本發(fā)明涉及一種減反膜，具體涉及一種高強度雙層減反膜的制備方法，屬于太陽能電池組件技術領域。

背景技術：
太陽能電池是一種有效地吸收太陽輻射能，利用光生伏打效應把光能轉換成電能的器件，當太陽光照在半導體P-N結(P-NJunction)上，形成新的空穴-電子對(V-Epair)，在P-N結電場的作用下，空穴由N區(qū)流向P區(qū)，電子由P區(qū)流向N區(qū)，接通電路后就形成電流。由于是利用各種勢壘的光生伏特效應將太陽光能轉換成電能的固體半導體器件，故又稱太陽能電池或光伏電池，是太陽能電池陣電源系統(tǒng)的重要組件。太陽能電池主要有晶硅(Si)電池，三五族半導體電池(GaAs,Cds/Cu2S,Cds/CdTe,Cds/InP,CdTe/Cu2Te)，無機電池，有機電池等，其中晶硅太陽能電池居市場主流主導地位。晶硅太陽能電池的基本材料為純度達99.9999％、電阻率在10Ω-cm以上的P型單晶硅，包括正面絨面、正面p-n結、正面減反射膜、正背面電極等部分，在組件封裝為正面受光照面加透光蓋片(如高透玻璃及EVA)保護，防止電池受外層空間范愛倫帶內高能電子和質子的輻射損傷。太陽能電池組件是由多片太陽能電池所組成，表面需要玻璃擋板作為保護層，然而玻璃擋板對入射太陽光存在10％左右的反射損失，造成太陽能電池轉換效率降低，采用溶膠-凝膠法在玻璃表面鍍制一層或多層減反射薄膜，可以提高入射光強度5％以上。由于其溶膠制程較復雜及薄膜機械強度的缺陷，大幅限制其應用；而酸性催化制備的SiO2薄膜雖致密，機械強度優(yōu)良，溶膠制備工藝簡便，性能穩(wěn)定，但其折射率偏低，不能單層使用。因此，調配適當的膜厚折射率梯度，制備雙層SiO2-TiO2減反膜為優(yōu)化設計勢在必行。

技術實現要素：
針對上述現有技術存在的問題，本發(fā)明提供一種高強度雙層減反膜的制備方法，可提高太陽能電池轉換效率，降低成本。為了實現上述目的，本發(fā)明采用的一種高強度雙層減反膜的制備方法，包括以下步驟：1)氧化鈦溶膠的制備：取鈦酸丁脂、乙酰丙酮、乙醇、醋酸和去離子水按照摩爾比為1:1:50:2:3的比例混合，采用離心攪拌機攪拌均勻，置于室溫下老化120-168小時后，得氧化鈦溶膠，備用；2)氧化硅溶膠的制備：取正硅酸乙脂、去離子水、鹽酸標準溶液、乙醇按照摩爾比為1:2:0.5:40的比例混合，采用離心攪拌機攪拌均勻，在溫度為20℃，相對濕度為30％，靜置168小時，得氧化硅溶膠，備用；3)玻璃片的準備：將鍍膜用玻璃片依次用去離子水和酒精沖洗干凈后，用氮氣吹干；4)鍍雙層減反膜：在相對濕度＜50％時，采用提拉鍍膜法將步驟1)所得氧化鈦溶膠鍍在步驟3)中清洗后玻璃片的兩面，在玻璃片的正反面各形成一層氧化鈦薄膜，再將步驟2)所得氧化硅溶膠，通過提拉鍍膜法鍍在氧化鈦薄膜的外側，在氧化鈦薄膜的表面形成一層氧化硅薄膜；5)烘干、成品：將步驟4)所得鍍雙層膜的玻璃片，置于烘箱中烘干，即得成品。作為改進，所述步驟1)和步驟2)中的乙醇均為無水乙醇。作為改進，所述步驟2)中鹽酸標準溶液的pH＝1。作為改進，所述步驟1)中離心攪拌機的轉速為12000-16000rpm，攪拌時間為3-5min。作為改進，所述步驟2)中離心攪拌機的轉速為12000-16000rpm，攪拌時間為3-5min。作為改進，所述步驟4)中采用提拉鍍膜法時的提拉速度為6-12inch/min。