本發(fā)明涉及一種能夠均勻地處理基板的基板處理裝置。

背景技術(shù)：
基板處理裝置在制造平板顯示器時使用，大致分為沉積（VaporDeposition）裝置和退火（Annealing）裝置。沉積裝置是用于形成構(gòu)成平板顯示器的核心結(jié)構(gòu)的透明導(dǎo)電層、絕緣層、金屬層或硅層的裝置，有諸如低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD、LowPressureChemicalVaporDeposition）或等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD、Plasma-EnhancedChemicalVaporDeposition）等化學(xué)氣相沉積裝置和諸如濺射（Sputtering）等物理氣相沉積裝置。而且，退火裝置是在基板上沉積膜之后提高沉積膜特性的裝置，用于進(jìn)行使沉積膜發(fā)生結(jié)晶化或相變化的熱處理的裝置?；逄幚硌b置分為對一個基板進(jìn)行處理的單處理式（SingleSubstrateType）和對多個基板進(jìn)行處理的批處理式（BatchType）。單處理式基板處理裝置具有結(jié)構(gòu)簡單的優(yōu)點(diǎn)，但存在生產(chǎn)率低的缺點(diǎn)。大規(guī)模生產(chǎn)時常用批處理式基板處理裝置。通常，基板處理裝置包括本體，該本體用于形成作為裝載基板并進(jìn)行處理的空間的腔室。在所述本體的前表面形成有供基板出入的出入口，且設(shè)置有用于開閉所述出入口的門。此外，在所述腔室內(nèi)設(shè)置有用于加熱基板的多個棒狀的加熱器。此時，所述加熱器被設(shè)置成，在所述本體的前后方向上隔著間距且平行于所述本體的左右方向，同時與所述本體的前后方向平行地設(shè)置于所述出入口外側(cè)的所述腔室。而且，分別與所述本體的左右方向和前后方向平行的所述加熱器分別沿上下隔著間距設(shè)置。如上所述的現(xiàn)有的基板處理裝置，由于其結(jié)構(gòu)上原因，在設(shè)置有所述門的所述腔室部位難以設(shè)置所述加熱器。因此，進(jìn)行基板處理時，所述門側(cè)的所述腔室部位和所述腔室的其它部位的溫度不均勻，從而可能存在基板處理不均勻的風(fēng)險。有關(guān)基板處理裝置的在先技術(shù)被韓國公開特許公報第10-2010-0008722號等公開。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明是為了解決如上所述的現(xiàn)有技術(shù)的問題而提出，本發(fā)明的目的在于，提供一種能夠使腔室的所有部位的溫度均勻以便能夠均勻地處理基板的基板處理裝置。用于達(dá)到所述目的的本發(fā)明涉及的基板處理裝置，包括：本體，在其內(nèi)部形成有作為處理基板的空間的腔室，并且在其前表面上形成有與所述腔室連通且供基板出入的出入口；門，設(shè)置在所述本體的前表面上，用于開閉所述出入口；多個第一加熱器，設(shè)置在所述腔室；多個第二加熱器，設(shè)置在所述門上。本發(fā)明涉及的基板處理裝置，在用于開閉出入口的門的內(nèi)側(cè)門上設(shè)置有多個第二加熱器。因此，用門封閉出入口之后進(jìn)行基板處理時，腔室所有部位的溫度均勻，從而具有基板被均勻處理的效果。附圖說明圖1是本發(fā)明的一實(shí)施例涉及的基板處理裝置的立體圖。圖2是圖1中示出的門的分解立體圖。圖3是圖2中示出的內(nèi)側(cè)門的后表面立體圖。圖4是本發(fā)明的另一實(shí)施例涉及的內(nèi)側(cè)門的后表面立體圖。附圖標(biāo)記：110：本體120：門121：外側(cè)門125：內(nèi)側(cè)門141：短軸加熱器145：長軸加熱器151、153、155：第二加熱器具體實(shí)施方式下面，參照例示出能夠?qū)嵤┍景l(fā)明的具體實(shí)施例的附圖詳細(xì)說明本發(fā)明。為了使本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠充分實(shí)施本發(fā)明，詳細(xì)說明這些實(shí)施例。應(yīng)理解為，本發(fā)明的各種實(shí)施例彼此不同，但相互并不排斥。例如，這里所記載的一實(shí)施例的具體形狀、具體結(jié)構(gòu)和特性，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的情況下，可以由其他實(shí)施例來實(shí)現(xiàn)。