本發(fā)明是關(guān)于一種自動(dòng)化處理方法。

背景技術(shù)：

為了使發(fā)光二極管芯片發(fā)出特定光線，制造者在制造出發(fā)光二極管芯片后，會(huì)對(duì)發(fā)光二極管芯片的表面噴涂熒光粉，以利用混光的效果使發(fā)光二極管芯片發(fā)出所需光線。舉例來說，欲使發(fā)光二極管芯片發(fā)出白光時(shí)，制造者通常先制造出藍(lán)光發(fā)光二極管芯片，再對(duì)藍(lán)光發(fā)光二極管芯片噴涂黃色熒光粉，以使藍(lán)光二極管芯片能夠發(fā)出白光。

一般來說，發(fā)光二極管芯片的處理模塊包含噴涂、烘烤與冷卻等處理站。在不同的處理站之間，必須人工地搬運(yùn)發(fā)光二極管芯片的承載盤至下一處理站。若欲對(duì)多個(gè)承載盤分別進(jìn)行噴涂、烘烤與冷卻處理，則工作人員必須依序地搬運(yùn)各個(gè)承載盤，效率有限。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明的一目的在于提供一種自動(dòng)化處理方法，其可提升位于處理模塊內(nèi)的基材數(shù)量，而提高處理效率。

為了達(dá)到上述目的，依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施方式，一種自動(dòng)化處理方法包含以下步驟。將一第一基材從一第一處理站移動(dòng)至一第二處理站。當(dāng)?shù)谝换碾x開第一處理站后，將一第二基材移動(dòng)至第一處理站。當(dāng)?shù)谝换奈挥诘诙幚碚緯r(shí)，將第二基材移出第一處理站外，其中在將第二基材移出第一處理站外的過程中，第二基材會(huì)經(jīng)過第一基材的上方或下方。

于部分實(shí)施方式中，將第一基材移動(dòng)至第二處理站以及將第二基材移出該第一處理站外包含：利用一取出裝置將第一基材移出第一處理站外；利用一升降裝置將取出裝置上的第一基材抬升至第二處理站；以及利用取出裝置將位于第一處理站的第二基材，經(jīng)過第一基材下方移動(dòng)至一緩沖位置。

于部分實(shí)施方式中，取出裝置移動(dòng)第一基材的一路徑與取出裝置移動(dòng)第二基材的一路徑是重疊的，且這些路徑位于第二處理站下方。

于部分實(shí)施方式中，取出裝置水平地移動(dòng)第一基材與第二基材。

于部分實(shí)施方式中，自動(dòng)化處理方法還包含將第一基材從第二處理站移動(dòng)至一第三處理站；以及當(dāng)?shù)谝换碾x開第二處理站時(shí)，將第二基材移動(dòng)至第二處理站。

于部分實(shí)施方式中，將第一基材移動(dòng)至第三處理站以及將第二基材移動(dòng)至第二處理站包含：利用一升降裝置下降位于第二處理站的第一基材；取走升降裝置上的第一基材并移動(dòng)至第三處理站；將第二基材移動(dòng)至升降裝置上方；以及利用升降裝置將第二基材抬升至第二處理站。

于部分實(shí)施方式中，自動(dòng)化處理方法還包含當(dāng)?shù)诙碾x開第一處理站后，將一第三基材移動(dòng)至第一處理站；將第一基材從第二處理站移動(dòng)至一第三處理站；當(dāng)?shù)谝换碾x開第二處理站時(shí)，將第二基材移動(dòng)至第二處理站；以及當(dāng)?shù)诙奈挥诘诙幚碚緯r(shí)，將第三基材移出第一處理站外，其中在將第三基材移出第一處理站外的過程中，第三基材會(huì)經(jīng)過第二基材的上方或下方。

