交叉環(huán)形天線的制作方法
【專利摘要】一種天線，其包含在固定于集成電路（IC106）的封裝（104）內(nèi)（其允許輻射被傳播遠(yuǎn)離印刷電路板（PCB）從而降低干擾），并且該天線包括兩個(gè)環(huán)形天線，其短接到地并“交疊”，而且包括“通孔壁”。IC106具有覆蓋IC的保護(hù)性外殼（406），包括金屬化層404和IC基板402，并且柱狀凸起（302-1）固定在IC和天線封裝件（104）之間。接著，天線封裝件（104）能夠固定到PCB。使用所公開的配置，通過改變輸入信號的相對相位能夠?qū)崿F(xiàn)圓形極化，并且通過減少表面薄，“通孔壁”提高效率。
【專利說明】交叉環(huán)形天線
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明總體涉及環(huán)形天線，更具體地，涉及用于太赫茲頻率范圍的環(huán)形天線。
【背景技術(shù)】
[0002]多年來，環(huán)形天線已經(jīng)在多種應(yīng)用中使用，但是對于高頻應(yīng)用(即，太赫茲輻射)和單片集成天線，環(huán)形天線的使用能存在很多障礙。例如，存在與天線和傳輸介質(zhì)之間的封裝材料關(guān)聯(lián)的損耗。另一種示例損耗是由于印刷電路板或PCB軌線的寄生輻射和接口造成。因此，需要一種改進(jìn)的系統(tǒng)。常規(guī)系統(tǒng)的一些示例是:美國專利N0.7545329 ;和J.Grzyb，D.Liu, U.Pfeiffer 和 B.Gaucher 在 Proceedings of the2006IEEE AP-SInternationalSymposium and UNSC/URSI and AMEREM Meetings (2006 年 IEEE AP-S 國際研討會暨UNSC/URSI 和 AMEREM 會議論文集)上發(fā)表的 “Wideband cavity-backed folded dipolesuperstate antenna for60GHz applications (用于60GHz應(yīng)用的寬帶背腔式折疊偶極子超覆蓋天線)”((2006年7月9-14日，Albuquerque, New Mexico (阿爾伯克基，新墨西哥州)，第 3939-3942 頁)。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]一個(gè)示例性實(shí)施方式提供了一種設(shè)備。該設(shè)備包括:基板，所述基板具有第一端子、第二端子、第三端子和第四端子；第一金屬化層，其設(shè)置在所述基板上，其中所述第一金屬化層包括:第一窗口區(qū)域；第一導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第一端子上并且與所述第一端子電接觸，其中，第一導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中，第一導(dǎo)電區(qū)域位于所述第一窗口區(qū)域內(nèi)；第二導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第二端子上并且與所述第二端子電接觸，其中，所述第二導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第一導(dǎo)電區(qū)域位于所述第一窗口區(qū)域內(nèi)；第三導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第三端子上并且與所述第三端子電接觸，其中所述第三導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第三導(dǎo)電區(qū)域位于所述第一窗口區(qū)域內(nèi)；和第四導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第四端子上并且與所述第四端子電接觸，其中所述第四導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第四導(dǎo)電區(qū)域位于所述第一窗口區(qū)域內(nèi)；第二金屬化層，其設(shè)置在所述第一金屬化層上，其中所述第二金屬化層包括:第二窗口區(qū)域，其與所述第一窗口區(qū)域大致對準(zhǔn)?’第五導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第一導(dǎo)電區(qū)域上并且與所述第一導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中所述第五導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第五導(dǎo)電區(qū)域位于所述第二窗口區(qū)域內(nèi)；第六導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第二導(dǎo)電區(qū)域上并且與所述第二導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中所述第六導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第六導(dǎo)電區(qū)域位于所述第二窗口區(qū)域內(nèi)；第七導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第三導(dǎo)電區(qū)域上并且與所述第三導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中所述第七導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第七導(dǎo)電區(qū)域位于所述第二窗口區(qū)域內(nèi)；第八導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第四導(dǎo)電區(qū)域上并且與所述第四導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中所述第八導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第四導(dǎo)電區(qū)域位于所述第二窗口區(qū)域內(nèi)；和第九導(dǎo)電區(qū)域，其在所述第五導(dǎo)電區(qū)域和所述第八導(dǎo)電區(qū)域之間延伸并且與所述第五導(dǎo)電區(qū)域和所述第八導(dǎo)電區(qū)域電接觸；和第三金屬化層，其設(shè)置在所述第二金屬化層上，其中所述第三金屬化層包括:第三窗口區(qū)域，其與所述第二窗口區(qū)域大致對準(zhǔn)；第十導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第五導(dǎo)電區(qū)域上并且與所述第五導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中所述第十導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第十導(dǎo)電區(qū)域位于所述第三窗口區(qū)域內(nèi)；第十一導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第六導(dǎo)電區(qū)域上并且與所述第六導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中所述第十一導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第十一導(dǎo)電區(qū)域位于所述第三窗口區(qū)域內(nèi)；第十二導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第七導(dǎo)電區(qū)域上并且與所述第七導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中所述第十二導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第十二導(dǎo)電區(qū)域位于所述第三窗口區(qū)域內(nèi)；第十三導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第八導(dǎo)電區(qū)域上并且與所述第八導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中所述第十三導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第十三導(dǎo)電區(qū)域位于所述第三窗口區(qū)域內(nèi)；和第十四導(dǎo)電區(qū)域，其在所述第十一導(dǎo)電區(qū)域和所述第十二導(dǎo)電區(qū)域之間延伸并且與所述第十一導(dǎo)電區(qū)域和所述第十二導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中所述第十四區(qū)域與第九區(qū)域交疊。