另外，應(yīng)理解為，各自公開的實(shí)施例中的個別構(gòu)成要素的位置或配置，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的情況下可以進(jìn)行變更。因此，后述的詳細(xì)說明并無限定之意，準(zhǔn)確地說明，本發(fā)明的保護(hù)范圍僅以權(quán)利要求書所記載的內(nèi)容為準(zhǔn)，包含與其權(quán)利要求所主張的內(nèi)容等同的所有范圍。為方便起見，也有可能夸張地表現(xiàn)出附圖所示的實(shí)施例的長度、面積、厚度及形態(tài)。說明本實(shí)施例時，應(yīng)理解為，所謂基板處理是包括加熱及冷卻基板的工藝、為了在基板上沉積規(guī)定膜而進(jìn)行的所有工藝、為了使基板上沉積的規(guī)定膜退火、結(jié)晶化或相變化而進(jìn)行的所有熱處理工藝等。下面，參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的一實(shí)施例涉及的基板處理裝置。圖1是本發(fā)明的一實(shí)施例涉及的基板處理裝置的立體圖，圖2是圖1中示出的門的分解立體圖。如圖所示，本實(shí)施例涉及的基板處理裝置包括本體110。本體110形成為大致長方體，在其內(nèi)部形成有作為處理基板50的空間的腔室112。本體110不僅可以為長方體，根據(jù)基板50的形狀可以形成為不同形狀，腔室112為密閉空間。此外，基板50的材料并不特別限定，可以由玻璃、塑料、聚合物、硅晶片或不銹鋼等材料形成。在本體110的前表面上形成有供基板50出入的出入口114和用于開閉出入口114的門120。即，使用機(jī)器人（未圖示）支承基板50并將基板50裝載到腔室112或從腔室112卸載時，出入口114通過門120被開放。此外，將基板50裝載到腔室112而對基板50進(jìn)行處理時，出入口114被門120封閉。若出入口114被開閉，則腔室112也被開閉。門120具有外側(cè)門121和內(nèi)側(cè)門125，并被設(shè)置成可以沿本體110的上下方向升降的同時，可以沿本體110的前后方向滑動，從而開閉出入口114。具體為，外側(cè)門121可上下滑動地設(shè)置在本體110的前表面，內(nèi)側(cè)門125被外側(cè)門121支承并通過外側(cè)門121上下滑動的同時可相對于外側(cè)門121前后滑動。外側(cè)門121通過分別設(shè)置在本體110的前表面兩側(cè)面上的汽缸或電機(jī)等驅(qū)動部（未圖示）進(jìn)行上下滑動，而內(nèi)側(cè)門125通過設(shè)置在外側(cè)門121上的多個汽缸131而相對于外側(cè)門121進(jìn)行前后滑動。因此，當(dāng)外側(cè)門121通過所述驅(qū)動部上升而與出入口114相對時，內(nèi)側(cè)門125通過汽缸131滑動到本體110的前表面?zhèn)?。?dāng)內(nèi)側(cè)門125通過多個汽缸131滑動到本體110的前表面?zhèn)葧r，擠壓以環(huán)繞出入口114的形式設(shè)置在本體110前表面的密封件116的同時與密封件116接觸，從而密封腔室112。出入口114的左右方向長度可大于上下方向高度，內(nèi)側(cè)門125與出入口114相對應(yīng)。在所述驅(qū)動部所處的本體110的前表面?zhèn)冉Y(jié)合有與上下方向平行的導(dǎo)軌135，用以支承外側(cè)門121穩(wěn)定升降?？梢栽趯?dǎo)軌135上設(shè)置傳感器（未圖示），該傳感器用于檢測外側(cè)門121的規(guī)定部位以檢測外側(cè)門121的升降距離。此外，在外側(cè)門121上結(jié)合有多個第一支承塊122，以使內(nèi)側(cè)門125能夠穩(wěn)定滑動，而內(nèi)側(cè)門125上結(jié)合有第二支承塊126，該第二支承塊126的下表面接觸并支承于第一支承塊122的上表面。為了能夠使內(nèi)側(cè)門125更加穩(wěn)定地滑動，可以在第二支承塊126上設(shè)置滾輪127，而在第一支承塊122上形成有收容槽123，滾輪127的下側(cè)部位與該收容槽123接觸而被支承。在腔室112設(shè)置有用于加熱基板50的第一加熱器。所述第一加熱器可以包括：多個短軸加熱器141，呈棒狀，在本體110的前后方向上隔著間距，同時在本體110的上下方向上隔著間距，并與本體110的左右方向平行地設(shè)置在腔室112；多個長軸加熱器145，呈棒狀，在本體110的上下方向上隔著間距，并與本體110的前后方向平行地設(shè)置在出入口114外側(cè)的腔室112部位。