于部分實(shí)施方式中，將第二基材移動(dòng)至第二處理站以及將第三基材移出第一處理站外包含：利用一取出裝置將第二基材從第一處理站移動(dòng)至一緩沖位置，緩沖位置不位于第二處理站與升降裝置之間；利用取出裝置將第二基材從緩沖位置移動(dòng)至一升降裝置上方；利用升降裝置將取出裝置上的第二基材抬升至第二處理站；以及利用取出裝置將位于第一處理站的第三基材，經(jīng)過第二基材下方移動(dòng)至緩沖位置。

于部分實(shí)施方式中，自動(dòng)化處理方法還包含將第一基材從第三處理站移開；當(dāng)?shù)谝换碾x開第三處理站后，將第二基材從第二處理站移動(dòng)至第三處理站；以及當(dāng)?shù)诙碾x開第二處理站時(shí)，將第三基材移動(dòng)至第二處理站。

于部分實(shí)施方式中，將第二基材移動(dòng)至第三處理站以及將第三基材移動(dòng)至第二處理站包含：利用一升降裝置下降位于第二處理站的第二基材；取走升降裝置上的第二基材并移動(dòng)至第三處理站；將第三基材移動(dòng)至升降裝置上方；以及利用升降裝置將第三基材抬升至第二處理站。

于部分實(shí)施方式中，自動(dòng)化處理方法還包含當(dāng)?shù)谌碾x開第一處理站后，將一第四基材移動(dòng)至第一處理站。

于上述實(shí)施方式中，由于當(dāng)?shù)谝换奈挥诘诙幚碚緯r(shí)，第二基材可從第一基材的上方或下方離開第一處理站，故第一處理站可空出來，而供一第三基材進(jìn)入第一處理站進(jìn)行處理。因此，上述實(shí)施方式可增加位于處理模塊內(nèi)的基材數(shù)量，而提高制造效率。

以上所述僅用以闡述本發(fā)明所欲解決的問題、解決問題的技術(shù)手段、及其產(chǎn)生的功效等等，本發(fā)明的具體細(xì)節(jié)將在下文的實(shí)施方式及相關(guān)圖式中詳細(xì)介紹。

附圖說明

為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征、優(yōu)點(diǎn)與實(shí)施例能更明顯易懂，所附圖式的說明如下：

圖1是依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的用來執(zhí)行自動(dòng)化處理方法的處理模塊外觀立體圖；

圖2是圖1的后處理模塊由一視角觀之的內(nèi)部立體圖；

圖3是圖1所示的后處理模塊由另一視角觀之的內(nèi)部立體圖；以及

圖4A至圖4S是依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的自動(dòng)化處理方法的分解步驟示意圖。

附圖標(biāo)號(hào)

10：后處理模塊

100：第一處理站

110：噴涂室

120：輸送裝置

200：第二處理站

210：加熱口

300：第三處理站

400：載入裝置

410：下層軌道

420：中層軌道

430：上層軌道

500：取出裝置

510：下層軌道

520：中層軌道

530：上層軌道

600：升降裝置

700：移動(dòng)裝置

710：承載臂

720：軌道

800：阻熱蓋

A：基材

A1：第一基材

A2：第二基材

A3：第三基材

A4：第四基材

L：發(fā)光二極管芯片

X、Y、Z：坐標(biāo)軸

D1-D5：

具體實(shí)施方式

以下將以圖式揭露本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施方式，為明確說明起見，許多實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)將在以下敘述中一并說明。然而，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)了解到，在本發(fā)明部分實(shí)施方式中，這些實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)并非必要的，因此不應(yīng)用以限制本發(fā)明。此外，為簡化圖式起見，一些已知慣用的結(jié)構(gòu)與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。

