1.一種方法，包括：
提供主動(dòng)區(qū)域及/或柵極接觸于第一層間介電層(ILD，Interlayer Dielectric)中；
形成選擇性保護(hù)覆蓋層于該接觸的上表面上；
形成第二層間介電層于該保護(hù)覆蓋層的上表面上及該第一層間介電層的上表面上；
形成硬掩膜堆迭于該第二層間介電層上；
在該第二層間介電層及硬掩膜堆迭中，形成曝露出一個(gè)或多個(gè)保護(hù)覆蓋層的凹穴；
在該堆迭中移除選擇性層以減少該凹穴的深度；以及
以金屬層填充該凹穴，其中，在一個(gè)或多個(gè)凹穴中的該金屬層連接至經(jīng)曝露的該一個(gè)或多個(gè)保護(hù)覆蓋層的上表面。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，包括在形成該選擇性保護(hù)覆蓋層之前，執(zhí)行化學(xué)機(jī)械研磨(CMP，Chemical Mechanical Polishing)。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，包括在形成該第二層間介電層之前，形成蝕刻終止層。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，該硬掩膜堆迭的形成包括：
形成第一介電質(zhì)硬掩膜(DHM1，Dielectric Hard-Mask)層、金屬硬掩膜(MHM，Metal Hard-Mask)層、第二介電質(zhì)硬掩膜(DHM2，Dielectric Hard-Mask)層、旋涂式硬掩膜(SOH，Spin-On Hard-Mask)層及抗反射涂布(Anti-Reflective Coating，ARC)硬掩膜層。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，該選擇性層包含該金屬硬掩膜層、該第二介電質(zhì)硬掩膜層、該旋涂式硬掩膜層及該抗反射涂布硬掩膜層。
6.如權(quán)利要求4所述的方法，更包括：
在形成該金屬層之前，共形地形成阻障金屬/種子層于該第一介電質(zhì)硬掩膜層及層間介電層的曝露表面上。
7.如權(quán)利要求4所述的方法，更包括：
移除經(jīng)曝露的該一個(gè)或多個(gè)保護(hù)覆蓋層的上方部分。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中，該金屬硬掩膜層的移除速率較快于經(jīng)曝露的該一個(gè)或多個(gè)保護(hù)覆蓋層的該上方部分的移除速率。
9.如權(quán)利要求4所述的方法，包括在以該金屬層填充之后，執(zhí)行化學(xué)機(jī)械研磨到達(dá)該第二層間介電層的上表面。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，該保護(hù)覆蓋層包括釕覆蓋層。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，該接觸為以鎢填充的凹穴。
12.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，該凹穴包含互連導(dǎo)通孔及溝槽。
13.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，該金屬包括銅，該方法更包括通過電化學(xué)電鍍(ECP，ElectroChemical Plating)以該銅填充該凹穴。
14.一種裝置，包括：
主動(dòng)區(qū)域及/或柵極接觸，位于第一層間介電層(ILD，InterLayer Dielectric)中；
選擇性保護(hù)覆蓋層，位于該接觸的上表面上；
第二層間介電層，位于該保護(hù)覆蓋層的上表面上及該第一層間介電層的上表面上；以及
導(dǎo)通孔，其穿越該第二層間介電層到達(dá)該保護(hù)覆蓋層。
15.如權(quán)利要求14所述的裝置，更包括金屬線路溝槽，位于該第二層間介電層中。
16.如權(quán)利要求14所述的裝置，更包括蝕刻終止層，位于該第二層間介電層下方。
17.如權(quán)利要求14所述的裝置，其中，該保護(hù)覆蓋層包括釕。
18.一種方法，包括：
提供主動(dòng)區(qū)域及/或柵極接觸于第一層間介電層(ILD，Interlayer Dielectric)中；
形成選擇性保護(hù)覆蓋層于該接觸的上表面上；
形成第二層間介電層于該保護(hù)覆蓋層的上表面上及該第一層間介電層的上表面上；
形成硬掩膜堆迭于該第二層間介電層上，其中，該硬掩膜包含第一介電質(zhì)硬掩膜(DHM1，Dielectric Hard-Mask)層、金屬硬掩膜(MHM，Metal Hard-Mask)層、第二介電質(zhì)硬掩膜(DHM2，Dielectric Hard-Mask)層、旋涂式硬掩膜(SOH，Spin-On Hard-Mask)層及抗反射涂布(Anti-Reflective Coating，ARC)硬掩膜層；
在該第二層間介電層及硬掩膜堆迭中，形成曝露出一個(gè)或多個(gè)保護(hù)覆蓋層的凹穴；
在該堆迭中移除選擇性層以減少該凹穴的深度，其中，該選擇性層包含該金屬硬掩膜層、該第二介電質(zhì)硬掩膜層、該旋涂式硬掩膜層及該抗反射涂布硬掩膜層；
以金屬層填充該凹穴，其中，在一個(gè)或多個(gè)凹穴中的該金屬層連接至經(jīng)曝露的該一個(gè)或多個(gè)保護(hù)覆蓋層的上表面；以及
在形成該金屬層之前，共形地形成阻障金屬/種子層于該第一介電質(zhì)硬掩膜層及層間介電層的曝露表面上。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，更包括：
移除經(jīng)曝露的該一個(gè)或多個(gè)保護(hù)覆蓋層的上方部分。
20.如權(quán)利要求18所述的方法，其中，該保護(hù)蓋包括釕覆蓋層，該接觸為以鎢填充的凹穴，以及其中，該金屬硬掩膜層的移除速率較快于經(jīng)曝露的該一個(gè)或多個(gè)保護(hù)覆蓋層的該上方部分的移除速率。