本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種半導(dǎo)體器件的制作方法。

背景技術(shù)：

N-MOSFET的制作方法一般包括先進(jìn)行淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)制作后沉積多晶硅的工藝和先沉積多晶硅后進(jìn)行淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)制作的工藝，其中，圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)先沉積多晶硅后進(jìn)行淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)制作的方法流程示意圖；首先，在襯底100’上設(shè)置圖2所示的襯墊氧化層101’、并在襯墊氧化層101’上形成圖2所示的氮化硅層102’；對(duì)圖2所示的氮化硅層102’、襯墊氧化層101’和襯底100’進(jìn)行刻蝕，得到圖3所示的溝槽200’；在圖3所示的溝槽200’的側(cè)壁和底面、氮化硅層102’上形成圖4所示的襯墊隔離層104’；在圖4所示的襯墊隔離層104’上沉積形成隔離材料填充溝槽，并對(duì)隔離材料進(jìn)行退火處理和平坦化處理形成圖5所示的隔離材料層105’；然后去除圖5所示的襯墊氧化層101’、及襯底100’以上的襯墊隔離層104’、氮化硅層102’，并減薄隔離材料層105’，得到圖6所示的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)300’。

采用上述制作方法得到的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)300’，在進(jìn)行離子注入形成PMOS或NMOS后，退火時(shí)NMOS中所注入的P型離子如硼離子的原子半徑很小，極易形成間隙擴(kuò)散進(jìn)入淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)300’中，擴(kuò)散降低了NMOS中摻雜離子的濃度，進(jìn)而影響半導(dǎo)體器件的開啟電壓。雖然現(xiàn)有技術(shù)中設(shè)置了襯墊隔離層104’以避免硼向淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)300’中擴(kuò)散，但是對(duì)擴(kuò)散的控制能力有限，在半導(dǎo)體器件尺寸不斷下降的條件下，擴(kuò)散現(xiàn)象仍然難以控制。而由于擴(kuò)散難于控制，導(dǎo)致集成電路中多個(gè)半導(dǎo)體器件的開啟電壓各不相同，導(dǎo)致開始時(shí)間不同，工作不穩(wěn)定，進(jìn)而影響集成電路的良率和穩(wěn)定性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本申請(qǐng)旨在提供一種半導(dǎo)體器件的制作方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中NMOS中的P型離子向淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)中擴(kuò)散導(dǎo)致半導(dǎo)體器件的開啟電壓不穩(wěn)定的問題。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)方面，提供了一種半導(dǎo)體器件的制作方法，該制作方法包括：在襯底上設(shè)置依次遠(yuǎn)離襯底的襯墊氧化層和硬掩膜層；刻蝕硬掩膜層、襯墊氧化層和襯底，形成溝槽，溝槽包括第一溝槽和第二溝槽，第一溝槽為刻蝕襯墊氧化層和襯底所形成的，第二溝槽為刻蝕硬掩膜層所形成的，且第二溝槽的開口大于第一溝槽的開口，使得在第一溝槽和所述第二溝槽的交界處形成突出部；在溝槽的內(nèi)壁上設(shè)置襯墊隔離層；在襯墊隔離層上設(shè)置隔離材料層；向硬掩膜層、襯墊隔離層和隔離材料層進(jìn)行P型離子注入，形成P型離子密集區(qū)；去除硬掩膜層，得到淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步地，形成溝槽的過程包括：對(duì)硬掩膜層、襯墊氧化層和襯底依次進(jìn)行各向異性刻 蝕，形成第一溝槽和第二預(yù)設(shè)溝槽，第二預(yù)設(shè)溝槽的開口大小等于第一溝槽的開口大??；沿第二預(yù)設(shè)溝槽的內(nèi)壁對(duì)硬掩膜層進(jìn)行各向同性刻蝕，形成第二溝槽。