圖1是依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的用來執(zhí)行自動(dòng)化處理方法的處理模塊外觀立體圖。如圖1所示，自動(dòng)化處理模塊包含第一處理站100與后處理模塊10，后處理模塊10位于第一處理站100旁，以對(duì)第一處理站100處理過后的基材進(jìn)行后處理。圖2是圖1的后處理模塊10由一視角觀之的內(nèi)部立體圖。圖3是圖1所示的后處理模塊10由另一視角觀之的內(nèi)部立體圖。如圖2及圖3所示，后處理模塊10包含第二處理站200以及第三處理站300，以依序?qū)淖霾煌奶幚?。舉例來說，第一處理站100可為噴涂裝置，第二處理站200可為烘烤裝置，而第三處理站300可為冷卻裝置。藉此，當(dāng)應(yīng)用于發(fā)光二極管芯片的熒光粉噴涂作業(yè)時(shí)，第一處理站100可將熒光粉噴涂至基材A的發(fā)光二極管芯片L上，第二處理站200可烘烤噴有熒光粉的基材A，而第三處理站300可冷卻烘烤后的基材A。

于本實(shí)施方式中，如圖2及圖3所示，后處理模塊10可包含載入裝置400、取出裝置500、升降裝置600與移動(dòng)裝置700。載入裝置400用以將基材A移動(dòng)至第一處理站100，以供第一處理站100對(duì)基材A進(jìn)行噴涂作業(yè)。取出裝置500用以將第一處理站100中已噴涂的基材A移出第一處理站100外。升降裝置600用以將取出裝置500上的基材A抬升至第二處理站200，以進(jìn)行烘烤作業(yè)。移動(dòng)裝置700用以將烘烤后的基材A移動(dòng)至第三處理站300進(jìn)行冷卻作業(yè)。

于部分實(shí)施方式中，載入裝置400是可伸縮的，以伸入第一處理站100中，或退縮出第一處理站100外。具體來說，載入裝置400可包含下層軌道410、中層軌道420以及上層軌道430。上層軌道430疊合于中層軌道420上，且上層軌道430可相對(duì)中層軌道420而沿著X軸滑動(dòng)。中層軌道420疊合于下層軌道410上，且中層軌道420可相對(duì)下層軌道410沿著X軸滑動(dòng)。因此，上層軌道430可在中層軌道420上沿著X軸朝第一處理站100(可參閱圖1)滑動(dòng)，而中層軌道420可在下層軌道410上沿著X軸朝第一處理站100滑動(dòng)，使得載入裝置400可沿著X軸伸長而將基材A移動(dòng)至第一處理站100，并卸下基材A。當(dāng)基材A被卸除至第一處理站100后，上層軌道430可在中層軌道420上沿著X軸背離第一處理站100滑動(dòng)，而中層軌道420可在下層軌道410上沿著X軸背離第一處理站100滑動(dòng)，使得載入裝置400可縮回。

于部分實(shí)施方式中，取出裝置500是可伸縮的，以伸入第一處理站100中，或退縮出第一處理站100外。具體來說，取出裝置500可包含下層軌道510、中層軌道520以及上層軌道530。上層軌道530疊合于中層軌道520上，且上層軌道530可相對(duì)中層軌道520而沿著X軸滑動(dòng)。中層軌道520疊合于下層軌道510上，且中層軌道520可相對(duì)下層軌道510沿著X軸滑動(dòng)。因此，上層軌道530可在中層軌道520上沿著X軸朝第一處理站100(可參閱圖1)滑動(dòng)，而中層軌道520可在下層軌道510上沿著X軸朝第一處理站100滑動(dòng)，使得取出裝置500可沿著X軸伸長而進(jìn)入第一處理站100中，取起第一處理站100中的基材A。當(dāng)取起基材A后，上層軌道530可在中層軌道520上沿著X軸背離第一處理站100滑動(dòng)，而中層軌道520可在下層軌道510上沿著X軸背離第一處理站100滑動(dòng)，使得取出裝置500可縮回，而將基材A移動(dòng)至第一處理站100外。

