技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及保護導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的獨特雙層蝕刻停止及其使用方法，包括，但不限于，在由氮化鈦所構(gòu)成的導(dǎo)電接觸部上方形成雙層蝕刻停止層，雙層蝕刻停止層是由氮化鋁制成的上第二層所組成，本方法包括在第二絕緣材料層上方形成由一層氮化鈦所構(gòu)成的圖案化蝕刻遮罩，在雙層蝕刻停止層在導(dǎo)電接觸部上方就位的情況下，經(jīng)由圖案化蝕刻遮罩進行蝕刻制程以在第二絕緣材料層中界定凹穴，進行第二蝕刻制程以移除圖案化蝕刻遮罩的至少此層氮化鈦，在雙層蝕刻停止層中形成開口以便從而曝露導(dǎo)電接觸部的一部分，以及形成導(dǎo)電性耦合至導(dǎo)電接觸部的經(jīng)曝露部分的在凹穴中的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。

技術(shù)研發(fā)人員：A·S·馬哈林甘;A·錢德拉謝卡爾;C·蔡爾德
受保護的技術(shù)使用者：格羅方德半導(dǎo)體公司
文檔號碼：201610423709
技術(shù)研發(fā)日：2016.06.15
技術(shù)公布日：2016.12.28