[0004]在一個(gè)示例性實(shí)施方式中，第一窗口區(qū)域、第二窗口區(qū)域和第三窗口區(qū)域大致為矩形。
[0005]在一個(gè)示例性實(shí)施方式中，所述設(shè)備還包括:第一通孔集合，其中來自第一通孔集合的每個(gè)通孔在第一導(dǎo)電區(qū)域和所述第五導(dǎo)電區(qū)域、所述第二導(dǎo)電區(qū)域和所述第六導(dǎo)電區(qū)域、所述第三導(dǎo)電區(qū)域和所述第七導(dǎo)電區(qū)域、以及所述第四導(dǎo)電區(qū)域和所述第八導(dǎo)電區(qū)域中的至少一個(gè)之間延伸；和第二通孔集合，其中來自第二通孔集合的每個(gè)通孔在第十導(dǎo)電區(qū)域和所述第五導(dǎo)電區(qū)域、所述第十一導(dǎo)電區(qū)域和所述第六導(dǎo)電區(qū)域、所述第十二導(dǎo)電區(qū)域和所述第七導(dǎo)電區(qū)域、以及所述第十三導(dǎo)電區(qū)域和所述第八導(dǎo)電區(qū)域中的至少一個(gè)之間延伸。
[0006]在一個(gè)示例性實(shí)施方式中，所述基板還包括多個(gè)邊界端子，并且其中所述第一金屬化層還包括:第十五導(dǎo)電區(qū)域，其基本上包圍所述第一窗口區(qū)域并且與所述邊界端子電接觸，并且其中所述第二金屬化層還包括:第十六導(dǎo)電區(qū)域，其基本上包圍所述第二窗口區(qū)域并且與所述第十五導(dǎo)電區(qū)域電接觸，并且其中所述第三金屬化層還包括:第十七導(dǎo)電區(qū)域，其基本上包圍所述第三窗口區(qū)域并且與所述第十六導(dǎo)電區(qū)域電接觸。
[0007]在一個(gè)示例性實(shí)施方式中，所述設(shè)備還包括:第三通孔集合，其中來自第三通孔集合的每個(gè)通孔在所述第十五導(dǎo)電區(qū)域和所述第十六導(dǎo)電區(qū)域之間延伸；和第四通孔集合，其中來自第四通孔的集合的每個(gè)通孔在所述第十六導(dǎo)電區(qū)域和所述第十七導(dǎo)電區(qū)域之間延伸。
[0008]在一個(gè)示例性實(shí)施方式中，所述第一端子和第二端子耦接到地。
[0009]在一個(gè)示例性實(shí)施方式中，所述第一端子、所述第二端子、所述第三端子和所述第四端子是柱狀凸起(stub bump)。
[0010]在一個(gè)示例實(shí)施方式中，提供一種設(shè)備。該設(shè)備包括:集成電路(1C)，所述IC具有:射頻RF電路；耦接到所述RF電路的柱狀凸起；耦接到所述RF電路的第二柱狀凸起；耦接到所述RF電路并且耦接到地的第三柱狀凸起；耦接到所述RF電路并且耦接到地的第四柱狀凸起；和天線封裝件，其具有:電介質(zhì)層，其中第一柱狀凸起、所述第二柱狀凸起、所述第三柱狀凸起和所述第四柱狀凸起延伸通過所述電介質(zhì)層；底部填充層，其設(shè)置在所述電介質(zhì)層和所述IC之間；第一金屬化層，其設(shè)置在所述基板上，其中所述第一金屬化層包括:第一窗口區(qū)域；第一導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第一柱狀凸起上并且與所述第一柱狀凸起電接觸，其中所述第一導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第一導(dǎo)電區(qū)域位于所述第一窗口區(qū)域內(nèi)；第二導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第二柱狀凸起上并且與所述第二柱狀凸起電接觸，其中所述第二導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第一導(dǎo)電區(qū)域位于所述第一窗口區(qū)域內(nèi)；第三導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第三柱狀凸起上并且與所述第三柱狀凸起電接觸，其中所述第三導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第三導(dǎo)電區(qū)域位于所述第一窗口區(qū)域內(nèi)；和第四導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第四柱狀凸起上并且與所述第四柱狀凸起電接觸，其中所述第四導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第四導(dǎo)電區(qū)域位于所述第一窗口區(qū)域內(nèi)；封裝基板；第二金屬化層，其設(shè)置在所述封裝基板上，其中所述第一金屬化層包括:第二窗口區(qū)域，其與所述第一窗口區(qū)域大致對準(zhǔn)；第五導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第一導(dǎo)電區(qū)域上并且與所述第一導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中所述第五導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第五導(dǎo)電區(qū)域位于所述第二窗口區(qū)域內(nèi)；第六導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第二導(dǎo)電區(qū)域上并且與所述第二導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中所述第六導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第六導(dǎo)電區(qū)域位于所述第二窗口區(qū)域內(nèi)；第七導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第三導(dǎo)電區(qū)域上并且與所述第三導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中所述第七導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第七導(dǎo)電區(qū)域位于所述第二窗口區(qū)域內(nèi)；和第八導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第四導(dǎo)電區(qū)域上并且與所述第四導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中所述第八導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第八導(dǎo)電區(qū)域位于所述第二窗口區(qū)域內(nèi)；第一通孔集合，其中，來自第一通孔集合的各通孔延伸通過第一導(dǎo)電區(qū)域和所述第五導(dǎo)電區(qū)域、所述第二導(dǎo)電區(qū)域和所述第六導(dǎo)電區(qū)域、所述第三導(dǎo)電區(qū)域和所述第七導(dǎo)電區(qū)域、以及所述第四導(dǎo)電區(qū)域和所述第八導(dǎo)電區(qū)域中的至少一個(gè)之間的封裝基板；第二金屬化層，其設(shè)置在所述第一金屬化層上，其中所述第二金屬化層包括:第三窗口區(qū)域，其與所述第二窗口區(qū)域大致對準(zhǔn)；第九導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第五導(dǎo)電區(qū)域上并且與所述第五導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中所述第九導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第九導(dǎo)電區(qū