本體110的前后方向長度大于左右方向?qū)挾取Ｒ虼?，與本體110的左右方向平行地設(shè)置的所述第一加熱器為短軸加熱器141，而與本體110的前后方向平行地設(shè)置于腔室112的所述第一加熱器為長軸加熱器145。短軸加熱器141的左端部側(cè)和右端部側(cè)分別被本體110的左側(cè)面和右側(cè)面支承，而長軸加熱器145的前端部側(cè)和后端部側(cè)分別被本體110的前表面和后表面支承。在腔室112可以設(shè)置有用于搭載并支承基板50的支承單元（未圖示）、用于供給處理基板50所需的氣氛氣體的氣體供給管（未圖示）、用于冷卻基板50的冷卻管（未圖示）等。圖1的未說明附圖標(biāo)記160是用于支承本體110的框架，圖2的未說明附圖標(biāo)記133是用于支承結(jié)合于外側(cè)門121的汽缸131的支架。與出入口114相鄰的腔室112部位未設(shè)置有所述第一加熱器。因此，與出入口114相鄰的腔室112部位的溫度與其它部位相比較低。在這種情況下，將基板投入到腔室112進(jìn)行處理時，由于腔室112溫度不均勻，所以基板50可能被處理的不均勻。為了防止這種情況，本實(shí)施例涉及的基板處理裝置，在用于開閉出入口114的內(nèi)側(cè)門125上設(shè)置有第二加熱器151。參照圖2和圖3說明第二加熱器151。圖3是圖2中示出的內(nèi)側(cè)門的后表面立體圖。如圖所示，第二加熱器151相對于本體110水平設(shè)置多個，并且在上下上隔著間距，且與本體110的左右方向平行。此時，第二加熱器151的左端部側(cè)和右端部側(cè)分別被內(nèi)側(cè)門125的左側(cè)面和右側(cè)面支承。若第二加熱器151的長度超出規(guī)定長度，第二加熱器151的中央部側(cè)可能由于自重或熱而變形。為了防止這種情況，第二加熱器153可以形成為，中央部側(cè)被分割而成的位于同一虛擬直線上的一對。即，第二加熱器153可以由位于同一虛擬直線上的彼此相對的一對形成，并以上下隔著間距，而與本體110的左右方向平行地設(shè)置多個。此時，在一對第二加熱器153中，一個第二加熱器153a的左端部側(cè)被內(nèi)側(cè)門125的左側(cè)面支承，另一個第二加熱器153b的右端部側(cè)被內(nèi)側(cè)門125的右側(cè)面支承。由此，一個第二加熱器153a的右端部側(cè)和另一個第二加熱器153b的左端部側(cè)彼此相對。這樣，能夠縮短第二加熱器153的長度，從而能夠防止第二加熱器153變形。圖3是內(nèi)側(cè)門125的后表面立體圖，以從前方觀看內(nèi)側(cè)門125時為基準(zhǔn)示出了有關(guān)第二加熱器153a、153b的附圖標(biāo)記。即，從前方觀看內(nèi)側(cè)門125時，第二加熱器153a的左端部側(cè)被內(nèi)側(cè)門125的左側(cè)面支承，而第二加熱器153b的右端部側(cè)被內(nèi)側(cè)門125的右側(cè)面支承。優(yōu)選，與出入口114相對的內(nèi)側(cè)門125表面被開放，以便能夠?qū)⒌诙訜崞?51、153所產(chǎn)生的熱容易傳遞給腔室112。本實(shí)施例涉及的基板處理裝置，在用于開閉出入口114的門120的內(nèi)側(cè)門125上設(shè)置有多個第二加熱器151、153。因此，處理基板50時，腔室112所有部位的溫度均勻，從而使基板50被均勻處理。圖4是本發(fā)明的另一實(shí)施例涉及的內(nèi)側(cè)門的后表面立體圖，僅說明與圖3的不同點(diǎn)。如圖所示，出入口114（參照圖1）的左右方向長度大于上下方向高度，而內(nèi)側(cè)門225與出入口114相對應(yīng)。此外，第二加熱器155在左右隔著間距，并與本體110（參照圖1）的上下方向平行，且相對于本體110垂直設(shè)置。此時，第二加熱器155的上端部側(cè)和下端部側(cè)分別被內(nèi)側(cè)門225的上表面和下表面支承。第二加熱器155沿著長度較短的內(nèi)側(cè)門225的上下方向設(shè)置，所以第二加熱器155的長度相對較短。因此，能夠防止第二加熱器155變形。有關(guān)如上所述的本發(fā)明的實(shí)施例的附圖，省略了詳細(xì)的輪廓線而概略示出，以便易于理解屬于本發(fā)明的技術(shù)思想部分。此外，所述實(shí)施例并不能作為限定本發(fā)明的技術(shù)思想的基準(zhǔn)，而只能作為用于理解本發(fā)明的權(quán)利要求所包含的技術(shù)思想的參考信息。