作為改進，所述步驟4)中玻璃片表面的氧化鈦薄膜的厚度為110-130nm。作為改進，所述步驟4)中氧化硅薄膜的厚度為90-110nm。作為改進，所述步驟4)中氧化鈦薄膜折射率為1.94-1.96；所述氧化硅薄膜折射率為1.41-1.43。作為改進，所述步驟5)中，烘箱內溫度為200-250℃，烘烤時間為50-70min。在光譜分析中，紅外光的熱效應會降低太陽能電池效率，紫外光對EVA有老化作用，通過本發(fā)明方法制得雙層SiO2-TiO2減反膜對紫外光(波長＜400nm)吸收較強，同時可抑制紅外光(波長＞800nm)透射率，薄膜機械強度優(yōu)良，而且采用溶膠-凝膠法在玻璃表面鍍制雙層減反射薄膜，可將入射光強度提高5％以上,進而提高太陽能電池轉換效率,與傳統(tǒng)物理方法相比,本發(fā)明具有工藝簡單，折射率連續(xù)可調，結構可控、適合大面積鍍膜，成本低等優(yōu)點。附圖說明圖1為本發(fā)明的工藝流程圖；圖2為本發(fā)明制得雙層減反膜的結構示意圖；圖中：1、玻璃片，2、氧化鈦薄膜，3、氧化硅薄膜。具體實施方式為使本發(fā)明的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚明了，下面通過附圖及實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。但是應該理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限制本發(fā)明的范圍。除非另有定義，本文所使用的所有的技術術語和科學術語與屬于本發(fā)明的技術領域的技術人員通常理解的含義相同，本文中在本發(fā)明的說明書中所使用的術語只是為了描述具體的實施例的目的，不是旨在于限制本發(fā)明。實施例一一種高強度雙層減反膜的制備方法，包括以下步驟：1)氧化鈦溶膠的制備：取鈦酸丁脂(TPOT)、乙酰丙酮(ACAC)、無水乙醇(C2H5OH)、醋酸(HAC)和去離子水(H2O)按照摩爾比為1:1:50:2:3的比例混合，采用離心攪拌機以12000rpm的速度，攪拌5min，置于室溫下老化120小時后，得氧化鈦溶膠，備用；2)氧化硅溶膠的制備：取正硅酸乙脂(TEOS)、去離子水、pH＝1的鹽酸標準溶液、無水乙醇(C2H5OH)按照摩爾比為1:2:0.5:40的比例混合，采用離心攪拌機以12000rpm的速度，攪拌5min，在溫度為20℃，相對濕度為30％，靜置168小時，得氧化硅溶膠，備用；3)玻璃片的準備：將鍍膜用玻璃片依次用去離子水和酒精沖洗干凈后，用氮氣吹干；4)鍍雙層減反膜：在相對濕度＜50％時，采用提拉鍍膜法以6inch/min的提拉速度，將步驟1)所得氧化鈦溶膠鍍在步驟3)中清洗后玻璃片的兩面，在玻璃片的正反面各形成一層厚度為110nm、折射率為1.94的氧化鈦薄膜，再通過提拉鍍膜法以6inch/min的提拉速度，將步驟2)所得氧化硅溶膠鍍在氧化鈦薄膜的外側，在氧化鈦薄膜的表面形成一層厚度為90nm、折射率為1.41的氧化硅薄膜；5)烘干、成品：將步驟4)所得鍍雙層膜的玻璃片，置于200℃的烘箱中，烘烤70min，即得成品。