進(jìn)一步地，硬掩膜層為氮化硅層，各向異性刻蝕為等離子刻蝕，且濺射功率為400～1000瓦，刻蝕溫度為25～60℃，刻蝕時(shí)間為30～360秒。

進(jìn)一步地，各向同性刻蝕的刻蝕劑為質(zhì)量分?jǐn)?shù)為80～95％的磷酸溶液，且刻蝕溫度為25～65℃，刻蝕時(shí)間為1～5min。

進(jìn)一步地，P型離子注入的離子源為硼或BF₂。

進(jìn)一步地，P型離子注入的劑量為1E13～1E15atoms/cm²，能量為40～80kev。

進(jìn)一步地，襯墊隔離層為含碳的氮化硅層，襯墊隔離層的厚度為1～10nm，襯墊隔離層中碳的摩爾濃度含量為1～10％。

進(jìn)一步地，設(shè)置襯墊隔離層的方法為化學(xué)氣相沉積法，優(yōu)選低壓化學(xué)氣相沉積法。

進(jìn)一步地，化學(xué)氣相沉積法的沉積溫度為450～600℃，化學(xué)氣相沉積法的反應(yīng)物包括氨氣、乙烯和二氯硅烷；或者化學(xué)氣相沉積法的反應(yīng)物包括氨氣、乙烯和六氯乙硅烷。

進(jìn)一步地，在襯墊隔離層上設(shè)置隔離材料層的過程包括：在襯墊隔離層和硬掩膜層上沉積隔離材料；對(duì)隔離材料進(jìn)行化學(xué)機(jī)械平坦化處理至硬掩膜層上的隔離材料被去除；對(duì)隔離材料層進(jìn)行退火處理，得到隔離材料層。

進(jìn)一步地，半導(dǎo)體器件為N-MOSFET。

應(yīng)用本申請(qǐng)的技術(shù)方案，所形成的溝槽的第一溝槽的開口小于第二溝槽的開口，使得位于第一溝槽和第二溝槽交界處形成突出部，在向硬掩膜層、襯墊隔離層和隔離材料層進(jìn)行P型離子注入時(shí)，由于硬掩膜層對(duì)離子注入的阻擋能力較隔離材料層的阻擋能力強(qiáng)，因此，位于突出部附近的隔離材料層和襯底中P型離子濃度較高進(jìn)而形成P型離子密集區(qū)，在后續(xù)形成NMOS結(jié)構(gòu)的退火過程中，即使NMOS中的P型離子向淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)中擴(kuò)散，由于在采用本申請(qǐng)的制作方法制作淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)時(shí)P型離子密集區(qū)中的P型離子會(huì)補(bǔ)償因擴(kuò)散丟失的離子，進(jìn)而保證半導(dǎo)體器件的開啟電壓的穩(wěn)定性。

附圖說明

構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分的說明書附圖用來提供對(duì)本申請(qǐng)的進(jìn)一步理解，本申請(qǐng)的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本申請(qǐng)，并不構(gòu)成對(duì)本申請(qǐng)的不當(dāng)限定。在附圖中：

圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)中N-MOSFET的制作工藝流程圖；

圖2至圖6示出執(zhí)行圖1中各流程后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖，其中，

圖2示出了在襯底上設(shè)置襯墊氧化層、氮化硅層后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3示出了對(duì)圖2所示的氮化硅層、襯墊氧化層和襯底進(jìn)行刻蝕后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4示出了在圖3所示的溝槽的側(cè)壁和底面、氮化硅層上形成襯墊隔離層后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5示出了在圖4所示的襯墊隔離層上沉積形成隔離材料填充溝槽，并對(duì)隔離材料進(jìn)行退火處理和平坦化處理形成隔離材料層后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6示出了去除圖5所示的襯墊氧化層、及襯底以上的襯墊隔離層、氮化硅層，并減薄隔離材料層后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7示出了本申請(qǐng)?zhí)峁┑臏\溝槽隔離結(jié)構(gòu)制作方法的流程示意圖；

圖8至圖15示出了實(shí)施圖7所示各流程后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖，其中，