)域位于所述第三窗口區(qū)域內(nèi)；第十導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第六導(dǎo)電區(qū)域上并且與所述第六導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中所述第十導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第十導(dǎo)電區(qū)域位于所述第三窗口區(qū)域內(nèi)；第十一導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第七導(dǎo)電區(qū)域上并且與所述第七導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中所述第十一導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第十一導(dǎo)電區(qū)域位于所述第三窗口區(qū)域內(nèi)；第十二導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第八導(dǎo)電區(qū)域上并且與所述第八導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中所述第十二導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第十二導(dǎo)電區(qū)域位于所述第三窗口區(qū)域內(nèi)；以及第十三導(dǎo)電區(qū)域，其在所述第九導(dǎo)電區(qū)域和所述第十二導(dǎo)電區(qū)域之間延伸并且與所述第九導(dǎo)電區(qū)域和所述第十二導(dǎo)電區(qū)域電接觸；以及第三金屬化層，其設(shè)置在所述第二金屬化層上，其中所述第三金屬化層包括:第四窗口區(qū)域，其與所述第三窗口區(qū)域大致對準(zhǔn)；第十四導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第九導(dǎo)電區(qū)域上并且與所述第九導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中所述第十四導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第十四導(dǎo)電區(qū)域位于所述第四窗口區(qū)域內(nèi)；第十五導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第十導(dǎo)電區(qū)域上并且與所述第十導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中所述第十五導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第十五導(dǎo)電區(qū)域位于所述第四窗口區(qū)域內(nèi)；第十六導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第十一導(dǎo)電區(qū)域上并且與所述第十一導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中所述第十六導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第十六導(dǎo)電區(qū)域位于所述第四窗口區(qū)域內(nèi)；第十七導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第十二導(dǎo)電區(qū)域上并且與所述第十二導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中所述第十六導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第十六導(dǎo)電區(qū)域位于所述第四窗口區(qū)域內(nèi)；以及第十八導(dǎo)電區(qū)域，其在所述第十五導(dǎo)電區(qū)域和所述第十六導(dǎo)電區(qū)域之間延伸并且與所述第十五導(dǎo)電區(qū)域和所述第十六導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中所述第十八區(qū)域與第十三區(qū)域交疊。
[0011 ] 在一個(gè)示例性實(shí)施方式中，所述第一窗口區(qū)域、所述第二窗口區(qū)域、所述第三窗口區(qū)域和所述第四窗口區(qū)域大致為矩形。
[0012]在一個(gè)示例性實(shí)施方式中，通孔集合還包括第一通孔集合，并且其中所述天線封裝件還包括:第二通孔集合，其中來自第二通孔集合的各通孔在第九導(dǎo)電區(qū)域和所述第五導(dǎo)電區(qū)域、所述第十導(dǎo)電區(qū)域和所述第六導(dǎo)電區(qū)域、所述第十一導(dǎo)電區(qū)域和所述第七導(dǎo)電區(qū)域、以及所述第十二導(dǎo)電區(qū)域和所述第八導(dǎo)電區(qū)域中的至少一個(gè)之間延伸；以及第三通孔集合，其中，來自第三通孔集合的各通孔在第九導(dǎo)電區(qū)域和所述第十四導(dǎo)電區(qū)域、所述第十導(dǎo)電區(qū)域和所述第十五導(dǎo)電區(qū)域、所述第十一導(dǎo)電區(qū)域和所述第十六導(dǎo)電區(qū)域、以及所述第十二導(dǎo)電區(qū)域和所述第十七導(dǎo)電區(qū)域中的至少一個(gè)之間延伸。
[0013]在一個(gè)示例性實(shí)施方式中，所述IC還包括多個(gè)邊界柱狀凸起，并且其中所述第一金屬化層還包括:第十九導(dǎo)電區(qū)域，其基本上包圍所述第一窗口區(qū)域并且與所述邊界柱狀凸起電接觸，并且其中所述第二金屬化層還包括:第二十導(dǎo)電區(qū)域，其基本上包圍所述第二窗口區(qū)域并且與所述第十九導(dǎo)電區(qū)域電接觸，并且其中所述第三金屬化層還包括:第二十一導(dǎo)電區(qū)域，其基本上包圍所述第三窗口區(qū)域并且與所述第二十導(dǎo)電區(qū)域電接觸。
[0014]在一個(gè)示例性實(shí)施方式中，所述天線封裝件還包括:第四通孔集合，其中來自所述第四通孔集合的各通孔在所述第十九導(dǎo)電區(qū)域和所述第二十導(dǎo)電區(qū)域之間延伸；以及第五通孔集合，其中來自所述第五通孔集合的各通孔在所述第二十導(dǎo)電區(qū)域和所述第二十一導(dǎo)電區(qū)域之間延伸。
[0015]在一個(gè)示例性實(shí)施方式中，所述第一金屬化層、所述第二金屬化層、所述第三金屬化層和第四金屬化層由銅或鋁形成，并且其中所述電介質(zhì)層由聚酰亞胺形成，并且其中所述第一柱狀凸起、所述第二柱狀凸起、所述第三柱狀凸起、所述第四柱狀凸起和所述邊界柱狀凸起的每個(gè)都由具有金-鎳鍍層的金形成。
[0016]在一個(gè)示例實(shí)施方式中，提供一種設(shè)備。該設(shè)備包括:集成電路(1C)，所述IC具有:多個(gè)RF收發(fā)器；多個(gè)柱狀凸起集合，其中每個(gè)柱狀凸起集合與RF收發(fā)器的至少一個(gè)關(guān)聯(lián)，并且其中每個(gè)柱狀凸起集合包括:耦接到其關(guān)聯(lián)的RF收發(fā)器的第一柱狀凸起；耦接到其關(guān)聯(lián)的RF收發(fā)器的第二柱狀凸起；耦接到其關(guān)聯(lián)的RF收發(fā)器并且耦接到地的第三柱狀凸起；以及耦接到其關(guān)聯(lián)的RF收發(fā)器并且耦接到地的第四柱狀凸起；天線封裝件，其具有:電介質(zhì)層,其中來自每個(gè)柱狀凸起集合的每個(gè)柱狀凸起延伸通過所述電介質(zhì)層；底部填充層，其設(shè)置在所述電介質(zhì)層和所述IC之間；封裝基板；天線陣列，其中每個(gè)天線與所述RF收發(fā)器中的至少一個(gè)關(guān)聯(lián)，并且其中每個(gè)天線包括:第一金屬化層，其設(shè)置在所述基板上，其中所述第一金屬化層包括:第一窗口區(qū)域；第一導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在與其關(guān)聯(lián)的所述第一柱狀凸起上并且與該第一柱狀凸起電接觸，其中所述第一導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第一導(dǎo)電區(qū)域位于所述