實施例二一種高強度雙層減反膜的制備方法，包括以下步驟：1)氧化鈦溶膠的制備：取鈦酸丁脂、乙酰丙酮、無水乙醇、醋酸和去離子水按照摩爾比為1:1:50:2:3的比例混合，采用離心攪拌機以16000rpm的速度，攪拌3min，置于室溫下老化168小時后，得氧化鈦溶膠，備用；2)氧化硅溶膠的制備：取正硅酸乙脂、去離子水、pH＝1的鹽酸標準溶液、無水乙醇按照摩爾比為1:2:0.5:40的比例混合，采用離心攪拌機以16000rpm的速度，攪拌3min，在溫度為20℃，相對濕度為30％，靜置168小時，得氧化硅溶膠，備用；3)玻璃片的準備：將鍍膜用玻璃片依次用去離子水和酒精沖洗干凈后，用氮氣吹干；4)鍍雙層減反膜：在相對濕度＜50％時，采用提拉鍍膜法以12inch/min的提拉速度，將步驟1)所得氧化鈦溶膠鍍在步驟3)中清洗后玻璃片的兩面，在玻璃片的正反面各形成一層厚度為130nm、折射率為1.96的氧化鈦薄膜，再通過提拉鍍膜法以12inch/min的提拉速度，將步驟2)所得氧化硅溶膠鍍在氧化鈦薄膜的外側，在氧化鈦薄膜的表面形成一層厚度為110nm、折射率為1.43的氧化硅薄膜；5)烘干、成品：將步驟4)所得鍍雙層膜的玻璃片，置于250℃的烘箱中，烘烤50min，即得成品。實施例三一種高強度雙層減反膜的制備方法，包括以下步驟：1)氧化鈦溶膠的制備：取鈦酸丁脂、乙酰丙酮、無水乙醇、醋酸和去離子水按照摩爾比為1:1:50:2:3的比例混合，采用離心攪拌機以14000rpm的速度，攪拌4min，置于室溫下老化140小時后，得氧化鈦溶膠，備用；2)氧化硅溶膠的制備：取正硅酸乙脂、去離子水、pH＝1的鹽酸標準溶液、無水乙醇按照摩爾比為1:2:0.5:40的比例混合，采用離心攪拌機以14000rpm的速度，攪拌4min，在溫度為20℃，相對濕度為30％，靜置168小時，得氧化硅溶膠，備用；3)玻璃片的準備：將鍍膜用玻璃片依次用去離子水和酒精沖洗干凈后，用氮氣吹干；4)鍍雙層減反膜：在相對濕度＜50％時，采用提拉鍍膜法以9inch/min的提拉速度，將步驟1)所得氧化鈦溶膠鍍在步驟3)中清洗后玻璃片的兩面，在玻璃片的正反面各形成一層厚度為120nm、折射率為1.95的氧化鈦薄膜，再通過提拉鍍膜法以9inch/min的提拉速度，將步驟2)所得氧化硅溶膠鍍在氧化鈦薄膜的外側，在氧化鈦薄膜的表面形成一層厚度為100nm、折射率為1.42的氧化硅薄膜；5)烘干、成品：將步驟4)所得鍍雙層膜的玻璃片，置于230℃的烘箱中，烘烤60min，即得成品。通過本發(fā)明方法制得雙層減反膜的結構如圖1所示，在玻璃片1的正反面各鍍有一層氧化鈦薄膜2，在氧化鈦薄膜2的外側鍍有一層氧化硅薄膜3。在光譜分析中，紅外光的熱效應會降低太陽能電池效率，紫外光對EVA有老化作用，通過本發(fā)明方法制得雙層SiO2-TiO2減反膜對紫外光(波長＜400nm)吸收較強，同時可抑制紅外光(波長＞800nm)透射率，薄膜機械強度優(yōu)良，而且采用溶膠-凝膠法在玻璃表面鍍制雙層減反射薄膜，可將入射光強度提高5％以上,進而提高太陽能電池轉換效率,與傳統(tǒng)物理方法相比,本發(fā)明具有工藝簡單，折射率連續(xù)可調，結構可控、適合大面積鍍膜，成本低等優(yōu)點。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換或改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內。