于部分實(shí)施方式中，升降裝置600可沿著Z軸方向升降已噴涂基材A，而移動(dòng)裝置700可沿著Y軸方向移動(dòng)已噴涂基材A。如此一來，當(dāng)取出裝置500沿著X軸方向?qū)⒁褔娡炕腁移動(dòng)至第一處理站100外時(shí)，升降裝置600可沿著Z軸方向抬升已噴涂基材A至第二處理站200。當(dāng)?shù)诙幚碚?00烘烤完已噴涂基材A后，升降裝置600可沿著Z軸方向下降已噴涂基材A，而移動(dòng)裝置700可沿著Y軸方向?qū)⒁褔娡炕腁移動(dòng)至第三處理站300，以利已噴涂基材A在第三處理站300進(jìn)行冷卻作業(yè)。應(yīng)了解到，本文所述的X軸、Y軸與Z軸為相互垂直的三個(gè)卡式坐標(biāo)軸。惟采卡氏坐標(biāo)軸僅為利于讀者了解，實(shí)際上，于部分實(shí)施方式中，取出裝置500、升降裝置600與移動(dòng)裝置700移動(dòng)已噴涂基材A的路徑可不互相垂直。

于部分實(shí)施方式中，移動(dòng)裝置700可包含承載臂710與軌道720。承載臂710設(shè)置于軌道720上，并可沿著軌道720移動(dòng)。軌道720的長度方向平行于第二處理站200與第三處理站300的排列方向。如此一來，承載臂710可沿著軌道720的長度方向移動(dòng)至第二處理站200取走已噴涂基材A，再將已噴涂基材A移動(dòng)至第三處理站300。舉例來說，軌道720的長度方向平行于Y軸，且第二處理站200與第三處理站300是沿著Y軸排列的。

圖4A至圖4S是依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的自動(dòng)化處理方法的分解步驟示意圖。如圖4A所示，首先，可先將第一基材A1放置于載入裝置400上。接著，在圖4B中，載入裝置400可將第一基材A1移動(dòng)至第一處理站100。具體來說，第一處理站100可為噴涂機(jī)臺(tái)而具有噴涂室110。載入裝置400可伸長而將其承載的第一基材A1移動(dòng)至第一處理站100的噴涂室110中，并放置于第一處理站100的輸送裝置120上。接著，已卸下第一基材A1的載入裝置400可縮回第一處理站100外，而使用者可將第二基材A2放置于載入裝置400上。

接著，于圖4C中，第一處理站100可對(duì)第一基材A1(可參閱圖4B)噴涂熒光粉。噴涂室110中的輸送裝置120可將噴涂后的第一基材A1輸送至對(duì)應(yīng)取出裝置500的位置。另于圖4C中，載入裝置400可伸出而將第二基材A2移動(dòng)至第一處理站100的噴涂室110入口等待噴涂。

接著，于圖4D中，取出裝置500可伸長而進(jìn)入第一處理站100的噴涂室110中，而取起已噴涂的第一基材A1。接著，取出裝置500可縮回，而將第一基材A1移出第一處理站100外，并移動(dòng)至緩沖位置(亦即，圖4D中，第一基材A1所在的位置)。當(dāng)?shù)谝换腁1從第一處理站100移動(dòng)至緩沖位置的過程中，第一基材A1會(huì)經(jīng)過第二處理站200的下方。當(dāng)?shù)谝换腁1離開第一處理站100后，載入裝置400可伸出而將第二基材A2移動(dòng)至第一處理站100的噴涂室110中，并將第二基材A2放置于噴涂室110中的輸送裝置120上，以進(jìn)行噴涂作業(yè)。當(dāng)?shù)诙腁2被移動(dòng)至第一處理站100后，已卸下第二基材A2的載入裝置400可縮回至第一處理站100外，而供使用者放置第三基材A3。