第一窗口區(qū)域內(nèi)；第二導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在與其關(guān)聯(lián)的第二柱狀凸起上并且與該第二柱狀凸起電接觸，其中所述第二導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第一導(dǎo)電區(qū)域位于所述第一窗口區(qū)域內(nèi)；第三導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在與其關(guān)聯(lián)的第三柱狀凸起上并且與該第三柱狀凸起電接觸，其中所述第三導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第三導(dǎo)電區(qū)域位于所述第一窗口區(qū)域內(nèi)；和第四導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在與其關(guān)聯(lián)的第四柱狀凸起上并且與該第四柱狀凸起電接觸，其中所述第四導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第四導(dǎo)電區(qū)域位于所述第一窗口區(qū)域內(nèi)；第二金屬化層，其設(shè)置在所述封裝基板上，其中所述第一金屬化層包括:第二窗口區(qū)域，其與所述第一窗口區(qū)域大致對準(zhǔn)；第五導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第一導(dǎo)電區(qū)域上并且與所述第一導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中所述第五導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第五導(dǎo)電區(qū)域位于所述第二窗口區(qū)域內(nèi)；第六導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第二導(dǎo)電區(qū)域上并且與所述第二導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中所述第六導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第六導(dǎo)電區(qū)域位于所述第二窗口區(qū)域內(nèi)；第七導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第三導(dǎo)電區(qū)域上并且與所述第三導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中所述第七導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第七導(dǎo)電區(qū)域位于所述第二窗口區(qū)域內(nèi)；以及第八導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第四導(dǎo)電區(qū)域上并且與所述第四導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中所述第八導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第八導(dǎo)電區(qū)域位于所述第二窗口區(qū)域內(nèi)；通孔集合，其中，來自通孔集合的各通孔延伸通過第一導(dǎo)電區(qū)域和所述第五導(dǎo)電區(qū)域、所述第二導(dǎo)電區(qū)域和所述第六導(dǎo)電區(qū)域、所述第三導(dǎo)電區(qū)域和所述第七導(dǎo)電區(qū)域、以及所述第四導(dǎo)電區(qū)域和所述第八導(dǎo)電區(qū)域中的至少一個(gè)之間的封裝基板；第二金屬化層，其設(shè)置在所述第一金屬化層上，其中所述第二金屬化層包括:第三窗口區(qū)域，其與所述第二窗口區(qū)域大致對準(zhǔn)；第九導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第五導(dǎo)電區(qū)域上并且與所述第五導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中所述第九導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第九導(dǎo)電區(qū)域位于所述第三窗口區(qū)域內(nèi)；第十導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第六導(dǎo)電區(qū)域上并且與所述第六導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中所述第十導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第十導(dǎo)電區(qū)域位于所述第三窗口區(qū)域內(nèi)；第十一導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第七導(dǎo)電區(qū)域上并且與所述第七導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中所述第十一導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第十一導(dǎo)電區(qū)域位于所述第三窗口區(qū)域內(nèi)；第十二導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第八導(dǎo)電區(qū)域上并且與所述第八導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中所述第十二導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第十二導(dǎo)電區(qū)域位于所述第三窗口區(qū)域內(nèi)；以及第十三導(dǎo)電區(qū)域，其在所述第九導(dǎo)電區(qū)域和所述第十二導(dǎo)電區(qū)域之間延伸并且與所述第九導(dǎo)電區(qū)域和所述第十二導(dǎo)電區(qū)域電接觸；以及第三金屬化層，其設(shè)置在所述第二金屬化層上，其中所述第三金屬化層包括:第四窗口區(qū)域，其與所述第三窗口區(qū)域大致對準(zhǔn)；第十四導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第九導(dǎo)電區(qū)域上并且與所述第九導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中所述第十四導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第十四導(dǎo)電區(qū)域位于所述第四窗口區(qū)域內(nèi)；第十五導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第十導(dǎo)電區(qū)域上并且與所述第十導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中所述第十五導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第十五導(dǎo)電區(qū)域位于所述第四窗口區(qū)域內(nèi)；第十六導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第十一導(dǎo)電區(qū)域上并且與所述第十一導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中，所述第十六導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第十六導(dǎo)電區(qū)域位于所述第四窗口區(qū)域內(nèi)；第十七導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第十二導(dǎo)電區(qū)域上并且與所述第十二導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中所述第十七導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第十六導(dǎo)電區(qū)域位于所述第四窗口區(qū)域內(nèi)；以及第十八導(dǎo)電區(qū)域，其在所述第十五導(dǎo)電區(qū)域和所述第十六導(dǎo)電區(qū)域之間延伸并且與所述第十五導(dǎo)電區(qū)域和所述第十六導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中第十八區(qū)域與第十三區(qū)域交疊；以及高阻抗表面(HIS)，其設(shè)置在所述基板上并且基本上包圍天線陣列。