圖8示出了在襯底上設(shè)置依次遠(yuǎn)離襯底的襯墊氧化層和硬掩膜層后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9示出了對(duì)圖8所示的硬掩膜層、襯墊氧化層和襯底依次進(jìn)行各向異性刻蝕，形成第一溝槽和第二預(yù)設(shè)溝槽后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10示出了沿圖9所示的第二預(yù)設(shè)溝槽的內(nèi)壁對(duì)硬掩膜層進(jìn)行各向同性刻蝕，形成第二溝槽后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖11示出了在圖10所示的溝槽的內(nèi)壁上設(shè)置襯墊隔離層后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖12示出了在圖11所示的襯墊隔離層和硬掩膜層上沉積隔離材料后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖13示出了對(duì)圖12所示的隔離材料進(jìn)行化學(xué)機(jī)械平坦化處理至硬掩膜層上的隔離材料被去除并對(duì)隔離材料層進(jìn)行退火處理，得到隔離材料層后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖14示出了向圖13所示的硬掩膜層、襯墊隔離層和隔離材料層進(jìn)行P型離子注入，形成P型離子密集區(qū)后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；以及

圖15示出了去除圖14中的硬掩膜層，形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

應(yīng)該指出，以下詳細(xì)說明都是例示性的，旨在對(duì)本申請(qǐng)?zhí)峁┻M(jìn)一步的說明。除非另有指明，本文使用的所有技術(shù)和科學(xué)術(shù)語具有與本申請(qǐng)所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的相同含義。

需要注意的是，這里所使用的術(shù)語僅是為了描述具體實(shí)施方式，而非意圖限制根據(jù)本申請(qǐng)的示例性實(shí)施方式。如在這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式也意圖包括復(fù)數(shù)形式，此外，還應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)在本說明書中使用術(shù)語“包含”和/或“包括”時(shí)，其指明存在特征、步驟、操作、器件、組件和/或它們的組合。

為了便于描述，在這里可以使用空間相對(duì)術(shù)語，如“在……之上”、“在……上方”、“在…… 上表面”、“上面的”等，用來描述如在圖中所示的一個(gè)器件或特征與其他器件或特征的空間位置關(guān)系。應(yīng)當(dāng)理解的是，空間相對(duì)術(shù)語旨在包含除了器件在圖中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附圖中的器件被倒置，則描述為“在其他器件或構(gòu)造上方”或“在其他器件或構(gòu)造之上”的器件之后將被定位為“在其他器件或構(gòu)造下方”或“在其他器件或構(gòu)造之下”。因而，示例性術(shù)語“在……上方”可以包括“在……上方”和“在……下方”兩種方位。該器件也可以其他不同方式定位(旋轉(zhuǎn)90度或處于其他方位)，并且對(duì)這里所使用的空間相對(duì)描述作出相應(yīng)解釋。

正如背景技術(shù)所介紹的，現(xiàn)有技術(shù)中在進(jìn)行離子注入形成PMOS或NMOS后，退火時(shí)NMOS中所注入的P型離子，極易形成間隙擴(kuò)散進(jìn)入淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)中，擴(kuò)散降低了NMOS中摻雜離子的濃度，雖然目前在淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)中設(shè)置了襯墊隔離層，但是仍然不能阻擋P型離子向淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)中的擴(kuò)散，進(jìn)而導(dǎo)致半導(dǎo)體器件的開啟電壓不穩(wěn)定，為了解決上述問題，本申請(qǐng)?zhí)岢隽艘环N半導(dǎo)體器件的制作方法，圖7示出了該制作方法的流程示意圖。該制作方法包括：在襯底100上設(shè)置依次遠(yuǎn)離襯底100的襯墊氧化層101和硬掩膜層102；刻蝕硬掩膜層102、襯墊氧化層101和襯底100，形成溝槽200，溝槽200包括第一溝槽201和第二溝槽202，第一溝槽201為刻蝕襯墊氧化層101和襯底100所形成的，第二溝槽202為刻蝕硬掩膜層102所形成的，且第二溝槽202的開口大于第一溝槽201的開口，使得在第一溝槽和第二溝槽的交界處形成突出部；在溝槽200的內(nèi)壁上設(shè)置襯墊隔離層103；在襯墊隔離層103上設(shè)置隔離材料層104；向硬掩膜層102、襯墊隔離層103和隔離材料層104進(jìn)行P型離子注入，形成P型離子密集區(qū)105；去除硬掩膜層102，得到淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)300。