接著，于圖4E中，取出裝置500可伸長而將第一基材A1從圖4D中的緩沖位置移動(dòng)至第二處理站200下方。舉例來說，如圖4F與圖4G所示，這兩圖是“將第一基材A1移動(dòng)至第二處理站200下方”的側(cè)視示意圖。于圖4F中，取出裝置500是呈收縮狀態(tài)的，使得第一基材A1位于緩沖位置，且此緩沖位置不位于第二處理站200下方，也不位于升降裝置600上方，亦即緩沖位置不位于第二處理站200與升降裝置600之間。于圖4G，取出裝置500可沿著箭頭D1的方向伸長，而將第一基材A1移動(dòng)至第二處理站200下方。于圖4D至圖4G所示步驟中，取出裝置500水平地移動(dòng)第一基材A1，亦即，第一基材A1可從第一處理站100水平地移動(dòng)至緩沖位置(如圖4D所示)，接著從緩沖位置水平地移動(dòng)至第二處理站200下方(如圖4E所示)。換句話說，當(dāng)?shù)谝换腁1被取出裝置500移動(dòng)時(shí)，第一基材A1是維持在相同高度的。

接著，于圖4H中，升降裝置600可沿著箭頭D2的方向上升，而將取出裝置500上的第一基材A1抬升至第二處理站200，使得第二處理站200可對(duì)第一基材A1進(jìn)行烘烤作業(yè)，以烘干第一基材A1上所噴涂的熒光粉漿料。具體來說，第二處理站200最低位置的高度高于取出裝置500最高位置的高度，而升降裝置600可抬升第一基材A1，將第一基材A1移動(dòng)至高度較高的第二處理站200。

于部分實(shí)施方式中，如圖3所示，后處理模塊10包含阻熱蓋800，第二處理站200具有加熱口210。當(dāng)升降裝置600尚未抬升第一基材A1時(shí)，后處理模塊10的阻熱蓋800可封閉第二處理站200的加熱口210，以防止熱能外散。當(dāng)阻熱蓋800離開加熱口210后，第一基材A1可被抬升而封閉加熱口210。

另回到圖4E，當(dāng)?shù)谝换腁1位于第二處理站200時(shí)，第一處理站100可對(duì)第二基材A2進(jìn)行噴涂作業(yè)，并由輸送裝置120將已噴涂的第二基材A2送至對(duì)應(yīng)取出裝置500的位置。當(dāng)?shù)诙腁2在第一處理站100中進(jìn)行噴涂作業(yè)時(shí)，載入裝置400可將第三基材A3移動(dòng)至第一處理站100的噴涂室110入口等待。

接著，在圖4I及圖4J中，當(dāng)?shù)谝换腁1位于第二處理站200時(shí)，取出裝置500可將第二基材A2移出第一處理站100外。在將第二基材A2移出第一處理站100外的過程中，第二基材A2會(huì)經(jīng)過第一基材A1的下方，而從第一處理站100移動(dòng)至緩沖位置，如圖4K所示。換句話說，取出裝置500可將位于第一處理站100的第二基材A2經(jīng)過第一基材A1下方移動(dòng)至緩沖位置。

由于第二基材A2可從第一基材A1的下方離開第一處理站100，而無須等待第一基材A1烘烤完成后，才離開第一處理站100，故第一處理站100可空出來，而供第三基材A3進(jìn)入第一處理站100進(jìn)行噴涂作業(yè)，如圖4K所示。因此，上述實(shí)施方式可增加位于第一處理站100與后處理模塊10中的基材數(shù)量，而提高制造效率。

具體來說，在圖4I中，當(dāng)?shù)谝换腁1位于第二處理站200時(shí)，取出裝置500可經(jīng)過第一基材A1的下方，而沿著箭頭D3的方向朝第一處理站100(可參閱圖4E)伸出，以取起已噴涂的第二基材A2。由于取出裝置500是在升降裝置600下方伸縮的，故不影響第二處理站200對(duì)第一基材A1的烘烤作業(yè)。