[0017]以上較寬泛地概括本發(fā)明的特征和技術(shù)優(yōu)點(diǎn)，從而使得下文關(guān)于本發(fā)明的詳細(xì)描述可以被更好地理解。下文將描述本發(fā)明的附加特征和優(yōu)點(diǎn)，其形成本發(fā)明所要求保護(hù)的主題。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解所公開的概念和【具體實(shí)施方式】可以容易地作為修改或者設(shè)計(jì)用于實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的相同目的的其它結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)。本領(lǐng)域技術(shù)人員還應(yīng)理解這種等同構(gòu)造不背離所附權(quán)利要求中闡述的本發(fā)明的精神和范圍。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]參照附圖描述示例性實(shí)施方式，其中:
[0019]圖1是根據(jù)一個(gè)優(yōu)選示例性實(shí)施方式的系統(tǒng)；
[0020]圖2是圖1的天線封裝件的平面圖；
[0021]圖3是圖2的天線的底部電介質(zhì)層的平面圖；
[0022]圖4是沿著圖2的1-1截面線所取的截面圖；
[0023]圖5、圖7、圖9和圖11是用于圖2的天線的金屬化層的平面圖；
[0024]圖6、圖8、圖10和圖12是分別沿著圖5、圖7、圖9和圖11的截面線11-11、II1-1I1、IV-1V和V-V截取的截面圖；以及
[0025]圖13是描繪圖2的天線的輻射方向圖的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0026]圖1示出系統(tǒng)100的一種示例性實(shí)施方式。系統(tǒng)100總體上包括印刷電路板(PCB)102、天線封裝件104和集成電路(IC) 106。IC106總體上包括射頻(RF)電路。例如，IC106能夠是太赫茲相控陣列系統(tǒng)，其包括多個(gè)收發(fā)器。這種IC的一個(gè)示例能夠在2010年9月9日提交的題為“Terahertz Phased Array System (太赫茲相控陣列系統(tǒng))”的共同待決的美國專利申請序列號12/878484中看到，在此通過引用并入。IC106接著被固定到天線封裝件104從而允許每個(gè)收發(fā)器(例如)與包括在天線封裝件104上的天線通信。通常，IC106具有覆蓋IC106的保護(hù)性外殼406，包括金屬化層404和IC基板402 (如圖4、圖6、圖8、圖10和圖12所示)，并且柱狀凸起302-1到302-20 (能夠在圖3、圖4、圖6、圖8、圖10和圖12中看到)固定在IC106和天線封裝件104之間。然后天線封裝件104能夠固定到PCB102(其通常由通過焊料球108彼此固定的焊盤實(shí)現(xiàn))。通過使用這種設(shè)置，能夠減少串?dāng)_和損耗。
[0027]圖2更詳細(xì)地示出天線封裝件104的示例。如圖所示，天線封裝件包括相控陣列204，其基本上由高阻抗表面(HIS)包圍。此類HIS的示例能夠在2011年5月26日提交的題為“High Impedance Surface (高阻抗表面)”的美國專利申請序列號13/116885中看到，且在此處為了所有目的而通過引用并入。并且，如圖所示，相控陣列204包括天線206-1到206-4，但是任何其它數(shù)量的天線是可能的。這個(gè)相控陣列204能夠接著用于引導(dǎo)輻射束。
[0028]圖3-圖12圖示天線206-1到206_4 (在下文標(biāo)記為206)的每個(gè)的結(jié)構(gòu)的示例。天線206能夠(例如)被配置為在160GHz工作。對于這個(gè)示例，操作頻率，天線占據(jù)的面積(如圖3-圖12所示)能夠是1020 μ mxl020 μ m,并且天線封裝件106的“核心”能夠是封裝基板420 (例如，其能夠具有約160 μ m的厚度)，并且這個(gè)封裝基板420也能夠由具有高彈性模量和低熱膨脹系數(shù)的聚合物形成并且能夠具有高彈性模量和低熱膨脹系數(shù)。其示例能是MCL-E679GT(其可從Hitachi Chemical C0.America, Ltd.公司購買)。能夠接著在封裝基板402上形成不同材料層。
[0029]在封裝基板402的下面(即，在封裝基板402和IC106之間)，形成電介質(zhì)層414。如圖3和圖4所示，電介質(zhì)層414 (能夠被稱為底部電介質(zhì)層)能夠由，例如由具有約10 μ m厚度的聚酰亞胺形成。柱狀凸起302-1到302-20延伸通過電介質(zhì)層并且能夠由，例如，由具有金-鎳接觸層410的金形成。如圖所示，柱狀凸起302-5到302-20沿著天線206的周邊排列(彼此隔開，例如，約200 μ m)，而柱狀凸起302-1到302-4關(guān)于天線206的中心對稱排列并且彼此隔開(例如)約220 μ m。附加地，柱狀凸起302-1和302-2通常耦合到IC106內(nèi)的對應(yīng)的RF收發(fā)器的差分饋電端子，而柱狀凸起302-3和302-4通常耦合到地。
[0030]金屬化層416 (如圖5和圖6所示)也形成在電介質(zhì)層414和封裝基板420之間，其中該金屬化層416能夠(例如)由鋁或者銅形成，具有約17 μ m的厚度。如圖所示，金屬化層416具有導(dǎo)電區(qū)域504 (其能夠?yàn)椋缂s180 μ m寬)包圍窗口區(qū)域502并且具有在窗口區(qū)域502內(nèi)的導(dǎo)電區(qū)域506-1到506-4，其通常分別與柱狀凸起302-1到302-4對準(zhǔn)。這些導(dǎo)電區(qū)域506-1到506-4(例如)大致是圓形的，具有約100 μ m的直徑。封裝基板402還包括通孔418-1到418-20 (其大致與導(dǎo)電區(qū)域504和柱狀凸起302-1到302-20對準(zhǔn)并且與導(dǎo)電區(qū)域504和柱狀凸起302-1到302-20電接觸。通常，在天線封裝件104的制造中，金屬化層416初始地形成在封裝基板402下面，并且電介質(zhì)層414形成在金屬化層416上，并且在IC106和天線封裝件104的組裝期間，還能夠在IC106和電介質(zhì)層414 (其能夠是，例如，具有約3.2C/V*m的介電常數(shù)和0.011S/m的電導(dǎo)率)之間形成底部填充層412。這個(gè)底部填充層412能夠是在組裝之前施加的膜或者能夠由底部填充化合物的注射來形成。
[0031]圖7和圖8示出金屬化層422。這個(gè)金屬化層422 (類似于金屬化層416)具有大致包圍窗口區(qū)域602 (窗口區(qū)域602能夠與窗口區(qū)域502大致對準(zhǔn))的導(dǎo)電區(qū)域604，并且這個(gè)金屬化層422能夠(例如)由鋁或者銅形成，具有約17 μ m的厚度。在窗口區(qū)域602內(nèi)，存在導(dǎo)電區(qū)域606-1到606-4，其分別與通孔418-1到418-4大致對準(zhǔn)，并通過通孔418-1到418-4分別與導(dǎo)電區(qū)域506-1到506-4電接觸。這些導(dǎo)電區(qū)域606-1到606-4的每個(gè)還能夠(例如)通常是圓形，具有約180 μ m的直徑。
[0032]在圖9和圖10圖示金屬化層428。這個(gè)金屬化層428 (例如，其能夠由鋁或者銅形成，具有約17 μ m的厚度)具有導(dǎo)電區(qū)域704 (其能夠具有約180 μ m的寬度)，其大致包圍窗口區(qū)域702并具有在窗口區(qū)域702內(nèi)的導(dǎo)電區(qū)域706-1到706-5。電介質(zhì)層426 (例如，其能夠是聚酰亞胺膜，具有約20 μ m的厚度)隔開金屬化層422和428，其中通孔424-1到424-20延伸穿過電介質(zhì)層426。導(dǎo)電區(qū)域706-1到706-4還能夠(例如)大致為圓形，具有約180 μ m的直徑，其分別與導(dǎo)電區(qū)域606-1到606-4和通孔424-1到424-4對準(zhǔn)。另外，導(dǎo)電區(qū)域706-5 (例如，其能夠約60 μ m寬)在導(dǎo)電區(qū)域706-1和706-4之間延伸并且與導(dǎo)電區(qū)域706-1和706-4電接觸，以在來自IC106中的RF收發(fā)器的一個(gè)饋電端子(即，通過柱狀凸起302-1)和地(B卩，通過柱狀凸起302-4)之間形成連接。
