技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及填充集成電路中的凹穴及其結(jié)果裝置，揭露一種方法，能夠在集成電路裝置及該結(jié)果裝置中填充高深寬比的凹穴，而不具有孔隙或間隙。實(shí)施例包含于第一層間介電層中提供主動(dòng)區(qū)域及/或柵極接觸；形成選擇性保護(hù)覆蓋層于該接觸的上表面上；形成第二層間介電層于該保護(hù)覆蓋層的上表面上及該第一層間介電層的上表面上；形成硬掩膜堆迭于該第二層間介電層上；在該第二層間介電層及硬掩膜堆迭中，形成曝露出一個(gè)或多個(gè)保護(hù)覆蓋層的凹穴；在該堆迭中移除選擇性層以減少該凹穴的深度；以及以金屬層填充該凹穴，其中，在一個(gè)或多個(gè)凹穴中的該金屬層連接至經(jīng)曝露的該一個(gè)或多個(gè)保護(hù)覆蓋層的上表面。

技術(shù)研發(fā)人員：J·L·魯利安;S·K·辛格
受保護(hù)的技術(shù)使用者：格羅方德半導(dǎo)體公司
文檔號(hào)碼：201610320059
技術(shù)研發(fā)日：2016.05.13
技術(shù)公布日：2016.11.23