接著，在圖4J中，取出裝置500可沿著箭頭D4的方向縮回，而將第二基材A2移出第一處理站100(可參閱圖4E)，并將第二基材A2移動(dòng)至不位于第二處理站200下方的緩沖位置等待。換句話說，如圖4K所示，第二基材A2可在比第二處理站200更遠(yuǎn)離第一處理站100的緩沖位置等待。

于圖4I及圖4J中，取出裝置500水平地移動(dòng)第二基材A2，也就是說，第二基材A2被取出裝置500移動(dòng)時(shí)，是維持在相同高度的。另外，取出裝置500移動(dòng)第一基材A1的路徑(如圖4C至圖4D所示)，與取出裝置500移動(dòng)第二基材A2的路徑是重疊的，且此路徑位于第二處理站200下方。換句話說，取出裝置500無須針對(duì)不同基材而行走不同路徑，且取出裝置500可在第二處理站200下方移動(dòng)基材，而可節(jié)省空間。

于圖4I及圖4J中，由于第二處理站200最低位置的高度高于取出裝置500最高位置的高度，故第二基材A2會(huì)經(jīng)過第一基材A1的下方，而移動(dòng)至緩沖位置。但于其他實(shí)施方式中，第二處理站200最高位置的高度可低于取出裝置500最低位置的高度，使得第二基材A2可經(jīng)過第一基材A1上方，而移動(dòng)至緩沖位置。

在圖4K中，當(dāng)?shù)诙腁2離開第一處理站100后，載入裝置400可將第三基材A3移動(dòng)至第一處理站100，并將第三基材A3放置于第一處理站100的輸送裝置120上。

接著，在圖4L中，承載臂710可沿著軌道720移動(dòng)至第二處理站200下方。接著，如圖4M所示，升降裝置600可沿著箭頭D5的方向下降，而下降位于第二處理站200的第一基材A1，以將第一基材A1送至承載臂710上。

接著，在圖4N中，移動(dòng)裝置700會(huì)取走第一基材A1并將第一基材A1移動(dòng)至第三處理站300。進(jìn)一步來說，承載臂710可沿著軌道720將第一基材A1移動(dòng)至第三處理站300上，使得第三處理站300可對(duì)烘烤后的第一基材A1進(jìn)行冷卻作業(yè)。

在圖4N中，當(dāng)載入裝置400卸下第三基材A3后，載入裝置400可縮回至第一處理站100外，而使用者可將第四基材A4放置于載入裝置400上。

接著，在圖4O中，當(dāng)?shù)谝换腁1離開第二處理站200后，第二基材A2可從緩沖位置移動(dòng)至第二處理站200。具體來說，第二基材A2移動(dòng)至第二處理站200的步驟與圖4F至圖4I所示的步驟相同，取出裝置500可伸長而將第二基材A2從緩沖位置移動(dòng)至升降裝置600上方，而升降裝置600可將第二基材A2抬升至第二處理站200，以使第二處理站200對(duì)第二基材A2進(jìn)行烘烤作業(yè)。

在圖4O中，第一處理站100可對(duì)第三基材A3噴涂熒光粉，且輸送裝置120可將已噴涂的第三基材A3移動(dòng)至對(duì)應(yīng)取出裝置500的位置。另外，在圖4O中，載入裝置400可伸出而將第四基材A4送至第一處理站100的噴涂室110入口等待。

接著，在圖4P中，當(dāng)?shù)诙腁2位于第二處理站200時(shí)，取出裝置500可將第三基材A3移出第一處理站100外，其具體步驟與圖4I及圖4J的步驟相同，亦即，在將第三基材A3移出第一處理站100外的過程中，第三基材A3會(huì)經(jīng)過第二基材A2的下方，而從第一處理站100移動(dòng)至緩沖位置。換句話說，取出裝置500可將位于第一處理站100的第三基材A3經(jīng)過第二基材A2下方移動(dòng)至緩沖位置。于其他實(shí)施方式中，當(dāng)取出裝置500的最低位置的高度高于第一處理站100的最高位置的高度時(shí)，第三基材A3亦可經(jīng)過第二基材A2的上方移動(dòng)至緩沖位置。