[0033]圖11和圖12圖示金屬化層434。如與另一個(gè)金屬化層(即，422)類似，金屬化層434具有導(dǎo)電區(qū)域804 (其能夠，例如180 μ m寬，并且例如，17 μ m厚)，其大致包圍窗口區(qū)域802并且通過通孔430-5到430-20與導(dǎo)電區(qū)域704電接觸。金屬化層434還包括導(dǎo)電區(qū)域806-1到806-4 (其能夠，例如大致是圓形的，并且具有約100 μ m的直徑)，其大致分別與導(dǎo)電區(qū)域706-1到706-4對準(zhǔn)，并且通過通孔430-1到430-4分別與導(dǎo)電區(qū)域706-1到706-4電接觸。還存在導(dǎo)電區(qū)域806-5，其在導(dǎo)電區(qū)域806-2和806-3之間延伸并且與導(dǎo)電區(qū)域806-2和806-3電接觸，以在來自IC106中的RF收發(fā)器的一個(gè)饋電端子(即，通過柱狀凸起302-1)和地(B卩，通過柱狀凸起302-4)之間形成連接。由于導(dǎo)電區(qū)域806-5和706-5的方向，導(dǎo)電區(qū)域806-5與導(dǎo)電區(qū)域706-5交疊以用于“交叉環(huán)形”。
[0034]通過使用這個(gè)結(jié)構(gòu)，例如，以產(chǎn)生160GHz的輻射，能夠產(chǎn)生圖13所示的輻射方向圖。如在這個(gè)示例中所示的，存在具有5.2dBi的指向性、4.0dBi的增益和76%的效率的寬波束。另外，由于系統(tǒng)100的設(shè)置，輻射傳播遠(yuǎn)離PCB102，使得來自PCB跡線的寄生輻射和干擾減少，并且通過改變輸入信號的相位，環(huán)形天線(即，天線206)能夠產(chǎn)生圓形極化?！巴妆凇?其通常由通孔418-5到418-20,424-5到424-20以及430-5到430-20形成)通過減少表面波也提高輻射效率。另外，天線封裝件104和IC106中的金屬層能夠用于形成反射器和導(dǎo)引器從而增加天線增益。
[0035]本發(fā)明所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識到在要求保護(hù)的本發(fā)明的范圍內(nèi)，可以對所描述的示例性實(shí)施方式進(jìn)行修改，并且可能有很多其它的實(shí)施方式。
【權(quán)利要求】
1.一種設(shè)備，其包括:、 基板，所述基板具有第一端子、第二端子、第三端子和第四端子； 第一金屬化層，其設(shè)置在所述基板上，其中所述第一金屬化層包括: 第一窗口區(qū)域； 第一導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第一端子上并且與所述第一端子電接觸，其中所述第一導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第一導(dǎo)電區(qū)域位于所述第一窗口區(qū)域內(nèi)； 第二導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第二端子上并且與所述第二端子電接觸，其中所述第二導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第一導(dǎo)電區(qū)域位于所述第一窗口區(qū)域內(nèi)； 第三導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第三端子上并且與所述第三端子電接觸，其中所述第三導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第三導(dǎo)電區(qū)域位于所述第一窗口區(qū)域內(nèi)；和 第四導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第四端子上并且與所述第四端子電接觸，其中所述第四導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第四導(dǎo)電區(qū)域位于所述第一窗口區(qū)域內(nèi)； 第二金屬化層，其設(shè)置在所述第一金屬化層上，其中所述第二金屬化層包括: 第二窗口區(qū)域，與所述第一窗口區(qū)域大致對準(zhǔn)； 第五導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第一導(dǎo)電區(qū)域上并且與所述第一導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中所述第五導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第五導(dǎo)電區(qū)域位于所述第二窗口區(qū)域內(nèi)； 第六導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第二導(dǎo)電區(qū)域上并且與所述第二導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中所述第六導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第六導(dǎo)電區(qū)域位于所述第二窗口區(qū)域內(nèi)；第七導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第三導(dǎo)電區(qū)域上并且與所述第三導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中所述第七導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第七導(dǎo)電區(qū)域位于所述第二窗口區(qū)域內(nèi)；第八導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第四導(dǎo)電區(qū)域上并且與所述第四導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中所述第八導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第四導(dǎo)電區(qū)域位于所述第二窗口區(qū)域內(nèi)；和第九導(dǎo)電區(qū)域，其在所述第五導(dǎo)電區(qū)域和所述第八導(dǎo)電區(qū)域之間延伸并且與所述第五導(dǎo)電區(qū)域和所述第八導(dǎo)電區(qū)域電接觸；和 第三金屬化層，其設(shè)置在所述第二金屬化層上，其中所述第三金屬化層包括: 第三窗口區(qū)域，其與所述第二窗口區(qū)域大致對準(zhǔn)； 第十導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第五導(dǎo)電區(qū)域上并且與所述第五導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中所述第十導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第十導(dǎo)電區(qū)域位于所述第三窗口區(qū)域內(nèi)；第十一導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第六導(dǎo)電區(qū)域上并且與所述第六導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中所述第十一導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第十一導(dǎo)電區(qū)域位于所述第三窗口區(qū)域內(nèi)； 