上述制作方法，所形成的溝槽200的第一溝槽201的開口小于第二溝槽202的開口，使得位于第一溝槽201和第二溝槽202交界處形成突出部，在向硬掩膜層102、襯墊隔離層103和隔離材料層104進(jìn)行P型離子注入時(shí)，由于硬掩膜層102對(duì)離子注入的阻擋能力較隔離材料層104的阻擋能力強(qiáng)，因此，位于突出部附近的隔離材料層104和襯底100中P型離子濃度較高進(jìn)而形成P型離子密集區(qū)105，在后續(xù)形成NMOS結(jié)構(gòu)的退火過程中，即使NMOS中的P型離子向淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)中擴(kuò)散，由于在采用本申請(qǐng)的制作方法制作淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)300時(shí)P型離子密集區(qū)105中的P型離子會(huì)補(bǔ)償因擴(kuò)散丟失的離子，進(jìn)而保證半導(dǎo)體器件的開啟電壓的穩(wěn)定性。

上述實(shí)施方式中所注入的P型離子優(yōu)選與后續(xù)形成NMOS結(jié)構(gòu)所注入的P型離子相同，比如硼離子，在離子注入時(shí)優(yōu)選采用硼或BF2作為離子注入源。所注入的P型離子的劑量?jī)?yōu)選為1E13～1E15atoms/cm²，能量?jī)?yōu)選為40～80kev。

現(xiàn)在，將參照附圖更詳細(xì)地描述根據(jù)本申請(qǐng)的示例性實(shí)施方式。然而，這些示例性實(shí)施方式可以由多種不同的形式來實(shí)施，并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為只限于這里所闡述的實(shí)施方式。應(yīng)當(dāng)理解的是，提供這些實(shí)施方式是為了使得本申請(qǐng)的公開徹底且完整，并且將這些示例性實(shí)施方式的構(gòu)思充分傳達(dá)給本領(lǐng)域普通技術(shù)人員，在附圖中，為了清楚起見，擴(kuò)大了層和區(qū)域的厚度，并且使用相同的附圖標(biāo)記表示相同的器件，因而將省略對(duì)它們的描述。

首先，在襯底100上設(shè)置依次遠(yuǎn)離襯底的襯墊氧化層101和硬掩膜層102，得到具有圖8 所示剖面結(jié)構(gòu)的器件。

其中，襯底100的材質(zhì)可以為單晶硅、多晶硅、無定形硅、硅鍺化合物或絕緣體上硅(SOI)等，在半導(dǎo)體襯底100中可以形成摻雜區(qū)，例如對(duì)于PMOS晶體管的半導(dǎo)體襯底中形成硼摻雜的P阱區(qū)。襯墊氧化層101的材質(zhì)為二氧化硅，可以采用熱氧化生長(zhǎng)法或化學(xué)氣相沉積法形成，其中較佳的方法為熱氧化生長(zhǎng)法，采用熱氧化生長(zhǎng)法形成的氧化層101具有更好的致密結(jié)構(gòu)；硬掩膜層102的材質(zhì)為氮化硅，可以采用熱氧化生長(zhǎng)法、化學(xué)氣相沉積法或物理氣相沉積法形成，例如形成方法為在400℃～600℃的反應(yīng)溫度下，通入二氯硅烷和氨氣的反應(yīng)物，形成氮化硅材質(zhì)的硬掩膜層102，所述刻蝕阻擋層較佳的厚度為80～150nm，該硬掩膜層102作為進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨的停止層，襯墊氧化層101能夠在形成硬掩膜層102時(shí)保護(hù)襯底100，并作為后續(xù)刻蝕去除硬掩膜層102的刻蝕停止層。