由于第三基材A3可從第二基材A2的下方離開第一處理站100，而無須等待第二基材A2烘烤完成后，才離開第一處理站100，故第一處理站100可空出來，而利載入裝置400將第四基材A4移動(dòng)至第一處理站100進(jìn)行噴涂作業(yè)，如圖4Q所示。因此，上述實(shí)施方式可增加位于第一處理站100與后處理模塊10中的基材數(shù)量，而提高制造效率。

接著，在圖4Q中，載入裝置400可伸長而將第四基材A4送入第一處理站100的噴涂室110中，以進(jìn)行噴涂作業(yè)。

接著，在圖4R中，當(dāng)?shù)谌幚碚?00對(duì)第一基材A1完成冷卻作業(yè)時(shí)，移動(dòng)裝置700可第一基材A1從第三處理站300移開，而將第一基材A1移動(dòng)至載入裝置400上，以供使用者取出。具體來說，承載臂710可帶著第一基材A1沿著軌道720朝向載入裝置400移動(dòng)，并將第一基材A1放置于載入裝置400上。

接著，于圖4S中，當(dāng)?shù)谝换腁1離開第三處理站300后，移動(dòng)裝置700可將第二基材A2從第二處理站200移動(dòng)至第三處理站300。進(jìn)一步來說，承載臂710可沿著軌道720將第二基材A2移動(dòng)至第三處理站300上，使得第三處理站300可對(duì)烘烤后的第二基材A2進(jìn)行冷卻作業(yè)。

于圖4S中，當(dāng)?shù)诙腁2離開第二處理站200時(shí)，第三基材A3可從緩沖位置移動(dòng)至第二處理站200。具體來說，第三基材A3移動(dòng)至第二處理站200的步驟與圖4G至圖4I所示的步驟相同，取出裝置500可伸長而將第三基材A3從緩沖位置移動(dòng)至升降裝置600上方，而升降裝置600可將第三基材A3抬升至第二處理站200，以使第二處理站200對(duì)第三基材A3進(jìn)行烘烤作業(yè)。

由上述步驟流程可知，本實(shí)施方式的自動(dòng)處理方法不僅可無須人工地搬運(yùn)基材，且最多可容許4個(gè)基材位在后處理模塊10及第一處理站100中，而大幅提升處理效率。

于部分實(shí)施方式中，使用者亦可將一檢測用基材放在載入裝置400中，而當(dāng)載入裝置400將檢測用基材送入第一處理站100的噴涂室110噴涂后，載入裝置400便直接將此檢測用基材取出，而供使用者觀察熒光粉噴涂狀況是否正常。換句話說，檢測用基材可無須經(jīng)過第二處理站200與第三處理站300。

于部分實(shí)施方式中，噴涂工藝可無須經(jīng)過后續(xù)的烘烤及冷卻，故當(dāng)基材(如第一基材A1、第二基材A2、第三基材A3或第四基材A4)經(jīng)過第二處理站200及第三處理站300時(shí)，第二處理站200可無須烘烤基材，而第三處理站300可無須冷卻基材。

應(yīng)了解到，于上述實(shí)施方式中，第一處理站100所執(zhí)行的噴涂作業(yè)、第二處理站200所執(zhí)行的烘烤作業(yè)與第三處理站300所執(zhí)行的冷卻作業(yè)僅為一范例，而非用以限制本發(fā)明。換句話說，第一處理站100并不限于噴涂裝置，第二處理站200并不限烘烤裝置，而第三處理站300并不限于冷卻裝置。

雖然本發(fā)明已以實(shí)施方式揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。