第十二導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第七導(dǎo)電區(qū)域上并且與所述第七導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中所述第十二導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第十二導(dǎo)電區(qū)域位于所述第三窗口區(qū)域內(nèi)； 第十三導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第八導(dǎo)電區(qū)域上并且與所述第八導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中所述第十三導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第十三導(dǎo)電區(qū)域位于所述第三窗口區(qū)域內(nèi)；和 第十四導(dǎo)電區(qū)域，其在所述第十一導(dǎo)電區(qū)域和所述第十二導(dǎo)電區(qū)域之間延伸并且與所述第十一導(dǎo)電區(qū)域和所述第十二導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中所述第十四區(qū)域與第九區(qū)域交疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述第一窗口區(qū)域、第二窗口區(qū)域和第三窗口區(qū)域大致為矩形。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中所述設(shè)備進(jìn)一步包括: 第一通孔集合，其中來自所述第一通孔集合的每個(gè)通孔在所述第一導(dǎo)電區(qū)域和所述第五導(dǎo)電區(qū)域、所述第二導(dǎo)電區(qū)域和所述第六導(dǎo)電區(qū)域、所述第三導(dǎo)電區(qū)域和所述第七導(dǎo)電區(qū)域、以及所述第四導(dǎo)電區(qū)域和所述第八導(dǎo)電區(qū)域中的至少一個(gè)之間延伸；和 第二通孔集合，其中來自所述通孔第二集合的每個(gè)通孔在所述第十導(dǎo)電區(qū)域和所述第五導(dǎo)電區(qū)域、所述第十一導(dǎo)電區(qū)域和所述第六導(dǎo)電區(qū)域、所述第十二導(dǎo)電區(qū)域和所述第七導(dǎo)電區(qū)域、以及所述第十三導(dǎo)電區(qū)域和所述第八導(dǎo)電區(qū)域中的至少一個(gè)之間延伸。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其中所述基板進(jìn)一步包括多個(gè)邊界端子，并且其中所述第一金屬化層進(jìn)一步包括:第十五導(dǎo)電區(qū)域，其基本上包圍所述第一窗口區(qū)域并且與所述邊界端子電接觸，并且其中所述第二金屬化層進(jìn)一步包括:第十六導(dǎo)電區(qū)域，其基本上包圍所述第二窗口區(qū)域并且與所述第十五導(dǎo)電區(qū)域電接觸，并且其中所述第三金屬化層進(jìn)一步包括:第十七導(dǎo)電區(qū)域，其基本上包圍所述第三窗口區(qū)域并且與所述第十六導(dǎo)電區(qū)域電接觸。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其中，所述設(shè)備進(jìn)一步包括: 第三通孔集合，其中來自所述第三通孔集合的每個(gè)通孔在所述第十五導(dǎo)電區(qū)域和所述第十六導(dǎo)電區(qū)域之間延伸；和 第四通孔集合，其中來自所述第四通孔集合的每個(gè)通孔在所述第十六導(dǎo)電區(qū)域和所述第十七導(dǎo)電區(qū)域之間延伸。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其中，所述第一端子和第二端子耦接到地。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其中，所述第一端子、所述第二端子、所述第三端子和所述第四端子是柱狀凸起。
8.—種設(shè)備,其包括: 集成電路，即1C，所述IC包括: 射頻電路，即RF電路； 耦接到所述RF電路的柱狀凸起； 耦接到所述RF電路的第二柱狀凸起； 耦接到所述RF電路并且耦接到地的第三柱狀凸起； 耦接到所述RF電路并且耦接到地的第四柱狀凸起；和 天線封裝件，其具有: 電介質(zhì)層，其中第一柱狀凸起、所述第二柱狀凸起、所述第三柱狀凸起和所述第四柱狀凸起延伸通過所述電介質(zhì)層； 底部填充層，其設(shè)置在所述電介質(zhì)層和所述IC之間； 第一金屬化層，其設(shè)置在基板上，其中所述第一金屬化層包括: 第一窗口區(qū)域； 第一導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第一柱狀凸起上并且與所述第一柱狀凸起電接觸，其中所述第一導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第一導(dǎo)電區(qū)域位于所述第一窗口區(qū)域內(nèi)；第二導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第二柱狀凸起上并且與所述第二柱狀凸起電接觸，其中所述第二導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第一導(dǎo)電區(qū)域位于所述第一窗口區(qū)域內(nèi)； 第三導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第三柱狀凸起上并且與所述第三柱狀凸起電接觸，其中所述第三導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第三導(dǎo)電區(qū)域位于所述第一窗口區(qū)域內(nèi)；和第四導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第四柱狀凸起上并且與所述第四柱狀凸起電接觸，其中所述第四導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第四導(dǎo)電區(qū)域位于所述第一窗口區(qū)域內(nèi)； 封裝基板； 第二金屬化層，其設(shè)置在所述封裝基板上，其中所述第一金屬化層包括: 第二窗口區(qū)域，其與所述第一窗口區(qū)域大致對準(zhǔn)； 第五導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第一導(dǎo)電區(qū)域上并且與所述第一導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中所述第五導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第五導(dǎo)電區(qū)域位于所述第二窗口區(qū)域內(nèi)； 第六導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第二導(dǎo)電區(qū)域上并且與所述第二導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中所述第六導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第六導(dǎo)電區(qū)域位于所述第二窗口區(qū)域內(nèi)；第七導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第三導(dǎo)電區(qū)域上并且與所述第三導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中所述第七導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第七導(dǎo)電區(qū)域位于所述第二窗口區(qū)域內(nèi)；和第八導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第四導(dǎo)電區(qū)域上并且與所述第四導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中所述第八導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第八導(dǎo)電區(qū)域位于所述第二窗口區(qū)域內(nèi)；和通孔集合，其中來自所述通孔集合的每個(gè)通孔延伸通過在所述第一導(dǎo)電區(qū)域和所述第五導(dǎo)電區(qū)域、所述第二導(dǎo)電區(qū)域和所述第六導(dǎo)電區(qū)域、所述第三導(dǎo)電區(qū)域和所述第七導(dǎo)電區(qū)域、以及所述第四導(dǎo)電區(qū)域和所述第八導(dǎo)電區(qū)域中的至少一個(gè)之間的所述封裝基板；第二金屬化層，其設(shè)置在所述第一金屬化層上，其中所述第二金屬化層包括: 