技術特征：

1.一種LED電極結構的去除方法，所述LED電極結構包括藍寶石襯底層、N型氮化鎵、P型氮化鎵層、保護層、金屬電極層，保護層為二氧化硅保護層，金屬電極層由下至上依次設有金屬鉻層、金屬鋁層、混合金屬層，混合金屬層為各種金屬疊加制作而成，其特征在于，具體步驟包括：

(1)超聲處理：將待清洗的LED電極結構放置在盛有清水的容器內進行超聲波超聲；

(2)去保護層清洗：將步驟(1)超聲處理后的LED電極結構置于氫氟酸溶液中腐蝕清洗；

(3)去金屬電極層清洗：將步驟(2)處理后的LED電極結構置于鹽酸與雙氧水的混合溶液中腐蝕清洗，鹽酸與雙氧水的混合溶液中，鹽酸與雙氧水的質量體積比為(1:2)—(1:5)；

(4)清洗：將步驟(3)處理后的LED電極結構清洗；

(5)吹干：將步驟(4)處理后的LED電極結構吹干。

2.根據(jù)權利要求1所述的一種LED電極結構的去除方法，其特征在于，所述步驟(3)中，鹽酸與雙氧水的混合溶液中，所述鹽酸的質量分數(shù)為36-38％，所述鹽酸的密度為1.10-1.25g/ml；所述雙氧水的質量濃度為30-32％，所述雙氧水的密度為1.11—1.13g/ml。

3.根據(jù)權利要求1所述的一種LED電極結構的去除方法，其特征在于，所述步驟(2)中，氫氟酸溶液中，氫氟酸的質量濃度為39-41％，氫氟酸的密度為1.08—1.12g/ml。

4.根據(jù)權利要求1所述的一種LED電極結構的去除方法，其特征在于，所述步驟(4)中，將步驟(3)腐蝕完成的電極晶片通過去離子水噴淋、下給水并通氮氣的方式清洗5-15min，所述氮氣純度大于等于99.999％，所述氮氣的壓力為0.1-0.3MPa。

5.根據(jù)權利要求4所述的一種LED電極結構的去除方法，其特征在于，所述氮氣為5N氮氣。

6.根據(jù)權利要求1所述的一種LED電極結構的去除方法，其特征在于，所述步驟(5)中，將步驟(4)處理后的LED電極結構通過甩干機旋干或者使用氮氣吹干。

7.根據(jù)權利要求1所述的一種LED電極結構的去除方法，其特征在于，所述步驟(3)中，將步驟(2)處理后的LED電極結構置于鹽酸與雙氧水的混合溶液中腐蝕清洗5-20min。

8.根據(jù)權利要求1所述的一種LED電極結構的去除方法，其特征在于，所述步驟(1)中，所述超聲波的頻率為30-70KHz；進一步優(yōu)選的，所述超聲波的頻率為50KHz。

9.根據(jù)權利要求1任一所述的一種LED電極結構的去除方法，其特征在于，所述步驟(2)中，將步驟(1)超聲處理后的LED電極結構置于氫氟酸溶液中腐蝕清洗2-15min。

10.根據(jù)權利要求1-9任一所述的一種LED電極結構的去除方法，其特征在于，所述金屬鉻層的厚度小于所述金屬鋁層的厚度大于等于