然后，刻蝕圖8所示的硬掩膜層102、襯墊氧化層101和襯底100，形成圖10所示的溝槽200，如圖10所示，該溝槽200包括第一溝槽201和第二溝槽202，其中第一溝槽201位于襯墊氧化層101和襯底100所在區(qū)域，第二溝槽202位于硬掩膜層102所在區(qū)域，且第二溝槽202的開口大于第一溝槽201的開口，由圖10中可以看出在第一溝槽201和第二溝槽202交界處具有明顯的突出部。

本申請(qǐng)優(yōu)選形成上述溝槽200的過程包括：對(duì)圖8所示的硬掩膜層102、襯墊氧化層101和襯底100依次進(jìn)行各向異性刻蝕，形成圖9所示的第一溝槽201和第二預(yù)設(shè)溝槽202’，第二預(yù)設(shè)溝槽202’的開口大小等于第一溝槽201的開口大??；沿圖9所示的第二預(yù)設(shè)溝槽202’的內(nèi)壁對(duì)硬掩膜層102進(jìn)行各向同性刻蝕，形成圖10所示的第二溝槽202。

對(duì)硬掩膜層102、襯墊氧化層101和襯底100進(jìn)行各向異性刻蝕，使得所形成的第一溝槽201和第二預(yù)設(shè)溝槽202’的側(cè)壁的規(guī)整性較好，其中優(yōu)選硬掩膜層102為氮化硅層，優(yōu)選各向異性刻蝕為等離子刻蝕，且濺射功率為400～1000瓦，刻蝕溫度為25～60℃，刻蝕時(shí)間為30～360秒；然后沿第二預(yù)設(shè)溝槽202’的內(nèi)壁對(duì)硬掩膜層102進(jìn)行各向同性刻蝕，使得第二溝槽202的開口增大，其中，各向同性刻蝕的刻蝕劑為質(zhì)量分?jǐn)?shù)為80～95％的磷酸溶液，且刻蝕溫度為25～65℃，刻蝕時(shí)間為1～5min。

在形成溝槽200之后，在圖10所示的溝槽200的內(nèi)壁上設(shè)置圖11所示的襯墊隔離層103。所形成的襯墊隔離層103在一定程度上可以阻擋半導(dǎo)體器件NMOS結(jié)構(gòu)中的硼等離子向淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)中擴(kuò)散，為了實(shí)現(xiàn)較好的隔離效果，在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，上述襯墊隔離層103為含碳的氮化硅層，優(yōu)選上述襯墊隔離層103的厚度為1～10nm，襯墊隔離層103中碳的摩爾濃度含量為1～10％。在該濃度范圍內(nèi)，碳易于在后續(xù)退火工藝中從摻碳氮化硅結(jié)構(gòu)中游離出，進(jìn)入襯墊隔離層103和溝槽200相交界面處，從而在一定程度上阻擋半導(dǎo)體器件的摻雜區(qū)中硼等離子擴(kuò)散進(jìn)入淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)中，導(dǎo)致?lián)诫s區(qū)中的濃度降低。

優(yōu)選上述襯墊隔離層103采用化學(xué)氣相沉積法形成，進(jìn)一步采用低壓化學(xué)氣相沉積法。其中上述襯墊隔離層103為含碳的氮化硅層，優(yōu)選形成上述含碳的氮化硅層的化學(xué)氣相沉積法的沉積溫度為450～600℃，化學(xué)氣相沉積法的反應(yīng)物包括氨氣、乙烯和二氯硅烷；或者化學(xué)氣相沉積法的反應(yīng)物包括氨氣、乙烯和六氯乙硅烷。

形成襯墊隔離層103之后，在圖11所示的襯墊隔離層103上設(shè)置圖13所示的隔離材料層104。在襯墊隔離層103上設(shè)置隔離材料層104的過程包括：在圖11所示的襯墊隔離層103和硬掩膜層102上沉積隔離材料104’，形成具有圖12所示剖面結(jié)構(gòu)的器件；對(duì)圖12所示的隔離材料104’進(jìn)行化學(xué)機(jī)械平坦化處理至硬掩膜層102上的隔離材料104’被去除；對(duì)隔離材料層104進(jìn)行退火處理，得到圖13所示的隔離材料層104。