第三窗口區(qū)域，其與所述第二窗口區(qū)域大致對準(zhǔn)； 第九導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第五導(dǎo)電區(qū)域上并且與所述第五導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中所述第九導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第九導(dǎo)電區(qū)域位于所述第三窗口區(qū)域內(nèi)；第十導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第六導(dǎo)電區(qū)域上并且與所述第六導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中所述第十導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第十導(dǎo)電區(qū)域位于所述第三窗口區(qū)域內(nèi)；第十一導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第七導(dǎo)電區(qū)域上并且與所述第七導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中所述第十一導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第十一導(dǎo)電區(qū)域位于所述第三窗口區(qū)域內(nèi)； 第十二導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第八導(dǎo)電區(qū)域上并且與所述第八導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中所述第十二導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第十二導(dǎo)電區(qū)域位于所述第三窗口區(qū)域內(nèi)；和 第十三導(dǎo)電區(qū)域，其在所述第九導(dǎo)電區(qū)域和所述第十二導(dǎo)電區(qū)域之間延伸并且與所述第九導(dǎo)電區(qū)域和所述第十二導(dǎo)電區(qū)域電接觸；和 第三金屬化層，其設(shè)置在所述第二金屬化層上，其中所述第三金屬化層包括: 第四窗口區(qū)域，其與所述第三窗口區(qū)域大致對準(zhǔn)； 第十四導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第九導(dǎo)電區(qū)域上并且與所述第九導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中所述第十四導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第十四導(dǎo)電區(qū)域位于所述第四窗口區(qū)域內(nèi)； 第十五導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第十導(dǎo)電區(qū)域上并且與所述第十導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中所述第十五導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第十五導(dǎo)電區(qū)域位于所述第四窗口區(qū)域內(nèi)； 第十六導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第十一導(dǎo)電區(qū)域上并且與所述第十一導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中所述第十六導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第十六導(dǎo)電區(qū)域位于所述第四窗口區(qū)域內(nèi)； 第十七導(dǎo)電區(qū)域，其設(shè)置在所述第十二導(dǎo)電區(qū)域上并且與所述第十二導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中所述第十六導(dǎo)電區(qū)域大致為圓形，并且其中所述第十六導(dǎo)電區(qū)域位于所述第四窗口區(qū)域內(nèi)；和 第十八導(dǎo)電區(qū)域，其在所述第十五導(dǎo)電區(qū)域和所述第十六導(dǎo)電區(qū)域之間延伸并且與所述第十五導(dǎo)電區(qū)域和所述第十六導(dǎo)電區(qū)域電接觸，其中第十八區(qū)域與第十三區(qū)域交疊。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中所述第一窗口區(qū)域、所述第二窗口區(qū)域、所述第三窗口區(qū)域和所述第四窗口區(qū)域大致為矩形。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中所述通孔集合進(jìn)一步包括第一通孔集合，并且其中所述天線封裝件進(jìn)一步包括: 第二通孔集合，其中來自所述第二通孔集合的每個(gè)通孔在所述第九導(dǎo)電區(qū)域和所述第五導(dǎo)電區(qū)域、所述第十導(dǎo)電區(qū)域和所述第六導(dǎo)電區(qū)域、所述第十一導(dǎo)電區(qū)域和所述第七導(dǎo)電區(qū)域、以及所述第十二導(dǎo)電區(qū)域和所述第八導(dǎo)電區(qū)域中的至少一個(gè)之間延伸；和 第三通孔集合，其中來自所述第三通孔集合的每個(gè)通孔在所述第九導(dǎo)電區(qū)域和所述第十四導(dǎo)電區(qū)域、所述第十導(dǎo)電區(qū)域和所述第十五導(dǎo)電區(qū)域、所述第十一導(dǎo)電區(qū)域和所述第十六導(dǎo)電區(qū)域、以及所述第十二導(dǎo)電區(qū)域和所述第十七導(dǎo)電區(qū)域中的至少一個(gè)之間延伸。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中所述IC進(jìn)一步包括多個(gè)邊界柱狀凸起，并且其中所述第一金屬化層進(jìn)一步包括:第十九導(dǎo)電區(qū)域，其基本上包圍所述第一窗口區(qū)域并且與所述邊界柱狀凸起電接觸，并且其中所述第二金屬化層進(jìn)一步包括:第二十導(dǎo)電區(qū)域，其基本上包圍所述第二窗口區(qū)域并且與所述第十九導(dǎo)電區(qū)域電接觸，并且其中所述第三金屬化層進(jìn)一步包括:第二十一導(dǎo)電區(qū)域，其基本上包圍所述第三窗口區(qū)域并且與所述第二十導(dǎo)電區(qū)域電接觸。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備，其中所述天線封裝件進(jìn)一步包括: 第四通孔集合，其中來自所述第四通孔集合的每個(gè)通孔在所述第十九導(dǎo)電區(qū)域和所述第二十導(dǎo)電區(qū)域之間延伸；和 第五通孔集合，其中來自所述第五通孔集合的每個(gè)通孔在所述第二十導(dǎo)電區(qū)域和所述第二 H^一導(dǎo)電區(qū)域之間延伸。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其中所述第一金屬化層、所述第二金屬化層、所述第三金屬化層和第四金屬化層由銅或鋁形成，并且其中所述電介質(zhì)層由聚酰亞胺形成，并且其中所述第一柱狀凸起、所述第二柱狀凸起、所述第三柱狀凸起、所述第四柱狀凸起和所述邊界柱狀凸起由具有金-鎳鍍層的金形成。
【文檔編號】H01Q7/00GK103733429SQ201280037483
【公開日】2014年4月16日 申請日期:2012年7月26日 優(yōu)先權(quán)日:2011年7月26日
【發(fā)明者】E·石, S·拉馬斯瓦米, B·P·金斯伯格, V·B·倫塔拉, B·哈龍 申請人:德克薩斯儀器股份有限公司