng)權(quán)利要求是獨(dú)立作為本發(fā)明的一個(gè)別的實(shí)施例。再者，盡管在此所述的某些實(shí)施例包含內(nèi)含在其它實(shí)施例中的一些特點(diǎn)、而不包含其它特點(diǎn)，但是如同熟習(xí)此項(xiàng)技術(shù)者將會(huì)理解的，不同的實(shí)施例的特點(diǎn)的組合意謂是在本發(fā)明的范疇內(nèi)，而且意謂是形成不同的實(shí)施例。