本申請(qǐng)形成上述隔離材料層104的隔離材料可以為二氧化硅、氟硅玻璃、未摻雜的硅酸鹽玻璃(USG)或正硅酸四乙酯中的一種或多種，為了提高隔離材料層104的填充效果，優(yōu)選在襯墊隔離層103上設(shè)置隔離材料層104采用高深寬比填充工藝(HARP)實(shí)施，優(yōu)選隔離材料層104為二氧化硅層，淀積溫度為300～500℃，淀積氣體包括TEOS、O₂和O₃，且TEOS和O₂體積比為1:3～1:25，TEOS和O₃體積比為1:1～1:30。

在隔離材料層104設(shè)置之后，向圖13所示的硬掩膜層102、襯墊隔離層103和隔離材料層104進(jìn)行P型離子注入，形成圖14所示的P型離子密集區(qū)105。在離子注入過程中，由于硬掩膜層102對(duì)離子注入的阻擋能力較隔離材料層104的阻擋能力強(qiáng)，因此，位于突出部附近的隔離材料層104和襯底100中P型離子濃度較高形成P型離子密集區(qū)105，進(jìn)而在后續(xù)形成NMOS結(jié)構(gòu)的退火過程中，即使NMOS中的P型離子向淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)中擴(kuò)散，由于在采用本申請(qǐng)的制作方法制作淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)時(shí)P型離子密集區(qū)105中的P型離子會(huì)補(bǔ)償因擴(kuò)散丟失的離子，進(jìn)而保證半導(dǎo)體器件的開啟電壓的穩(wěn)定性。

上述離子注入過程中所注入的P型離子優(yōu)選與后續(xù)形成NMOS結(jié)構(gòu)所注入的P型離子相同，比如硼離子，在離子注入時(shí)優(yōu)選采用硼或BF₂作為離子注入源。所注入的P型離子的劑量P型離子注入的劑量為1E13～1E15atoms/cm²，能量為40～80kev。

在完成離子注入后，去除圖14中的硬掩膜層102，形成圖15所示的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)300。上述去除硬掩膜層102時(shí)，優(yōu)選利用包括磷酸的刻蝕物質(zhì)對(duì)硬掩膜層102進(jìn)行刻蝕。

在一些半導(dǎo)體器件中，需要對(duì)上述所形成的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)300進(jìn)行減薄，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以采用常規(guī)的減薄方法實(shí)施上述減薄。

從以上的描述中，可以看出，本申請(qǐng)上述的實(shí)施方式實(shí)現(xiàn)了如下技術(shù)效果：

所形成的溝槽的第一溝槽的開口小于第二溝槽的開口，使得位于第一溝槽和第二溝槽交界處形成突出部，在向硬掩膜層、襯墊隔離層和隔離材料層進(jìn)行P型離子注入時(shí)，由于硬掩膜層對(duì)離子注入的阻擋能力較隔離材料層的阻擋能力強(qiáng)，因此，位于突出部附近的隔離材料層和襯底中P型離子濃度較高進(jìn)而形成P型離子密集區(qū)，在后續(xù)形成NMOS結(jié)構(gòu)的退火過程中，即使NMOS中的P型離子向淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)中擴(kuò)散，由于在采用本申請(qǐng)的制作方法制作淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)時(shí)P型離子密集區(qū)中的P型離子會(huì)補(bǔ)償因擴(kuò)散丟失的離子，進(jìn)而保證半導(dǎo)體器件的開啟電壓的穩(wěn)定性。

以上所述僅為本申請(qǐng)的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本申請(qǐng)，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本申請(qǐng)可以有各種更改和變化。凡在本申請(qǐng)的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本申請(qǐng)的保護(hù)范圍之內(nèi)。